上周回顾及下周走势分析

上周前半周市场继续前一周的获利回吐,盘中价格开始逐步回稳,尾盘部分商家受到利好消息面的影响开始入场吸货导致价格出现回升。其中KST 2GB的价格由回调至最低点270元后开始上扬尾盘升至286元附近。收盘时金士顿2GB模组的价格升至287元附近； 而1Gb DDR2 800品牌颗粒价格升至2.60美金以上。大陆现货市场的狂热的市场气氛再次被激活 。 DDR400需求继续持续萎缩，上周价格继续呈现窄幅盘整走势，尾盘轻微走强。其中Hynix DDR400 512Mb维持在1.56美金附近，而白板颗粒价格维持在1.50美金附近展开盘整。 上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。由于接近年底，市场需求一般的情况下，这种走势未来可能会得到加强。我们仍旧维持十月中旬后的一个月内可能是价格变化的时间窗口的研判，也就是下跌的机会正在加大。 由于需求疲软，而现货市场的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐导致了出现了明显的下滑，尽管尾市有所上扬，但是仍未能收复失地。MicroSD产品总体继续维持前期形成区间内高位震荡，目前在既有区间中部偏上区域展开盘整。

上周存储器走势回顾(2009.10.19-2009.10.25)

上周前半周市场继续前一周的获利回吐,盘中价格开始逐步回稳,尾盘部分商家受到利好消息面的影响开始入场吸货导致价格出现回升。其中KST 2GB的价格由回调至最低点270元后开始上扬尾盘升至286元附近。收盘时金士顿2GB模组的价格升至287元附近； 而1Gb DDR2 800品牌颗粒价格升至2.60美金以上。大陆现货市场的狂热的市场气氛再次被激活 。
DDR400需求继续持续萎缩，上周价格继续呈现窄幅盘整走势，尾盘轻微走强。其中Hynix DDR400 512Mb维持在1.56美金附近，而白板颗粒价格维持在1.50美金附近展开盘整。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。由于接近年底，市场需求一般的情况下，这种走势未来可能会得到加强。我们仍旧维持十月中旬后的一个月内可能是价格变化的时间窗口的研判，也就是下跌的机会正在加大。
由于需求疲软，而现货市场的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐导致了出现了明显的下滑，尽管尾市有所上扬，但是仍未能收复失地。MicroSD产品总体继续维持前期形成区间内高位震荡，目前在既有区间中部偏上区域展开盘整。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.10.26-2009.11.08)

DDR3：

尽管OEM市场对于DDR3的需求强劲，但目前现货市场DDR3需求增长仍然缓慢，截止上周为止仅占不到5%的份额。这主要是由于支持DDR3的相关配件的价格虽有下滑但仍然高于DDR2的相关配件。上周DDR3相关产品的价格总体继续维持偏强走势，价格随DDR2的价格反弹而出现上扬，但就继续便宜过DDR2。由于DDR3价格已经连续两周低于DDR2,DDR3的销量继续得到提高，但是仍相对缓慢。
近期DRAM厂家正在逐步加大DDR3的产能，这将会增加其价格出现下滑的机会。考虑到DDR2的价格已经超过DDR3，而支持DDR3的相关配件价格不断下跌，我们认为这也将加快DDR3的普及和成为主流。
总体而言，农历年年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，研判第四季度的中旬（11月中旬）开始，现货市场DDR3需求才会加速起量，短期OEM市场需求如何仍是决定其价格走向的主导力量，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大；而DDR3的价格变化和现货市场的需求好坏关系暂时就不大。
据悉Intel将会在11月开始下调支持DDR3的CPU和主板芯片的价格，英特尔的这一行动将会在现货市场直接吹响DDR3普及号角。
考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，我们维持不宜囤积DDR3的操作建议。

结论：

DDR3已经在现货市场开始启动其成为主流的征途。未来DDR3的价格走势将会决定DDR2的反转后的尾段行情能够持续多长时间，操作上多看少动。

DDR2：

形势分析：

上周市场的DDR2走势前后可谓是冰火两重天，前半周由于获利回吐导致价格出现明显的下滑，后半周市场商家明显地受到合约价上涨、windows 7上市和有关DRAM厂家的信心喊话的影响，周五开始投机买盘开始结束观望，进入市场吸货；而一些有货的商家也开始惜售。
大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价格则快速上扬至287元附近。外围市场的DDR2颗粒价格同样出现小幅上扬，尾市1Gb品牌颗粒的价格站上2.60美金以上。
目前现货市场仍是一半左右的商家对后市持“偏多”看法，市场的热度较前期总体有所下降。但是继续看多的分商家已经将2GB内存最高目标价格由300元上调至350元附近。
需要说明的是上游减产、变相减产和控货直接导致了近两个月的DDR2上涨走势，并非实质需求增强所致。由于DDR2的价格已经远高于各个厂家的成本，目前厂家的减产已经结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的供应将会逐步增加，价格的下滑压力将会逐步显现，也就是说11月份将是价格变化的关键时期。
基于以上基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风较大，而短期价格可能出现宽幅震荡，但是目前的价格已经接近反弹的顶部区间的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会继续维持在260-300 元之间的区间内。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并将风险提示的预警级别继续维持在“高”。

结论：

未来两周：

首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高。鉴于目前DDR2价格已经大大超过DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们改持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（260元－300元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破260元和涨过300元。
颗粒方面：我们维持“中性”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.50－2.75美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过2.75美金和跌破2.50美金的机会都不大。
目前的风险已经开始明显加大，但是考虑到DRAM厂家尚未在获利价位以上大量出货套现，短期上游厂家将会维持在目前的价位附近震荡出货。
操作建议：以少量的库存，波段操作，即区间底（250-270）部少量进货；区间顶部（280-300）出货，但不宜重仓操作，因为今年的牛市行情已经接近结束。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，市场似乎开始进入淡季，商家普遍较为审慎。我们维持研判未来一段时间价格将会逐步震荡走软，11月中旬前将是Flash价格走向的关键期的研判。
目前Flash颗粒市场一方面终端需求总体一般，而价格年也处于今年的高位，邻近年底市场商家不敢多备货，导致现货市场库存相对不高；另一方面经历了去年的暴跌，生产厂家对于Flash产能的控制显得小心翼翼，并减产把部分产能转产DDR3上。前期苹果在现货市场的补货和商家对商家旺季需求增温的预期等因素共同导致了近期Flash价格维持在高位上震荡。也就是说，目前的价格维持坚挺主要是由于厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。
中线Nand Flash的价格将可能会向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会逐步增大。只是操作上短线不宜盲目看空，也不宜盲目追高，正常经营即可，但是11月开始要注意规避可能出现的价格风险。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本，促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，因为预计未来短线需求的变化不会太大。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和现货市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场近期价格继续呈现区间震荡走势，显示上游控货态度坚决和市场的投机气氛较为活跃，但是需求不佳。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，前期的价格出现区间盘整完全是上游减产和控货的结果，价格的趋稳或者走强或许只是暂时现象，并非供求关系发生了根本变化，预计未来一段时间价格开始逐步松动的机会较大。
由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来两周的Nand Flash持“中性”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡的震荡区间的中枢价位将会缓慢下移，但是价格移动性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：

（1）对于库存水位高的商家，以逐步降低库为主，但也不必急于低价抛货，正常走即可。（2）库存不高的，建议正常经营为主，年底前不宜再投机。补货时注意把握价格波动的节奏，尽量避免高位接货。

DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主，不宜大量投机。
T卡（MicroSD）：正常经营为主，不宜大量投机，适当波段操作。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测