上周回顾及下周走势分析

尽管下游需求疲软,但在上游持续惜售控制下, 上周现货市场DDR2价格缓步攀升。其中KST 2GB的价格由286元升至298元附近。而1Gb DDR2 800品牌颗粒价格升至2.70美金附近。大陆现货市场气氛总体平静,市场气氛似乎少了一份盲目,多了一份理性。 DDR400需求继续持续萎缩，上周价格继续呈现轻微偏强的盘整走势，尾盘轻微走强。其中Hynix DDR400 512Mb轻微上升到1.60美金附近，而白板颗粒价格则上升到1.54美金附近。 上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。临近年底，市场需求一般的情况下，这种走势未来或会继续得到加强。我们仍旧维持未来下跌的机会偏大的研判。 由于需求疲软，而现货市场MicroSD的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐,导致了出现了明显的下滑，但是尾市价格似乎开始企稳。MicroSD产品总体继续维持前期形成区间内高位震荡，目前仍在既有区间中部偏上区域盘整。

上周存储器走势回顾(2009.11.26-2009.11.01)

尽管下游需求疲软,但在上游持续惜售控制下, 上周现货市场DDR2价格缓步攀升。其中KST 2GB的价格由286元升至298元附近。而1Gb DDR2 800品牌颗粒价格升至2.70美金附近。大陆现货市场气氛总体平静,市场气氛似乎少了一份盲目,多了一份理性。
DDR400需求继续持续萎缩，上周价格继续呈现轻微偏强的盘整走势，尾盘轻微走强。其中Hynix DDR400 512Mb轻微上升到1.60美金附近，而白板颗粒价格则上升到1.54美金附近。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。临近年底，市场需求一般的情况下，这种走势未来或会继续得到加强。我们仍旧维持未来下跌的机会偏大的研判。
由于需求疲软，而现货市场MicroSD的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐,导致了出现了明显的下滑，但是尾市价格似乎开始企稳。MicroSD产品总体继续维持前期形成区间内高位震荡，目前仍在既有区间中部偏上区域盘整。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.11.01-2009.11.15)

DDR3：

目前DDR3需求仍然主要来自于OEM市场，现货市场DDR3需求增长缓慢，截止上周为止仅占5%不到的份额。这主要是由于支持DDR3的相关配套配件的价格虽有下滑但仍然高于DDR2的相关配件。上周DDR3相关产品的价格总体继续维持偏强走势，价格随DDR2的价格反弹而出现上扬，但价格就继续低过DDR2。由于DDR3价格持续低于DDR2,DDR3的销量继续得到提高，相对缓慢。
近期DRAM厂家正在逐步加大DDR3的产能，这将会增加其价格出现下滑的机会。考虑到DDR2的价格已经超过DDR3，而支持DDR3的相关配件价格不断下跌，我们认为这也将加快DDR3的普及和成为主流。
总体而言，农历年年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，研判第四季度的中旬（11月中旬）开始，现货市场DDR3需求才会加速起量，短期OEM市场需求如何仍是决定其价格走向的主导力量，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大；而DDR3的价格变化和现货市场的需求好坏关系暂时就不大。
Intel将会在11月开始下调支持DDR3的CPU和主板芯片的价格，英特尔的这一行动将会在现货市场直接吹响DDR3普及号角。
考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，我们维持不宜囤积DDR3的操作建议。

结论：

DDR3已经在现货市场开始启动其成为主流的征途。未来DDR3的价格走势将会决定DDR2的反转后的尾段行情能够持续多长时间，操作上多看少动。

DDR2：

形势分析：

上游仍然继续通过拉高价格达到出货的目的,但是终端需求明显难以支撑价格再继续大幅上扬。与上游多数积极看好的态度形成明显反差的是下游多数商家反而开始趋于理性。
在上游厂商供应不多的情况下，外围商家积极控货和锁货的情况下，大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价格逐步攀升至298元附近。外围市场的DDR2颗粒价格同样出现小幅上扬，尾市1Gb品牌颗粒的价格站上2.70美金附近。
目前现货市场有将近一半的商家对后市持“偏多”看法，市场的热度较前期总体有所下降。但是继续看多的分商家已经将2GB内存最高目标价格上调至350元附近。
需要说明的是上游减产、变相减产和控货直接导致了近两个月的DDR2上涨走势，并非实质需求增强所致。由于DDR2的价格已经远高于各个厂家的成本，目前厂家的减产已经结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的供应将会逐步增加，价格的下滑压力将会逐步显现，也就是说11月份将是价格变化的关键时期，尤其是中旬以后，这波行情其实原因和终止原因应该是相同的
基于以上基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风较大，而短期价格可能出现宽幅震荡，目前的价格已经接近反弹的顶部区间的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会继续维持在270-310 元之间的区间内。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并将风险提示的预警级别继续维持在“高”。

结论：

未来两周：

首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高。鉴于目前DDR2价格已经大大超过DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们改持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（270元－310元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破270元和涨过310元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.60－2.80美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过2.80美金和跌破2.60美金的机会都不大。
目前的风险已经开始明显加大，但是考虑到DRAM厂家尚未在获利价位以上大量出货套现，短期上游厂家将会维持在目前的价位附近震荡出货。
操作建议：以少量的库存，波段操作，即区间底（260-280）部少量进货；区间顶部（290-310）出货，但不宜重仓操作，因为今年的牛市行情已经接近结束。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，市场似乎开始进入淡季，商家普遍较为审慎。我们继续维持研判未来一段时间价格将会逐步震荡走软，11月中旬前将是Flash价格走向的关键期的研判。
我们前面讲过，前期的价格高位震荡主要原因是厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。十一后Flash颗粒市场终端需求总体较差，而价格年就仍处于今年以来的相对高位；临近年底市，近期场商家开始逐步降低库存，导致投机和补货需求降温，价格于是开始有走软迹象。
中线Nand Flash的价格将可能会向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会逐步增大。只是操作上正常经营即可，11月份开始要注意规避可能出现的价格风险。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本，促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，由于未来短线需求的改善的机会太大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定。
十一后现货市场MicroSD同样需求不佳，而市场中的库存水位却居高不下，商家开始落袋为安和恐慌性抛货直接导致了MicroSD价格市场近期急速下跌走势，显示市场的需求难以支撑目前的高价位和消化这些投机库存,尽管临近尾市价格逐步有趋稳迹象，但是市场就依然疲弱。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。
由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来两周的Nand Flash持“中性”或”中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或”中偏软”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会缓慢下移，但是价格剧烈的波动性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：（1）对于库存水位高的商家，以逐步降低库为主，但也不必急于低价抛货，正常走即可。（2）库存不高的，建议正常经营为主，年底前不宜再投机。补货时注意把握价格波动的节奏，量不宜过大，尽量避免高位接货，15号前总体风险不大。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主，不宜大量投机。
T卡（MicroSD）：正常经营为主，不宜大量投机。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	270-310	偏强的区间震荡
Hynix兼容条	2GB DDR3 1333 8C	265-300	区间盘整

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD2.55-2.85	偏强的区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.55-1.65	区间盘整