上周回顾及下周走势分析

由于需求疲软和产能增加,上周现货市场的DDR2价格总体走软。其中品牌1Gb DDR2颗粒的价格小幅下跌至2.43美金附近，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格小幅跌至2.29美金附近。大陆市场的品牌DDR2内存的价格总体也呈现小幅下滑走势,其中除金士顿2GB DDR2的价格跌至260元附近，而其他多数品牌的价格多跌至250-260元之间的区间内。由于供应有限和需求增长，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格上周继续小幅上扬，其中品牌颗粒1Gb 颗粒的价格升至3.10美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组的价格则走强至305-330元之间。 上周现货市场需求一般，导致Nand Flash颗粒价格总体呈现区间盘整走势。由于市场库存水位不高，MicroSD（T卡）价格出现小幅上扬走势。

上周存储器走势回顾(2010.01.11-2010.01.18)

由于需求疲软和产能增加,上周现货市场的DDR2价格总体走软。其中品牌1Gb DDR2颗粒的价格小幅下跌至2.43美金附近，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格小幅跌至2.29美金附近。大陆市场的品牌DDR2内存的价格总体也呈现小幅下滑走势,其中除金士顿2GB DDR2的价格跌至260元附近，而其他多数品牌的价格多跌至250-260元之间的区间内。由于供应有限和需求增长，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格上周继续小幅上扬，其中品牌颗粒1Gb 颗粒的价格升至3.10美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组的价格则走强至305-330元之间。
上周现货市场需求一般，导致Nand Flash颗粒价格总体呈现区间盘整走势。由于市场库存水位不高，MicroSD（T卡）价格出现小幅上扬走势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2010.01.18-2010.01.31)

DDR3：

由于DDR3相关配件价格的不断下滑及其性能上的优势,现货市场DDR3需求继续增长，DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例上升到25%到30%之间。相信现货市场在第一季度末前DDR3的市场份额将会增加到35%-40%之间,第二季度底前DDR3市场份额将会超越DDR2成为市场主流。
由于市场需求上升和DDR3的生产厂家相对较少、产能相对需求有所不足，导致近期DDR3的颗粒价格出现了明显的上升。上周Hynix 1Gb DDR3 颗粒的价格小幅上扬至3.10美金附近；而品牌2GB DDR3模组价格也攀升至320-330元之间。
近期所有DRAM厂家均在加速由DDR2转产至DDR3的进度，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，并且转产后DRAM厂家将不会再将DDR3的产能转回去生产DDR2，因此第一季度DDR3的产量将会逐步增加，而DDR2的产能则将持续减少，这将导致未来中线DDR3的价格下滑和DDR2的价格先对抗跌。由于白板DDR3已经陆续上市、良率也在不断提升中，预计近期的DDR3上涨势头已经接近结束。
上周我们谈到，1月中旬前上游厂商基于等待补货需求的到来的心理，不会主动下调价格，维持稳定的价格的机会较大；但是如果到中旬前后的补货需求不如预期的话，春节前价格再次下滑的机会将偏大。上周的DDR2价格下跌就是预兆，同样DDR3在未来两周的走势将会比较敏感。
总体而言，农历年底前现货市场DDR3需求仍处于启动阶段，我们维持现货市场DDR3需求开始加速增长的研判，但是目前仍处于起步阶段。

结论：
DDR3的上周势头接近尾声，建议获利了结，操作上维持正常合理库存即可。

DDR2：

形势分析：

上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格尾市出现小幅下挫，其价格最低跌至258元附近后逐步反弹至260元附近盘整；其它品牌的2GB DDR2价格也多走软至250-260之间窄幅盘整，这主要是受到消息面的负面影响。
年底做账结束后，上游白板颗粒厂家出货意愿明显加强。其中白板颗粒价格跌至2.29美金附近，Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的价格跌至2.43美金附近。
上周我们谈到，由于上游生产厂家均对大陆市场的节前补货需求抱有一定的希望，因此一月中旬前后实际补货需求的明朗后，未来的价格走势才会趋于明朗，上涨还是下跌将会选择方向，因此未来两周将是关键期。一般而言淡季市场压力将会渐增，DDR2价格持续上涨的机会并不大，最好也是维持区间盘整，上周的价格走软就不是一个好的兆头。
目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约为（1.30-1.80美金），而目前白板颗粒的售价多在2. 30美金附近，相信未来一段时间DDR2仍存在下跌空间且机会偏大。考虑到需求和产能同步减少等原因，当价格跌至2美金附近时将会遇到支撑，并开始有机会展开窄幅盘整走势。

结论：

未来两周：
基于目前的DDR2的变动成本和供求关系,未来下跌压力仍相对偏大一些，对于DDR2的长线走势我们仍维持“中偏空”研判，也就是缓慢的震荡下跌走势的机会偏大。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏空”的研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格短期将维持在（240元－265元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破240元和涨过265元。
颗粒方面：我们维持“中性”或“中偏空”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.10－2.35美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.10美金和涨过2.35美金的机会都不大。
目前的风险仍处于高位，考虑颗粒变动成本已经大为下滑，中、长线KST 2GB DDR2模组的价格将仍难以站稳260元以上价位。
操作建议：正常经营即可，维持少量的库存即可，短期也可视情况波段操作。

Nand Flash：

由于库存水位不高，上周的Nand Flash价格总体继续维持在既有区间内盘整。而T卡价格则由于市场库存偏低等原因，导致价格呈现偏强的窄幅区间盘整走势。
上游厂家和通路商均在等待大陆市场的节前补货高潮出现，由于目前距离春节不到1个月时间,商家时间补货的时间不到三周,因此预计未来两周内走势将会趋于明朗，价格将会选择的突破方向。
由于Flash生产厂家制造制程的提升和TLC技术的采用，将导致生产成本的下降和产能的提升，并形成实质的供应的增加；加之主要Flash生产厂家均计划今年大幅增加Flash产能，因此单靠正常的市场需求和增量需求来消化这些增加产能显然是不现实的。未来厂家均将希望寄希望于启动SSD的市场，而SSD是未来Flash潜在需求增长最大产品，但是SSD市场启动的前提条件就是价格的下跌，因此今年Flash的价格总体下跌将是大概率事件，这也符合市场规律。
在目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能和市场竞争策略所决定，就目前的情况来看,由于成本的下滑，价格震荡下跌的机会大于震荡上涨的机会。中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大。
T卡市场的投机活动有所降温但依然较为活跃，T卡市场的去库存化的行动尚未完全结束，预计在农历新年前这一过程才会完全结束，到时大陆市场的T卡价格将会真正触底；但年后当采用TLC技术的低价卡将会大量上市后，市场的价格将会面临有第二次触底。
随着中国大陆消费市场在全球重要性的提升，目前已经成为仅次于美国市场的全球第二大市场，预计年前的备货需求仍然可以期盼，只是可能并不如预期的那么好，价格短期维持区间盘整的机会较大。

结论：

由于年底前通路较为保守以及短期需求仍难以大幅转好，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中性”研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于高位危险区域的下边沿，维持正常库存的情况下，正常经营即可。
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移。随着价格的下滑，价格波动性明显加大，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主，波段操作为主。
DDR3：正常经营为主，减仓为主。
Flash：颗粒方面，正常经营为主。
T卡（MicroSD）：正常经营为主，波段操作。

 
下两周内存价格走势预测
 

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测