上周回顾及下周走势分析

在现货市场补货需求和上游强力拉升愿望的带动下,上周现货市场DDR2价格继续呈现超跌反弹后走势,涨幅有所放大。其中KST 2GB DDR2 800的价格高价格曾一度触及264元后,并围绕260元整数关卡展开盘整。颗粒方面，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也最低曾跌到1.88美金附近，尾市受到大陆市场模组价格反弹的带动出现反弹,尾市收于1.99美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格就继续下跌至2.20美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格下跌至2.70美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格同步出现了轻微下跌。 上周Nand Flash颗粒价格的继续其震荡下跌的步伐,总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续。 上周现货市场MicroSD（T卡）价格继续缓步下跌走势，其中在周四受到采用TLC技术产品即将上市的影响，市场一度出现恐慌，价格出现跳水，但尾市价格逐步企稳并小幅反弹。由于需求不佳和采用新制和新技术产品的上市，我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势，短期呈现震荡下跌走势的机会偏大。

上周存储器走势回顾(2009.11.30-2009.12.06)

在现货市场补货需求和上游强力拉升愿望的带动下,上周现货市场DDR2价格继续呈现超跌反弹后走势,涨幅有所放大。其中KST 2GB DDR2 800的价格高价格曾一度触及264元后,并围绕260元整数关卡展开盘整。颗粒方面，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格也最低曾跌到1.88美金附近，尾市受到大陆市场模组价格反弹的带动出现反弹,尾市收于1.99美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格就继续下跌至2.20美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格下跌至2.70美金附近，受此影响DDR3 2GB模组价格同步出现了轻微下跌。
上周Nand Flash颗粒价格的继续其震荡下跌的步伐,总体走势仍偏软。临近年底，在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期这种走势或继续。
上周现货市场MicroSD（T卡）价格继续缓步下跌走势，其中在周四受到采用TLC技术产品即将上市的影响，市场一度出现恐慌，价格出现跳水，但尾市价格逐步企稳并小幅反弹。由于需求不佳和采用新制和新技术产品的上市，我们预计短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势，短期呈现震荡下跌走势的机会偏大。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.07-2009.12.20)

DDR3：

由于相关配件价格的不断下滑,现货市场DDR3需求增长继续加速，DDR3需求占整个现货市场模组需求的比例已经上升到约25%左右,换代的步伐明显快于以往任何一次换代，相信明年第二季度底前DDR3将会超越DDR2成为主流。
一方面，上周DDR2价格出现反弹，并与DDR3的价差缩小至不到15元，价差的缩小更加会加速其被加速命运；另一方面支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术上领先的DDR3的普及速度将加速进行并且不可逆转。我们继续维持DDR3在明年上半年成为主流的研判。
近期所有DRAM厂家均在加速转产DDR3或增加DDR3的产能，有关DRAM厂家未来无论DDR2的价格如何变化均不会再将产能转回去生产DDR2，因此在未来一个季度DDR3的产量将会大幅增加，DDR2的产能则将持续减少。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但目前现货市场的DDR3需求好坏预计开始对其的价格产生影响了。
由于12月份开好支持DDR3的低价主板（不到300元）将陆续开始上市，我们认为DDR3的普及速度可能将在明年1月份开始明显提速，也就是说DDR3在明年第二季度很大可能就会超过DDR2的份额。

结论：

考虑到现货市场在12月份DDR3的需求增加有限，而第四季度传统上价格会有所下跌，而目前DDR3的价格总体仍偏高且产能增加较快，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议，明年才是关注DDR3的时机。

DDR2：

形势分析：

上周KST 2GB DDR2内存价格在前期下跌后出现了幅度最大的反弹，尾市价格稳定在262元附近，尽管如此DDR2未来的走势仍要看颗粒是否能够在2美金附近止跌。一般而言，未来KST 2GB DDR2价格站稳260元以上的价位机会仍不大，换句话讲260元以上的价格是危险区域。
颗粒价格方面，外围市场的DDR2颗粒价格周初继续小幅下滑走势，尾市跟随大陆市场的模组价格反弹而反弹。其中白板颗粒价格最低跌至1.88美金附近，平均成交价格在1.90美金附近，尾市价格出现反弹，白板的颗粒成交价格随之上升到接近2美金的价格。值得注意的是Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的价格一路下跌到不到2.20美金的价位，未见反弹。
上一期我们谈到，由于白板颗粒价格再次接近厂家的成本（1.50-1.80美金），相信未来一段时间DDR2的下跌势头将会明显减缓，并有机会出现宽幅震荡，也就是上下震荡幅度较大，上周的反弹就是宽幅震荡的一种表现，但是已经接近反弹的极限价位。
基于以上基本面，中期我们认为DDR2价格的风险已经大为降低，我们将中期风险级别继续维持在“中等”，而短期价格可能会维持弱势窄幅震荡走势的研判。未来两周，多数品牌内存2GB价格运行区间将会维持在230-260 元之间的区间内进行弱势盘整。

