上周回顾及下周走势分析

尽管需求一般，但受到金士顿内存供应有限和价格稳定的影响,上周现货市场的DDR2内存价格呈现窄幅盘整走势，多数品牌的价格稳定在260-285元之间的区间内震荡。DDR2颗粒价格则脱离模组走势逐步走软，其中eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格则逐步走软至2.27美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格下跌至2.34美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格走软至2.45美金附近；DDR3 1333 2GB模组价格轻微走软。 在现货市场的库存有限和补货需求影响下，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现偏强的盘整走势，尾市有所偏软；MicroSD（T卡）价格也呈现偏强的盘整走势。

上周存储器走势回顾(2009.12.14-2009.12.20)

尽管需求一般，但受到金士顿内存供应有限和价格稳定的影响,上周现货市场的DDR2内存价格呈现窄幅盘整走势，多数品牌的价格稳定在260-285元之间的区间内震荡。DDR2颗粒价格则脱离模组走势逐步走软，其中eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格则逐步走软至2.27美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格下跌至2.34美金附近。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格走软至2.45美金附近；DDR3 1333 2GB模组价格轻微走软。
在现货市场的库存有限和补货需求影响下，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现偏强的盘整走势，尾市有所偏软；MicroSD（T卡）价格也呈现偏强的盘整走势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.21-2010.1.3)

DDR3：

由于相关配件价格的不断下滑和DDR3与DDR2模组价格的接近,现货市场DDR3需求增长继续加速，DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例已经上升到15%-25%,相信明年第二季度底前DDR3将会超越DDR2成为主流。
由于多数品牌DDR3的价格与DDR2的价差缩小至不到15元，价差的缩小将会加速DDR2被淘汰的命运；支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术上领先的DDR3的普及加速并且不可逆转。
近期所有DRAM厂家均在加速由DDR2转产DDR3的进度，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，并且DRAM厂家未来也不可能再将DDR3产能转回去生产DDR2，因此在未来一个季度（明年第一季度）DDR3的产量将会大幅增加，而DDR2的产能则将持续减少，未来这将导致DDR3的价格下滑和DDR2的价格先对抗跌。
由于12月份开好支持DDR3的低价主板（不到300元）将陆续开始上市，我们认为DDR3的普及速度可能将在明年1月份开始明显提速，也就是说DDR3在明年第二季度很大可能就会超过DDR2的市场份额，但是第一季度由于DDR3产能持续开出，但是需求增加不明显，到时价格将会面临压力。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但是就处于起步阶段。

结论：

考虑到现货市场12月份DDR3的需求增加有限、目前DDR3的价格总体仍偏高和近期产能增加较快，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议，春节后才是关注DDR3的时机。

DDR2：

形势分析：
上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格相对比较稳定，KST 2GB DDR2价格在278-285元之间窄幅盘整；其它品牌的2GB DDR2价格也多在260-275之间窄幅盘整。
颗粒价格方面，外围市场的DDR2颗粒价格没有跟随大陆市场的模组价格走势，价格逐步走软。其中白板颗粒价格周末跌至2.27美金附近。Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的价格则至2.35美金，跌幅大于白板颗粒。
近期金士顿的DDR2价格反常上涨后，价格极为坚挺的怪异走势引起业内人士的各种猜测。我们认为各种原因兼而有之，首先是金士顿在前一波反弹时，在高位进货，但随后价格急速下滑导致导致金士顿这批货高位被套，为了避免亏损金士顿就一直维持高价至今，高位逐步震荡出货；其次为了拉台系DRAM厂商一把,希望将现货市场的价格维系在高位，借此帮助以现货市场为主的台系厂商能够获利丰厚一些，并度过难关；再次可能是金士顿判断未来的颗粒价格将会维持坚挺，下跌空间不大。
但是无论何种原因，我们都认为在颗粒价格实际下滑的情况下，金士顿的价格继续维持高位都是暂时的和不可持续的，或许他们在等待圣诞假期后的欧美补货需求和大陆市场应对春节的补货潮。
目前白板1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本大约为（1.30-1.80美金），而目前白板颗粒的售价多在2.25美金附近的价位，相信未来一段时间DDR2的仍有下跌空间但下跌速度就维持缓慢。考虑到需求和产能同步减少等原因，当价格跌至2美金附近时有机会开始维持窄幅盘整，那时的总体涨跌震荡幅度将不大，只是个别时段会偏大。

结论：
未来两周：
由于目前的DDR2的走势较为诡异,目前价位上仍不宜盲目抢反弹，未来下跌压力仍偏大。鉴于目前DDR2价格仍远高于DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们仍维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或者“中偏软”的研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格短期将维持在（255元－285元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破255元和涨过285元。
颗粒方面：我们维持“中性”或者“中偏软”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.10－2.30美金之间区间弱势盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.10美金和涨过2.30美金的机会都不大。
目前的风险处于中位，考虑颗粒变动成本已经大为下滑，模组厂家的新一批的内存成本也已下滑，未来KST 2GB DDR2 模组的价格将仍难以站稳260元以上价位。
操作建议：正常经营即可，以少量的库存，可少量波段操作，下跌时注意择机吸纳，上涨时择机出货，年底前难有大的行情。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持轻微偏强的窄幅区间震荡走势，在市场库存有限和商家回补库存等实质因素影响下，导致包括颗粒和T卡在内的价格价格均呈现偏强的窄幅区间盘整走势。
由于Flash厂家生产制程的提升和TLC技术的采用，直接导致了成本下滑和产能的提升，并形成供应的增加，而要消化增加的供应单纯靠现有的需求来消化这些增加容量显然是不现实的。相信未来通过降价来启动SSD的市场将是厂家不二的选择。
TLC的产品主要将会集中用于在低端市场产品里，而其中又以T卡为主，所以未来T卡的价格将会面临一定的压力和市场也面临比较大变数。TLC产品的生产也将会挤压Flash其它产品的产能，并将可能导致高端产品的产能减少，到时高端产品可能会由于供求紧张导致价格出现上涨。
但是考虑到由于市场处于淡季，总体的需求一般，现货市场库存水位不高和邻近年底市场商家普遍较为审慎等诸多因素，我们继续维持Flash价格将会继续逐步震荡走软这种研判，但是需要强调的是不会出现以往的崩盘走势。
在目前需求总体不变的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的竞争策略所决定，就目前的情况来看仍是震荡下跌的机会大于震荡上涨的机会。中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。
由于T卡市场的投机需求依然较为活跃，T卡市场的去库存化的行动尚未结束，预计在农历新年前才会完全结束，到时大陆市场的T卡价格将会真正触底，年后采用TLC技术的低价卡大量上市后将会价格将面临第二次的底部确认。

结论：

由于年底前通路较为保守以及短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域的下边沿，维持正常库存的情况下，正常经营即可。
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，随着价格的下滑，价格波动性明显加大，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测