上周回顾及下周村暑期走势分析

上周现货市场的DDR2内存价格再次出现了过山车行情,价格上下剧烈波动。周初在投机炒作需求的带动下,KST 2GB内存的价格两天之内最高飙升至287元,随后市场出现了明显的套利行为,价格随即跌破270元关卡,最低时曾触及265元以下价位，但是周末再现前期周末常见的一股奇怪的收货力量，价格又上升到275元附近。颗粒方面，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格跟随大陆市场的价格先上后下，价格先升至2.35美金，后跌至2.28美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格就下跌至2.39附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价总体维持稳定；DDR3 1333 2GB模组价格同样维持窄幅盘整。 上周Nand Flash颗粒价格呈现企稳偏强的盘整，这是累计跌幅较大的情况下出现的正常反弹。在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期震荡偏软走势短期仍难以改变。 由于现货市场的库存得到有效消化导致补货需求出现，上周现货市场MicroSD（T卡）价格出现了明显的超跌反弹走势，尾市价格呈现相对稳定的盘整走势。尽管如此我们仍然维持短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势，年底前震荡下跌走势的机会偏大。

上周存储器走势回顾(2009.12.07-2009.12.13)

上周现货市场的DDR2内存价格再次出现了过山车行情,价格上下剧烈波动。周初在投机炒作需求的带动下,KST 2GB内存的价格两天之内最高飙升至287元,随后市场出现了明显的套利行为,价格随即跌破270元关卡,最低时曾触及265元以下价位，但是周末再现前期周末常见的一股奇怪的收货力量，价格又上升到275元附近。颗粒方面，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格跟随大陆市场的价格先上后下，价格先升至2.35美金，后跌至2.28美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格就下跌至2.39附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价总体维持稳定；DDR3 1333 2GB模组价格同样维持窄幅盘整。
上周Nand Flash颗粒价格呈现企稳偏强的盘整，这是累计跌幅较大的情况下出现的正常反弹。在市场需求一般和上游供应加大等多种因素作用下，预计短期震荡偏软走势短期仍难以改变。
由于现货市场的库存得到有效消化导致补货需求出现，上周现货市场MicroSD（T卡）价格出现了明显的超跌反弹走势，尾市价格呈现相对稳定的盘整走势。尽管如此我们仍然维持短期难以改变MicroSD产品需求疲软这种颓势，年底前震荡下跌走势的机会偏大。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.14-2009.12.27)

DDR3：

由于相关配件价格的不断下滑,现货市场DDR3需求增长继续加速，DDR3需求占整个现货模组市场需求的比例已经上升到15%-25%,相信明年第二季度底前DDR3将会超越DDR2成为主流。
一方面由于多数品牌的DDR2价格与DDR3的价差缩小至不到15元，价差的缩小将会加速DDR2被淘汰的命运；另一方面支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术上领先的DDR3的普及速度加速并且不可逆转。
近期所有DRAM厂家均在加速由DDR2转产DDR3的进度，今后并且即使DDR2的价格出现上升，DRAM厂家未来也不会再将DDR3产能转回去生产DDR2，因此在未来一个季度（明年第一季度）DDR3的产量将会大幅增加，而DDR2的产能则将持续减少。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持自11月中旬开始现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，目前现货市场的DDR3需求好坏预计开始对其的价格产生一定的影响。
由于12月底前支持DDR3的低价主板（不到300元）将陆续开始上市，我们认为DDR3的普及速度可能将在明年1月份开始明显提速，也就是说DDR3在明年第二季度很大可能就会超过DDR2的市场份额，但是第一季度由于DDR3产能持续开出，但是需求增加不明显，到时价格将会面临压力。

结论：

考虑到现货市场12月份DDR3的需求增加有限，第四季度传统上价格会有所下跌，目前DDR3的价格总体仍偏高且产能增加较快，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议，春节后才是关注DDR3的时机。

DDR2：

形势分析：

上周KST 2GB DDR2内存价格剧烈波动，先是大幅上涨，然后又急速下滑，后周六、周日利用消息面的空窗期将价格小幅拉升，尾市KST 2GB DDR2价格在275元附近企稳。我们维持KST 2GB DDR2价格站稳260元以上是危险区域的研判不变。
颗粒价格方面，外围市场的DDR2颗粒价格基本跟随大陆市场的模组价格走势，周初反弹周末下滑。其中白板颗粒价格最周初涨至2.35美金附近，周末跌至2.28美金附近。Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的价格也是先升至2.45美金后又跌至2.39美金。
近期金士顿的DDR2代理价格较为坚挺，其向现货市场供应的货也不多，这与金士顿的以往销售策略有所不同。金士顿的做法可能源于以下几种可能，一种可能是金士顿判断未来的颗粒价格将会维持坚挺，下跌空间不大；另外一种可能性是金士顿为了拉台系DRAM厂商一把,希望将现货市场的价格维系在高位，借此帮助以现货市场为主的台系厂商能够获利丰厚，并度过难关。我们认为后一种可能性更大一些。
上一期我们谈到，由于白板颗粒价格再次接近厂家的成本（1.50-1.80美金），相信未来一段时间DDR2的下跌势头将会明显减缓，并有机会出现宽幅震荡，也就是上下震荡幅度较大，上周的反弹就是宽幅震荡的一种表现，但是已经接近反弹的极限价位。
基于以上基本面，中期我们认为DDR2价格的风险仍偏高但已降低，我们将中期风险级别继续维持在“中等”，而短期价格可能会维持弱势窄幅震荡走势的研判。未来两周，多数品牌内存2GB价格运行区间将会维持在240-270 元之间的区间内进行弱势盘整。

