上周回顾及未来两周走势分析

在上游厂家持续减产和欧美市场补货需求带动下,上周现货市场的DDR2价格继续强力上扬。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价维持上升到225元附近，而金士顿就上升至233元附近盘整； 1Gb DDR2 800品牌颗粒价格尾市站在2.00美金之上。大陆现货市场的气氛乐观态度有所加强 。 DDR400价格上周呈现轻微偏软的盘整走势,Hynix DDR400 512Mb下降到1.54美金附近，而白板颗粒价格就下降到1.50美金附近展开盘整。 上周Nand Flash颗粒价格总体呈现小幅上扬走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期增强,尤其是对苹果在现货市场扫货消息的发酵下，短期上游生产厂家仍然牢牢掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。由于现货市场的Flash颗粒库存水位较低，上游借助减产继续掌握定价的主导权，上周价格继续维持全线走强。 在上游减产锁货和下游投机炒作热烈的带动下，尽管需求一直不佳，上周MicroSD产品总体继续前期的高位区间窄幅震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.09.21-2009.09.27)

在上游厂家持续减产和欧美市场补货需求带动下,上周现货市场的DDR2价格继续强力上扬。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价维持上升到225元附近，而金士顿就上升至233元附近盘整； 1Gb DDR2 800品牌颗粒价格尾市站在2.00美金之上。大陆现货市场的气氛乐观态度有所加强 。
DDR400价格上周呈现轻微偏软的盘整走势,Hynix DDR400 512Mb下降到1.54美金附近，而白板颗粒价格就下降到1.50美金附近展开盘整。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现小幅上扬走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期增强,尤其是对苹果在现货市场扫货消息的发酵下，短期上游生产厂家仍然牢牢掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。由于现货市场的Flash颗粒库存水位较低，上游借助减产继续掌握定价的主导权，上周价格继续维持全线走强。
在上游减产锁货和下游投机炒作热烈的带动下，尽管需求一直不佳，上周MicroSD产品总体继续前期的高位区间窄幅震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来三周存储器价格走势分析预测(2009.09.28-2009.10.18)

DDR3：

尽管OEM市场对于DDR3的需求强劲，但目前现货市场DDR3需求增长却极为缓慢，仅占的不到5%的份额，这主要是由于相关配件的价格偏高导致的。上周DDR3颗粒价格总体继续维持窄幅区间盘整走势。现货市场DDR3需求增长缓慢和厂家逐步加大DDR3的产能将会增加其价格在10月中旬以后出现下滑的机会，而DDR3价格的下跌和DDR2的价格的上涨将会导致换代前的价格交叉出现，并可能由此正式启动DDR3的普及。
总体而言，年底前现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第四季度的中旬开始，现货市场DDR3需求将会正式起步。但是短期OEM市场需求如何仍是决定其价格走向的主导力量，对DDR3的价格变化影响较大；而其价格变化和现货市场的需求好坏关系就不大。值得注意的是DDR3的产能正在逐步加大，未来的压力将会在10月份开始慢慢显现，11月份开始将会明显显示出现，而那时DDR3也将在现货市场开始其普及之旅。
另外，Intel将会在11月开始下调支持DDR3的CPU和主板芯片的价格，英特尔的这一行动将会正式在现货市场吹响DDR3普及号角。
考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限和第四季度的价格有下跌的风险，目前不建议囤积DDR3。
结论：
10月中旬开始，DDR3将会在现货市场开始启动其成为主流的征途，到时价格将有机会开始出现下跌。

DDR2：

形势分析：
上周在欧美市场强劲补货需求推动下，外围市场的DDR2颗粒价格全线上扬，尾市1Gb品牌颗粒的价格站稳2美金。受此激励，大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价格上升到并突破230元关卡，尾市上升到233元附近。现货市场的气氛明显活跃，投机气氛明显转趋热烈。
目前现货市场多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现乐观和热烈，市场部分商家开始将这次反转后的2GB内存最高目标价格上调至250元。
需要说明的是上游减产、变相减产和控货直接导致了近两个月的DDR2上涨走势，并非实质需求增强所致。
我们维持长线来讲减产不能从根本上解决供大于求这一难题，产能过剩的问题在DDR2为主流的时代不太可能彻底解决。DDR3时代，由于台系厂商资金匮乏将导致多数台系厂商退出未来DDR3的主流产品市场,那时产能问题过剩问题才会彻底解决。
中短期而言，由于目前的颗粒价格已经高于所有厂家的变动成本价格（1.50-1.80美金区间），外围市场的囤积的库存和增加的产能将会在10月份开始将会逐步释放。但由于大陆市场长假期等等原因，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，短期（这里指三周以内）价格运行区间仍有机会上移，但是空间就相对有限。
基于以上现货市场基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风险继续加大，短期价格仍有可能上扬，但是已经接近反弹的顶部区间。未来三周以内多数品牌内存2GB价格运行区间将会继续上移并维持在220-245元之间的区间内。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并将风险提示的预警级别提升至“高”，考虑到国庆和中秋长假期、10月上旬合约价出台和支持DDR3相关产品价格将在11月份调价等原因，我们将逢高减磅逐步降低库存至合理库存水位的最后时间维持在10月18日前后不变。
结论：
未来三周：
首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高，我们将反弹结束或者说到达顶部的时间继续维持在10月18日前后。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（220元－245元）之间的区间内强势盘整的机会较大，一般而言不会跌破220元和涨过245元。
颗粒方面：对于未来三周的颗粒价格走势，我们维持“中性”或“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.95－2.15美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过2.15美金的机会不大。
由于KST 2GB已经涨到233元附近，接近反转的顶部区域，我们建议维持正常经营并逐步降低库存。目前的风险已经开始明显加大，操作上在10月18日前后减仓至合理水位。
鉴于目前价格已经上升至厂家成本区附近，对于DDR2的长线走势我们维持“中性”研判。

