上周回顾及下周走势分析

由于市场较为平静和需求不佳,上周现货市场的商家持续压低价格套现，DDR2价格出现重挫。其中KST 2GB DDR2 800的价格最低跌至232元，尾市价格出现超跌反弹走势,但是幅度就有限,价格收市收到245元附近。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也收低至2.28美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格也下跌至2.85美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格也同步出现了下跌。 上周Nand Flash颗粒价格的继续其下跌步伐,总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续。 上周现货市场MicroSD（T卡）价格结束反弹,开始继续下跌走势，其走势仍旧处于下跌通道里。由于需求不佳投机库存量仍难以得到有效消化，我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。

上周存储器走势回顾(2009.11.16-2009.11.22)

由于市场较为平静和需求不佳,上周现货市场的商家持续压低价格套现，DDR2价格出现重挫。其中KST 2GB DDR2 800的价格最低跌至232元，尾市价格出现超跌反弹走势,但是幅度就有限,价格收市收到245元附近。而eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也收低至2.28美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格也下跌至2.85美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格也同步出现了下跌。
上周Nand Flash颗粒价格的继续其下跌步伐,总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续。
上周现货市场MicroSD（T卡）价格结束反弹,开始继续下跌走势，其走势仍旧处于下跌通道里。由于需求不佳投机库存量仍难以得到有效消化，我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。
未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.11.23-2009.12.06)

DDR3：

由于相关配件价格的不断下滑,近期现货市场DDR3需求增长继续加速增长，DDR3需求占整个现货市场模组需求的比例已经上升到10%左右,换代的步伐明显快于以往任何一次换代，相信春节后DDR3就将会成为主流。
虽然上周DDR2的价格继续下跌，拉大了与DDR3的价差，但是已经难以改变其被加速淘汰的命运。由于DDR3与DDR2价格相近，且支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术上领先的DDR3的普及速度将加速进行并且不可逆转。我们维持DDR3的普及之旅已经开始，明年上半年成为主流的研判。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但是年底前OEM市场需求好坏和DRAM厂家产能的如何分配将是决定其价格走向的主导力量，但目前现货市场的需求好坏也开始对其产生影响了。

结论：

考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，而目前DDR3的价格总体仍偏高，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议。

DDR2：

形势在分析：
真如我们所预料的一样，上周DDR2价格出现大幅下跌，这一跌幅出乎大多数市场商家的预料。但有一点可以肯定的是这与大陆市场需求较差有直接原因，也就是大陆市场需求不佳跌直接带动全球市场的DDR2价格下跌。一般而言，未来2GB DDR2价格几乎没有可能再上260元以上的价位了。
由于外围市场的投机商基本上已经获利离场,大陆市场的多数大炒家离场观望,于是价格失去人为支撑开始大幅下滑，这与我们在10月份预测的结果基本一致，只是时间稍微延后一点而已，需要强调的是目前的库存主要集中在二三级经销商手中。
上周大陆现货市场的金士顿2GB DDR2内存成交价最低跌至232元附近后，出现了超跌反弹，价格尾市企稳在245元附近。外围市场的DDR2颗粒价格同样出现小幅下滑走势，尾市1Gb白板颗粒的价格跌至2.28美金。目前现货市场仅有不到15%左右的商家对后市持“偏多”看法，市场的热度较前期总体继续大幅降温。
由于DDR2的价格已经高于各个厂家的成本，厂家的减产行动已于9月份开始结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的供应逐步增加，价格的下滑压力会逐步显现。我们前期关于11月中旬以后将是价格变化的关键时期的研判，也就是下跌的机会较大，目前已经成为现实。
基于以上基本面，中期我们继续维持DDR2价格的风险较大，而短期价格可能会维持弱势窄幅震荡走势的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会维持在225-259 元之间的区间内进行弱势盘整，并将短期风险预警级别降低到“中”。
结论：
未来两周：
首先DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目抢反弹。鉴于目前DDR2价格已经大大超过DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏软”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（225元－259元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破225元和涨过259元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.10－2.35美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.10美金和涨过2.35美金的机会都不大。
目前的风险已经开始明显加大，考虑模组厂家的出货价格均开始下调，DDR2 2GB 模组的价格将难以重上260元。
操作建议：以少量的库存，正常经营即可。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，市场进入淡季，商家普遍较为审慎。我们维持研判Flash价格将会继续逐步震荡走软的研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
我们前面讲过，前期的价格高位震荡主要原因是厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。十一刚过Flash颗粒市场终端需求总体较差，而价格也就处于今年以来的相对高位，临近年底近期场商家开始逐步降低库存，导致投机和补货需求降温，于是十一后价格开始走软，未来有机会继续走软。
由于制程的微缩和提升的原因，颗粒成本再次出现下降，产能则由于支持微缩再次增加，而目前的售价已经高于厂家的原来变动成本，跟不要说新的制程产品的成本，因此价格下滑也是情理之中。我们认为在目前需求一般的情况下，由于短线需求改善的机会不大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定。
中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会逐步增大。操作上正常经营即可，继续维持11月份开始要注意规避可能出现的价格风险的风险提示。
十一后现货市场MicroSD同样需求不佳，白牌手机市场厂商基于成本考量，多数厂家随机暂时不配送卡，导致市场偏高的库存难以得到有效消化，商家出现了落袋为安行为和恐慌性抛货行动直接导致了近期MicroSD价格下跌走势，显示市场的实质需求难以支撑目前的高价位和消化目前库存量。虽然前一周价格出现了一定程度的反弹，但是这并无助于改变目前的总体供求关系，而上周的价格再次走软说明短期价格的震荡下滑仍不可避免。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，但是价格波动性较大的特性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测