结论：

未来两周：

上周的校服反弹预示着DDR2的恐慌性下跌已经结束，但是目前价位仍不宜盲目抢反弹。鉴于目前DDR2价格仍高于DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们仍维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏软”的研判，多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持（230元－260元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破230元和涨过260元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.90－2.10美金之间区间弱势盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.90美金和涨过2.10美金的机会都不大。
目前的风险已经开始大为降低，考虑模组厂家的出货价格均开始下调，KST DDR2 2GB 模组的价格将仍难以站稳260元。
操作建议：正常经营即可，以少量的库存，可少量波段操作，下跌时注意择机吸纳，上涨时择机出货，年底前难有大的行情。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏软的区间震荡走势，由于生产制程的提升、TLC技术的采用，直接导致了成本下滑和产能的提升，最终均导致供应的增加。由于市场目前需求一般，市场商家普遍较为审慎。我们继续维持Flash价格将会继续逐步震荡走软的研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
上周三星宣布已经量产32nm 的TLC Nand Flash无疑是一枚重磅炸弹，我们知道所谓的TLC就是一个单元存储三个字节，而MLC则是两个字节，最早的SLC就是一个字节。TLC的量产和控制芯片的解决意味着未来采用TLC的低端产品将会大量上市。
NAND Flash技术从最早期的SLC(Single-Level Cell)世代，1个记忆体储存单元(cell)存放1位元(bit)的资料，到MLC(Multi-Level Cell)中，1个记忆体储存单元存放2位元，一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代，1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降，也使得快闪记忆卡，尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。
以4GB容量的小型记忆卡microSD为例，目前普遍作法都是用2颗16Gb晶片去堆叠，在堆叠的过程中，良率会降低，但如果用1颗32Gb的TLC晶片去生产4GB容量的小型记忆卡，成本结构会较划算，因此三星电子(Samsung Electronics) 32Gb的TLC晶片量产，有助于扩大小型记忆卡市场的市占率。
尤其是三星的32奈米TLC晶片量产后，生产4GB容量的小型记忆卡microSD只要用1颗32Gb的TLC晶片即可，但其他竞争对手还在用2颗16Gb晶片去堆叠，良率自然不如三星，有助于三星在小型记忆卡上大抢市占率，而2009年在microSD产品上一直拿不足货的下游厂，2010年可趁势扳回一城。
三星(Samsung)已经开始采用30奈米制程量产32Gbit NAND快闪记忆体，MLC技术就在其中扮演关键角色；当每个记忆体单元能储存3位元(bit)或是一个位元组(byte)的容量，就能把4Gbit的阵列转变为32Gbit的记忆体。
由于制程的微缩和技术提升的原因，颗粒成本再次出现下降，产能则由于制程微缩再次增加，目前的售价已经高于厂家的原来变动成本，更不要说采用新制程生产的产品成本，因此价格下滑也不可避免。
我们维持在目前需求一般的情况下，短线需求大幅改善的机会不大，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的竞争策略所决定。
产品价格的下滑对于增加市场对于Flash产品的需求有益，尤其对于SSD产品的普及有正面意义。
中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。操作上正常经营即可，继续维持11月份开始要注意规避可能出现的价格风险的风险提示。
由于多数白牌手机生产厂家生产的低价手机随机暂时不配送卡，导致大陆市场T卡价格需求大幅萎缩，尤其低阶卡。需求的下滑直接导致了前期价格的下跌，随着价格的下滑市场的库存得到有效消化，近期价格反弹频率加快，但受到颗粒价格的下滑和供应增加的影响，相信中期价格的震荡下滑或仍不可避免。
考虑到山寨手机随机赠卡需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计未来一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势，尤其是低价卡的需求。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域的下边沿，维持正常库存的情况下，正常经营即可，操作上注意规避风险！
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，但是价格波动性较大的特性不会改变，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测