上周回顾及下周走势分析

上周现货市场DDR2价格继续维持偏强的窄幅盘整走势,市场较为平静,需求一般。其中KST 2GB的价格在303元附近展开盘整。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格收至2.62美金附近。Hynix DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格强劲上扬至3美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格全线上扬至320元附近盘整。 由于供应加大和需求疲软，上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。临近年底，在市场需求一般和上游加大供应等多种因素作用下，预计短期这种走势未来或继续得到加强。 由于需求疲软，而现货市场MicroSD的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐,导致了出现了明显的下滑。我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。

上周存储器走势回顾(2009.12.02-2009.12.08)

上周现货市场DDR2价格继续维持偏强的窄幅盘整走势,市场较为平静,需求一般。其中KST 2GB的价格在303元附近展开盘整。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格收至2.62美金附近。Hynix DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格强劲上扬至3美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格全线上扬至320元附近盘整。
由于供应加大和需求疲软，上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软。临近年底，在市场需求一般和上游加大供应等多种因素作用下，预计短期这种走势未来或继续得到加强。
由于需求疲软，而现货市场MicroSD的投机库存量难以得到有效消化，上周市场出现了明显的回吐,导致了出现了明显的下滑。我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.09-2009.12.22)

DDR3：

尽管近期现货市场DDR3需求增长开始加速，但是目前DDR3需求仍然主要来自于OEM市场。截止上周为止DDR3的需求仅占不到整个现货市场模组需求的5%的份额。这主要是由于支持DDR3的相关配套配件的价格仍然高于DDR2的相关配件。
近期由于DDR3与DDR2价格相近，且支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，导致DDR3需求在现货市场开始加速启动。但是对这一时间的提前到来，模组厂商显然并未准备好，或者说有些估计不住，导致供应出现问题，价格出现小幅上扬。考虑到DDR2的价格与DDR3相近，而支持DDR3的相关配件价格不断下跌，我们认为DDR3的普及之旅已经开始，明年上半年成为主流的可能性很大。
总体而言，农历年年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速起量的研判，但是中期OEM市场需求和DRAM厂家产能的分配仍是决定其价格走向的主导力量，但现货市场的需求好坏也开始对其产生影响了。

结论：

考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，而目前的价格已经偏高，我们继续维持不宜囤积DDR3的操作建议。

DDR2：

形势在分析：

在DDR2价格出现滞涨的情况下，上游试图通过拉升DDR3价格达到给DDR2价格的上升打开空间的效果，但是效果如何就有待于在未来两周来观察。但是有一点是可以看到的,那就是模组厂商似乎对于DDR3需求的快速增长准备不足，模组厂家在DDR3上普遍缺货，这也从另一个侧面验证了DDR2的需求开始出现下降。
继续通过拉高价格达到出货的目的仍是近期厂商的主要手段。但是目前终端需求也明显难以支撑价格再继续大幅上扬。与上游多数商家积极看好的态度形成明显反差的是下游多数商家逐步开始趋于理性。
在上游厂商供应不多和外围商家积极控货和锁货的情况下，供求关系基本维持恐怖的动态平衡，走势轻微偏强。大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价格维持在303元附近。外围市场的DDR2颗粒价格同样出现轻微偏强盘整走势，尾市1Gb品牌颗粒的价格站上2.78美金。
目前现货市场有不到一半的商家对后市持“偏多”看法，市场的热度较前期总体继续降温。但是继续看多的分商家已经将2GB内存最高目标价格上调至350元附近。
由于DDR2的价格已经远高于各个厂家的成本，目前厂家的减产行动已经结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的供应将会逐步增加，价格的下滑压力将会逐步显现，也就是说11月中旬以后将是价格变化的关键时期。
基于以上基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风险较大，而短期价格可能出现宽幅震荡，目前的价格已经接近反弹的顶部区间的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会继续维持在280-315 元之间的区间内轻微偏强盘整。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并将风险提示的预警级别继续维持在“高”。

结论：

未来两周：

首先我们维持认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高。鉴于目前DDR2价格已经大大超过DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们改持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（280元－315元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破280元和涨过315元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏强”研判。预计品牌1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.70－2.85美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过2.85美金和跌破2.70美金的机会都不大。
目前的风险已经开始明显加大，但是考虑到DRAM厂家尚未在获利价位以上大量出货套现，短期上游厂家将会维持在目前的价位附近强势震荡出货。
操作建议：以少量的库存，正常经营即可，不宜重仓操作，因为今年的牛市行情已经接近结束。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，市场进入淡季，商家普遍较为审慎。我们维持研判价格将会继续逐步震荡走软的研判，11月中旬前后将是Flash价格走向的关键期的研判，也就是说11月中旬前后价格结束强势的可能性较大，目前这种走势已经基本确立，但是需要强调的是也不会出现以往的崩盘走势。
我们前面讲过，前期的价格高位震荡主要原因是厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。十一后Flash颗粒市场终端需求总体较差，而价格也就处于今年以来的相对高位，临近年底近期场商家开始逐步降低库存，导致投机和补货需求降温，价格于是开始有走软。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本，促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，由于短线需求的改善的机会太大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定。
中线Nand Flash的价格将可能会向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会逐步增大。只是操作上正常经营即可，维持11月份开始要注意规避可能出现的价格风险的风险提示。
十一后现货市场MicroSD同样需求不佳，白牌手机市场厂商基于成本考量随机暂时不配送卡，导致偏高的库存水位难以消化，商家出现的落袋为安和恐慌性抛货行动直接导致了近期MicroSD价格下跌走势，显示市场的实质需求难以支撑目前的高价位和消化目前供应量。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来两周的Nand Flash持“中性”或”中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或”中偏软”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会缓慢下移，但是价格剧烈的波动性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：轻微偏强，正常经营为主，但15号前总体风险不大。
DDR3：轻微偏强，正常经营为主，但15号前总体风险不大。
Flash：颗粒方面走势偏软，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：走势偏软正常经营为主。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测