上周回顾及下周存储器走势分析

在欧美和香港市场处于圣诞假期及颗粒供应减少等因素影响下,1Gb DDR2颗粒的价格小幅上扬至2.50-2.60美金之间，其中eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格逐步走强至2.50美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格升至2.58美金附近。受此影响，大陆市场的品牌DDR2内存价格也出现小幅上扬走势，多数品牌的价格攀升至265-290元之间的区间内震荡。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格走强至2.60美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组价格则走强至285-310元之间。 在现货市场的库存有限和补货需求共同影响下，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现涨跌互现的盘整走势，其中高阶轻微走软，中阶持稳，低阶轻微走强；MicroSD（T卡）价格则呈现先强后软的偏软盘整走势。

上周存储器走势回顾(2009.12.21-2009.12.27)

在欧美和香港市场处于圣诞假期及颗粒供应减少等因素影响下,1Gb DDR2颗粒的价格小幅上扬至2.50-2.60美金之间，其中eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格逐步走强至2.50美金附近；Hynix 1Gb DDR2颗粒价格升至2.58美金附近。受此影响，大陆市场的品牌DDR2内存价格也出现小幅上扬走势，多数品牌的价格攀升至265-290元之间的区间内震荡。品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格走强至2.60美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组价格则走强至285-310元之间。
在现货市场的库存有限和补货需求共同影响下，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现涨跌互现的盘整走势，其中高阶轻微走软，中阶持稳，低阶轻微走强；MicroSD（T卡）价格则呈现先强后软的偏软盘整走势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2009.12.28-2010.1.10)

DDR3：

由于DDR3相关配件价格的不断下滑和与DDR2模组价格的接近,现货市场DDR3需求继续增长，DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例维持在15%-25%之间,相信明年第二季度底前DDR3市场份额将会超越DDR2成为主流。
由于多数品牌DDR3的价格与DDR2的价差缩小至不到15元，价差的缩小将会加速DDR2被淘汰的命运；支持DDR3相关配套产品价格持续下滑，技术领先的DDR3将加速普及并且不可逆转。
近期所有DRAM厂家均在加速由DDR2转产至DDR3的进度，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，并且转产后DRAM厂家将不会再将DDR3的产能转回去生产DDR2，因此明年第一季度DDR3的产量将会逐步增加，而DDR2的产能则将持续减少，这将导致DDR3的价格下滑和DDR2的价格先对抗跌。
一月份由于是年前最后一个月，需求相对要好一些，并且部分商家还有节前备货习惯和需求，加之目前的现货市场的库存有限和价格维持在高位，1月中旬前上游厂商基于等待补货需求的到来的心理，不会主动下调价格，维持稳定的价格的机会较大。但是如果到中旬前时补货需求不如预期的话，一月中旬后价格再次下滑的机会将偏大。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但是目前仍处于起步阶段。

结论：

考虑到现货市场春节前DDR3的需求增加有限、目前DDR3的价格总体仍偏高和近期产能增加较快，我们继续维持不宜投机DDR3，正常操作的建议，春节后才是关注DDR3的合适时机。

DDR2：
形势分析：

上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格小幅上扬，KST 2GB DDR2价格上升至288元附近盘整；其它品牌的2GB DDR2价格也多在265-280之间窄幅盘整，这主要是受到外围颗粒价格上涨的激励。
颗粒价格方面，由于外围市场在圣诞假期期间供应有限，DDR2颗粒价格出现明显的上扬走势。其中白板颗粒价格周末上升至2.50美金附近，Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的价格则升至2.58美金附近。
一般情况下，一月上旬价格出现稳定走势的机会较大，这主要因为大陆现货市场的库存水位比较低和外围市场对于年前大陆市场的补货需求有所期待，在此期间卖方将会维持价格在高位等待，因此价格维持盘整的机会偏大；而中旬以后走势将会趋于明朗，上涨还是下跌将会选择方向，一般而言淡季市场压力将会渐增，价格持续上涨的机会并不大。
目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约为（1.30-1.80美金），而目前白板颗粒的售价多在2. 50美金附近，相信未来一段时间DDR2的下跌机会逐步增大。考虑到需求和产能同步减少等原因，当价格跌至2美金附近时有机会开始维持窄幅盘整走势，那时的总体涨跌幅度将不大，只是个别时段会偏大。

结论：
未来两周：

由于目前的DDR2的走势较为诡异,目前价位上仍不宜盲目抢反弹，未来下跌压力偏大、风险也偏大。鉴于目前DDR2价格仍远高于DRAM厂家的成本，对于DDR2的长线走势我们仍维持“中偏空”研判。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏空”的研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格短期将维持在（265元－295元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破265元和涨过295元。
颗粒方面：我们维持“中性”或“中偏空”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.30－2.55美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.30美金和涨过2.55美金的机会都不大。
目前的风险处于高位，考虑颗粒变动成本已经大为下滑，模组厂家的新一批的内存成本也已下滑，未来KST 2GB DDR2 模组的价格将仍难以站稳260元以上价位。
操作建议：正常经营即可，维持少量的库存即可。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持窄幅区间震荡走势，在市场库存有限、年底补货需求和商家回补库存等实质因素影响下，颗粒价格呈现区间盘整走势，T卡价格也呈现的窄幅区间盘整走势，但具体就表现为先涨后软尾市企稳。
由于Flash厂家生产制程的提升和TLC技术的采用，将导致变动成本的下降和产能的提升，并形成实质的供应的增加，加之主要Flash生产厂家也均计划明年大幅增加Flash产能，因此单靠正常的市场正常需求和增量需求来消化这些增加产能显然是不现实的。未来厂家均将希望寄希望于启动SSD的市场，而SSD也是未来对Flash潜在得需求增长最大的产品之一，但是SSD市场启动的前提条件就是价格的下跌，也就是说明年Flash的价格下跌将是大概率时间。
在目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的竞争策略所决定，就目前的情况来看仍是震荡下跌的机会大于震荡上涨的机会。中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。
由于T卡市场的投机需求依然较为活跃，T卡市场的去库存化的行动尚未结束，预计在农历新年前才会完全结束，到时大陆市场的T卡价格将会真正触底；但是年后当采用TLC技术的低价卡大量上市后，市场的价格才将会有第二次触底的可能性。

结论：

由于年底前通路较为保守以及短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中性”或“中偏软”的研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域的下边沿，维持正常库存的情况下，正常经营即可。
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移，随着价格的下滑，价格波动性明显加大，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主。
DDR3：正常经营为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主。

下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	265-295	区间震荡
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	285-315	区间盘整

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.30-2.60	区间震荡
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.45-2.65	区间盘整