上周回顾及下周走势分析

由于市场较为平静和需求不佳，上周现货市场的商家出现了明显的套现压力，DDR2价格出现近期少有的小幅下跌走势。其中KST 2GB的价格最低跌至278元附件，尾市在投机买盘逢低吸纳的带动下，价格反弹至288元附近展开盘整。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也收低至2.63美金附近。Hynix DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格也下跌至2.93美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格也出现了下跌。 由于受到T卡价格反弹的影响,上周Nand Flash颗粒价格的下跌步伐虽有停止,但是总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续得到加强。 由于受到朦胧利好消息的刺激，上周现货市场MicroSD（T卡）价格出现了明显的跌深反弹走势,市场商家的恐慌情绪得到一定程度的修复。但是由于需求不佳投机库存量仍难以得到有效消化，价格反弹似乎难以为继,我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。

上周存储器走势回顾(2009.12.09-2009.12.15)

由于市场较为平静和需求不佳，上周现货市场的商家出现了明显的套现压力，DDR2价格出现近期少有的小幅下跌走势。其中KST 2GB的价格最低跌至278元附件，尾市在投机买盘逢低吸纳的带动下，价格反弹至288元附近展开盘整。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也收低至2.63美金附近。Hynix DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格也下跌至2.93美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格也出现了下跌。
由于受到T卡价格反弹的影响,上周Nand Flash颗粒价格的下跌步伐虽有停止,但是总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续得到加强。
由于受到朦胧利好消息的刺激，上周现货市场MicroSD（T卡）价格出现了明显的跌深反弹走势,市场商家的恐慌情绪得到一定程度的修复。但是由于需求不佳投机库存量仍难以得到有效消化，价格反弹似乎难以为继,我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.16-2009.12.29)

DDR3：

由于相关配件价格的不断下滑,近期现货市场DDR3需求增长继续加速，DDR3需求已经上升到占整个现货市场模组需求的10%左右,换代的步伐明显快于以往任何一次换代,这与DDR2的价格虚高有直接关系，同时也和DDR3的节能效应有密切关系。
上周DDR2的价格出现下跌，但是已经难以改变其被加速淘汰的命运。由于DDR3与DDR2价格相近，且支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，在价格相近的情况下，技术上领先的DDR3的普及速度将加速进行并且不可逆转。上期我们也谈到模组厂商显然对这一时间的提前到来没有准备好，或者说有些估计不住，导致供应出现问题，并直接导致价格在前一周出现小幅上扬。我们维持DDR3的普及之旅已经开始，明年上半年成为主流的研判。
总体而言，农历年年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速起量的研判，但是年底前OEM市场需求和DRAM厂家产能的分配仍是决定其价格走向的主导力量，但是目前现货市场的需求好坏也开始对其产生影响了。

结论：

考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，而目前的价格已经偏高，我们继续维持不宜囤积DDR3的操作建议。

DDR2：

形势在分析：

前一周我们谈到，在DDR2价格出现滞涨的情况下，上游试图通过拉升DDR3价格达到给DDR2价格的上升打开空间的效果，但是效果如何就有待于在其后的两周来观察。但是非常遗憾的是DDR3的价格在上周也出现了下滑，DDR2的价格下滑的就更为严重。但是两者的下滑性质则完全不同，DDR3的下滑是由于模组厂商拉升幅度过大造成的理性回调；而DDR2的价格下跌则是大陆市场没有需求自下而上导致的，也就是有大陆市场需求不佳跌带动的，这也从另一个侧面验证了DDR2的需求开始出现下降。
上周我们谈到通过拉高价格达到出货DDR2的目的仍是近期厂商的主要手段，但是非常遗憾的是目前终端需求也明显难以支撑价格再继续上扬，上周的价格下滑已经宣告本次DDR2的单边上扬行情可能就此已经结束。
上周大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价格维持在290元附近。外围市场的DDR2颗粒价格同样出现小幅下滑走势，尾市1Gb品牌颗粒的价格跌至2.63美金。目前现货市场仍有不到30%左右的商家对后市持“偏多”看法，市场的热度较前期总体大幅降温。
由于DDR2的价格已经远高于各个厂家的成本，目前厂家的减产行动已经结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的供应将会逐步增加，价格的下滑压力将会逐步显现，也就是说11月中旬以后将是价格变化的关键时期。
基于以上基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风险较大，而短期价格可能出现宽幅震荡，前期的价格已经接近反弹的顶部区间的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会维持在260-295 元之间的区间内进行弱势盘整，并将风险预警级别继续维持在“高”。

结论：

未来两周：

首先我们维持认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高。鉴于目前DDR2价格已经大大超过DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们改持“中偏空”研判。
模组方面：短期改持“中性”或者“中偏软”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（270元－295元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破270元和涨过295元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计品牌1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.50－2.70美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.50美金和涨过2.70美金的机会都不大。
目前的风险已经开始明显加大，但是考虑到DRAM厂家尚未在获利价位以上大量出货套现，短期上游厂家将会维持在目前的价位附近继续震荡出货。
操作建议：以少量的库存，正常经营即可。不宜重仓操作，因为今年的牛市行情已经结束。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，市场进入淡季，商家普遍较为审慎。我们维持研判价格将会继续逐步震荡走软的研判，11月中旬前后将是Flash价格走向的关键期的研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
我们前面讲过，前期的价格高位震荡主要原因是厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。十一后Flash颗粒市场终端需求总体较差，而价格也就处于今年以来的相对高位，临近年底近期场商家开始逐步降低库存，导致投机和补货需求降温，于是十一后价格开始走软，并有机会继续走软。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本，促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，由于短线需求改善的机会不大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定。
中线Nand Flash的价格将可能会向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会逐步增大。操作上正常经营即可，继续维持11月份开始要注意规避可能出现的价格风险的风险提示。
十一后现货市场MicroSD同样需求不佳，白牌手机市场厂商基于成本考量，多数厂家随机暂时不配送卡，导致偏高的库存水位难以消化，商家出现的落袋为安和恐慌性抛货行动直接导致了近期MicroSD价格下跌走势，显示市场的实质需求难以支撑目前的高价位和消化目前供应量。虽然上周出现了有关三星同意下游合约客户可以延后提货的利好消息，价格也出现了一定程度的反弹，但是我们认为这无助于改变目前的总体供求关系，也就是说短期价格的震荡下滑将不可避免。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会缓慢下移，但是价格剧烈的波动性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测