结论：
未来两周：

DDR2的恐慌性下跌已经结束，由于目前的DDR2的走势较为诡异,至少目前价位上仍不宜盲目抢反弹，未来下跌压力仍偏大。鉴于目前DDR2价格仍远高于DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们仍维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏软”的研判，多数品牌DDR2 2GB内存价格短期将维持在（240元－270元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破240元和涨过270元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.10－2.30美金之间区间弱势盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.10美金和涨过2.30美金的机会都不大。
目前的风险已经开始降低，考虑颗粒成本已经大为下滑，模组厂家的成本也已下滑，未来KST 2GB DDR2 模组的价格将仍难以站稳260元以上价位。
操作建议：正常经营即可，以少量的库存，可少量波段操作，下跌时注意择机吸纳，上涨时择机出货，年底前难有大的行情。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持轻微偏强的区间震荡走势，由于前期累计跌幅较大,在市场库存有限和商家回补库存等实质因素影响下，外加技术上有反弹的要求，导致包括颗粒和T卡的价格价格出现反弹实属正常。
由于Flash厂家生产制程的提升和TLC技术的采用，直接导致了成本下滑和产能的提升，并形成供应的增加，而要消化增加的供应单纯靠现有的需求来消化这些增加容量显然是不现实的。相信加快SSD的市场推广和普及将是厂家不二的选择，当然价格的下滑是关键。
但是考虑到由于市场处于淡季，总体的需求一般，现货市场库存水位不高和邻近年底市场商家普遍较为审慎等因素，我们继续维持Flash价格将会继续逐步震荡走软这种研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
NAND Flash技术从最早期的SLC世代，1个记忆体储存单元(cell)存放1位元(bit)的资料，到MLC中，1个记忆体储存单元存放2位元，一直到2009年TLC时代，1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降，也使得快闪记忆卡，尤其是小型记忆卡MicroSD的容量越来越大。
以4GB容量的小型记忆卡MicroSD为例，目前普遍作法都是用2颗16Gb晶片去堆叠，在堆叠的过程中，良率会降低，但如果用1颗32Gb的TLC晶片去生产4GB容量的小型记忆卡，成本结构会较划算，因此三星电子 32Gb的TLC晶片量产，有助于扩大小型记忆卡市场的市占率。
尤其是三星的32奈米TLC晶片量产后，生产4GB容量的小型记忆卡microSD只要用1颗32Gb的TLC晶片即可，但其他竞争对手还在用2颗16Gb晶片去堆叠，良率自然不如三星，有助于三星在小型记忆卡上大抢市占率，而2009年在microSD产品上一直拿不足货的下游厂，2010年可趁势扳回一城。
三星(Samsung)已经开始采用30奈米制程量产32Gbit NAND快闪记忆体，MLC技术就在其中扮演关键角色；当每个记忆体单元能储存3位元(bit)或是一个位元组(byte)的容量，就能把4Gbit的阵列转变为32Gbit的记忆体。
由于制程的微缩和技术提升的原因，颗粒成本再次出现下降，产能则由于制程微缩再次增加，目前的售价已经高于厂家的原来变动成本，更不要说采用新制程生产的产品成本，因此价格下滑也不可避免。
我们维持在目前需求总体不变的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的竞争策略所决定，就目前的情况来看仍是震荡下跌的机会大于震荡上涨的机会。
中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。
由于多数白牌手机生产厂家生产的低价手机随机暂时不配送卡，导致大陆市场T卡价格需求大幅萎缩，尤其低阶卡。需求的下滑直接导致了前期价格的急速下跌，随着价格的下滑市场的库存得到有效消化，近期价格反弹频率开始增加，幅度也加大。但是考到年底将至预计短期震荡下跌的格局仍难以改变，明年年初才会企稳。
考虑到山寨手机随机赠卡需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，预计年底前一段时间价格总体维持松动的机会较大。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势，尤其是低价卡的需求。随着低阶手机取消赠送卡以及智能手机的陆续上市，明年主流卡的容量将会大幅增加到2GB或以上。

结论：

由于年底前通路较为保守以及短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域的下边沿，维持正常库存的情况下，正常经营即可。
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，随着价格的下滑，价格波动性明显加大，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	255-275	弱势区间震荡
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	265-285	弱势区间盘整

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.10-2.30	弱势区间震荡
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.50-2.70	弱势区间盘整