DDR400：

上周DDR400价格呈现偏软的盘整走势,市场DDR400需求继续萎缩，投机买盘在DDR400上继续缩手,只是在厂家的努力维持下，512Mb颗粒价格才在在1.55美金附近稳住。
尾市Hynix和SEC 512Mb DDR400颗粒的价格轻微下滑并维持在1.53-1.56美金之间，而白板512Mb颗粒的价格在1.50美金附近。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以生产利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判：
（1）512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间仍是危险区域，
（2）价格一旦跌破1.40美金就进入中度安全区域；
（3）而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于DDR400需求持续萎缩，未来中期DDR400价格走软的机会较大，但是跌速就会相对较慢。由于DDR2价格持续走强，短期DDR400价格下跌的可能性不大，即使下跌也将会呈现缓跌和可控的局面，大幅下滑的机会没有，中期跌破1.20美金的机会渺茫。
结论：
对于未来三周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”或“中偏软”的研判。目前风险级别处于中等，建议不宜盲目加仓，合理库存即可。
我们维持认为Hynix 512Mb DDR400 价格在1.20-1.40美金区间为中度安全区和1.20美金以下为高度安全区域的研判。
未来三周的操作建议是，维持正常合理库存,正常经营即可。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持强势上扬走势。其中主流颗粒价格呈现轻微上扬走势。这主要是市场对于苹果在现货市场扫货和其10月份 Flash的采购案可能对价格产生正面影响的一种预先反映。由于长假期的原因，我们研判这种效应在10月中旬前不会结束，10月份中旬以后才将是关键。
目前Flash市场一方面终端需求总体一般导致投机需求不敢大量入场，现货市场库存又相对不高；另一方面经历了去年的暴跌，生产厂家对于Flash产能的控制显得小心翼翼，减产、将部分产能转产DDR3、苹果在现货市场的补货及对商家旺季需求增温等这些因素共同导致了近期Flash价格走强并维持在相对高位上震荡。也就是说，目前的价格维持坚挺主要由于厂商对于旺季需求的期待和前期减产导致的，也并非需求因素导致的。
我们预计在10月中旬前，上游厂家暂时没有低价抛货的急迫性，因此短期价格继续维持这种区间盘整或者轻微上扬走势的机会较大，不会大幅上涨和大幅下跌。
虽然中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,中线价格出现小幅下跌的机会还是偏大的，但短线（10月中旬前）不宜盲目看空，也不宜盲目追高，正常经营即可。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本也促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升目前来看也不如预期的那么好，因此预计未来短线需求的变化不会太大。而目前的价格走强和走稳，更多地还是由于上游厂家减产或者控货导致的。10月份应对苹果新产品的实际需求到底如何将会是左右中线价格走向的关键因素之一！
在全球市场环境不佳和没有革命性的产品诞生的情况下，短期需求没有大幅转好的可能性。考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来短线将会维持相对平衡。中长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，尤其是10月中旬以后的时间。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和现货市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场近期价格继续呈现区间震荡走势，显示上游控货态度坚决和市场的投机气氛较为活跃，但是需求不佳。考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，前期的价格出现区间盘整完全是上游减产和控货的结果，价格的趋稳或许只是暂时现象，并非供求关系发生了根本变化，预计10月中旬开始出现改变的机会较大。
结论：
由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来三周的Nand Flash持“中性”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！10月份中旬后应该注意规避风险！

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格出现了明显的上升走势，尾市上升势头明显加快。DRAM市场气氛维持“中性偏强”，投机气氛开始上升。我们研判目前的市场的状况总体接近“健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格接近反弹顶部，反弹接近尾声。上周炒作指数上升到80分水平（满分100分），成交量则上升到80分附近，目前市场接近供求平衡，也是今年以来最接近供求平衡的时间点，我们继续维持10月18日前DDR2的价格总体风险不大的研判。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持缓步攀升的势头，市场似乎对十月份开始变得有信心。由于长假期等原因，我们对于未来三周的价格走势维持“中性”研判。
MicroSD价格继续维持高位区间盘整走势，对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量维持在75分水准附近，预判未来三周里的价格维持“中性”的机会偏大，风险评估维持“中偏高等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	220-245	中性或轻微偏强区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	165-180	区间盘整或轻微走软走势

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.95-2.15	中性或轻微偏强区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.45-1.60	区间盘整或轻微走软走势