上周回顾及下周走势分析
上周存储器走势回顾(2009.11.23-2009.11.29)
由于需求不佳市场较为平静,上周现货市场DDR2价格呈现超跌反弹后的窄幅震荡走势。其中KST 2GB DDR2 800的价格最低跌破230元后触底反弹,并围绕240元整数挂关卡展开盘整。颗粒方面，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也最低也收到2.05美金附近，Hynix 1Gb DDR2颗粒价格就跌至2.48美金。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格也下跌至2.75美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格也出现了下跌。
上周Nand Flash颗粒价格的继续其震荡下跌的步伐,总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续。
上周现货市场MicroSD（T卡）价格继续缓步下跌走势，尾市价格逐步企稳，呈现窄幅震荡走势。由于需求不佳而投机库存量仍难以得到有效消化，我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势。
未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.11.30-2009.12.13)
DDR3：
由于相关配件价格的不断下滑,近期现货市场DDR3需求增长继续加速，DDR3需求占整个现货市场模组需求的比例已经上升到20%多,换代的步伐明显快于以往任何一次换代，相信第二季度底前DDR3将会超越DDR2成为主流。
虽然上周DDR2价格的跌势趋缓，并与DDR3的价差保持在30元以上，但是已经难以改变其被加速淘汰的命运。由于DDR3与DDR2价格相差不多，且支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术上领先的DDR3的普及速度将加速进行并且不可逆转。我们维持DDR3的普及之旅已经开始，明年上半年成为主流的研判。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但是年底前OEM市场需求好坏和DRAM厂家产能的如何在DDR2和DDR3之间的产能分配将是决定其价格走向的主导力量，目前现货市场的需求好坏预计开始对其产生影响了。
由于12月份开好似支持DDR3的低价主板陆续开始上市，我们认为DDR3的普及速度可能将在明年1月份开始明显提速，也就是说DDR3在明年第二季度很大可能就会超过DDR2的份额。
结论：
考虑到现货市场在第四季度DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，而目前DDR3的价格总体仍偏高，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议，明年才是关注DDR3的时机。
DDR2：
形势在分析：
上周KST 2GB DDR2内存价格在240元附近企稳并展开盘整，这是大陆市场的价格出现严重超跌后，首次暂时企稳，但是未来走势仍要看颗粒是否能够在2美金止跌。一般而言，未来KST 2GB DDR2价格几乎没有可能再上260元以上的价位了。
颗粒价格方面，外围市场的DDR2颗粒价格继续小幅下滑走势。其中白板颗粒价格下跌态势明显。白板eTT 1Gb DDR2颗粒由于仅能在现货市场消化，价格下跌幅度明显大于可以进入OEM市场的品牌颗粒的跌幅，尾市1Gb白板颗粒的价格跌至2.05美金附近；Hynix 1Gb DDR2则小幅下跌至2.48美金附近。
由于DDR2的价格已经高于各个厂家的成本，厂家的减产行动已于9月份结束，逐步增产获得现金流入才是厂家目前的主要任务。11月份开始DDR2的白板颗粒的供应逐步增加，价格的下滑压力会逐步显现。我们前期关于11月中旬以后将是价格变化的关键时期的研判，也就是下跌的机会较大，目前已经成为现实。由于白板颗粒价格再次接近厂家的成本（1.50-1.80美金），相信未来一段时间DDR2的下跌势头将会明显减缓，并有机会出现宽幅震荡。
基于以上基本面，中期我们认为DDR2价格的风险已经大为降低，我们将中期风险级别降至“中”，而短期价格可能会维持弱势窄幅震荡走势的研判。未来两周多数品牌内存2GB价格运行区间将会维持在225-255 元之间的区间内进行弱势盘整。
结论：
未来两周：
首先DDR2的恐慌性下跌接近尾声，但是目前价位不宜盲目抢反弹。鉴于目前DDR2价格仍高于DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏软”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（225元－255元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破225元和涨过255元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.95－2.15美金之间区间弱势盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.95美金和涨过2.15美金的机会都不大。
目前的风险已经开始大为降低，考虑模组厂家的出货价格均开始下调，KST DDR2 2GB 模组的价格将难以重上260元。
操作建议：正常经营即可，以少量的库存，可少量波段操作。
Nand Flash：
上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，供应有所增加，而市场就进入淡季，商家普遍较为审慎。我们维持研判Flash价格将会继续逐步震荡走软的研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
我们前面讲过，前期的价格高位震荡主要原因是厂商前期减产导致的，并非需求因素导致的。近期由于中国联通的iPhone销售不佳导致苹果订单减少，进而导致苹果减少原来Flash采购量，而现货市场需求不佳等原因共同造成价格自十一以后开始一路下滑，预计短期仍难以改变这种趋势。
由于制程的微缩和提升的原因，颗粒成本再次出现下降，产能则由于支持微缩再次增加，而目前的售价已经高于厂家的原来变动成本，更不要说采用新制程生产的产品成本，因此价格下滑也是情理之中。我们认为在目前需求一般的情况下，由于短线需求改善的机会不大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定。产品价格的下滑对于增加市场对于Flash产品的需求有益，尤其对于SSD产品的普及有正面意义。
中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。操作上正常经营即可，继续维持11月份开始要注意规避可能出现的价格风险的风险提示。
十一后现货市场MicroSD同样需求不佳，白牌手机市场厂商基于成本考量，多数厂家随机暂时不配送卡，导致市场T卡价格前期出现了小幅下跌。随着价格的下滑，市场的库存得到一定程度的有效消化，近期价格有逐步趋稳的迹象，但受到供应增加的影响，这种暂时的趋稳走势相信并无助于改变目前的总体供求关系，中期价格的震荡下滑或仍不可避免，12月份的走势值得密切关注。
考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。
结论：
由于短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，但是价格波动性较大的特性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。
未来两周市场操作建议汇总：
DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。
下两周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
225-255 |
弱势区间震荡 |
|
主要品牌 |
2GB DDR3 1333 8C |
250-290 |
弱势区间盘整 |
下两周DRAM颗粒价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD1.95-2.15 |
弱势区间震荡 |
|
Hynix |
1Gb DDR3 1333 |
USD2.65-2.80 |
弱势区间盘整 |
关闭返回