上周回顾及下周DRAM走势分析

在节后补货需求和上游通路库存水位普遍不高的双重影响下,上周现货市场的DDR2价格较节前强劲反弹。其中品牌1Gb DDR2颗粒的价格小幅反弹至2.47美金附近，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格则升至2.37美金附近。大陆市场的品牌DDR2内存的价格也呈现反弹走势,其中除金士顿2GB DDR2的价格强劲升至292元附近，而其它多数品牌的价格多升至265-280元之间的区间内。由于供应开始有所增加，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格上周小幅下滑，其中品牌颗粒1Gb 颗粒的价格跌至2.85美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组的价格则跌至300-320元之间。

上周存储器走势回顾(2010.01.22-2010.01.28)

在节后补货需求和上游通路库存水位普遍不高的双重影响下,上周现货市场的DDR2价格较节前强劲反弹。其中品牌1Gb DDR2颗粒的价格小幅反弹至2.47美金附近，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格则升至2.37美金附近。大陆市场的品牌DDR2内存的价格也呈现反弹走势,其中除金士顿2GB DDR2的价格强劲升至292元附近，而其它多数品牌的价格多升至265-280元之间的区间内。由于供应开始有所增加，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格上周小幅下滑，其中品牌颗粒1Gb 颗粒的价格跌至2.85美金附近；多数品牌的DDR3 1333 2GB模组的价格则跌至300-320元之间。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2010.03.01-2010.03.07)

DDR3：

由于DDR3相关配件价格的不断下滑及其性能上的优势,现货市场DDR3需求持续增长，DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例目前上升到30%附近。相信DDR3随着价格的下滑,现货市场在第一季度末前DDR3的市场份额将会增加到35%-40%之间,第二季度底前DDR3市场份额将会超越DDR2成为市场主流。
由于DRAM厂家均在加速由DDR2转产至DDR3的进度，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，并且转产后DRAM厂家将不会再将DDR3的产能转回去生产DDR2，因此第一季度DDR3的产量将会逐步增加，而DDR2的产能则将持续减少，这将导致未来中线DDR3的价格下滑和DDR2的价格相对抗跌。由于白板DDR3已经陆续上市、良率也在不断提升中，预计近期的DDR3价格的偏软的情况还将持续一段时间,但是具体下跌的幅度就由三星市场策略所决定。
节后的补货需求潮已经接近尾声,下周随着外围新货的陆续到达,市场高涨的情绪将会逐步趋于理性,价格也将会趋于合理,供求关系也将会更为真实，因此未来两周的走势将是年后相当一段时间内的DRAM走势的风向标。
一般我们预计，由于年前的D2转产D3效应将在本月开始陆续显现，而现货市场的D3需求尚未完全跟上，未来DDR3 1Gb颗粒的价格在3月份总体走软的机会偏高，但具体幅度就有待于观察，因为这主要取决于三星的态度，一般预计幅度也不会大。
总体而言，第一季度DDR3需求仍处于温和增长阶段，第二季度才是快速增长阶段。因此DDR3的价格在3月份这个传统淡季出现上涨的机会不大，下滑的机会偏大。

结论：

DDR3的下滑势头刚刚开始，尽管大跌的机会不大，但维持建议操作上维持正常合理库存即可。

DDR2：

形势分析：

在节后补货需求和外围市场库存水位偏低的共同作用下，上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格强劲反弹至292元附近盘整；其它品牌的2GB DDR2价格也多涨至265-280之间窄幅盘整。
节后的上涨货已经接近尾声，这主要源于以下几个因素，一是补货需求将在下周开始逐步减弱；二是新货下周陆续到达；三是3月份需求传统上普遍偏淡。也就是说，时间对涨价不利，除非上游确实大幅减产,而需求下降相对缓慢。
但是DDR2的产能由于转产DDR3等原因正在逐步减少，而DDR2需求还是会存在相当一段时间的。未来DDR2的供求关系的变化将会决定价格的走势，就短期而言DDR2的价格仍会面临反弹后的回调压力，时间或就在未来两周的时间里发生的概率较大。
目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约为（1.30-1.80美金），而目前白板颗粒的售价多在2. 30美金以上附近，相信未来一段时间DDR2仍存在下跌空间且机会偏大。考虑到需求和产能同步减少等原因，当价格跌至2美金附近时将会遇到支撑，并开始有机会展开窄幅盘整走势。

结论：

未来两周：

未来下跌压力仍相对偏大一些，对于DDR2的中线走势我们持“中偏空”研判，也就是缓慢的震荡下跌走势的机会偏大。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏空”的研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格短期将维持在（265元－300元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破265元和涨过300元。
颗粒方面：我们维持“中性”或“中偏空”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.20－2.40美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.20美金和涨过2.40美金的机会都不大。
目前的风险仍处于高位，考虑3月份为传统淡季，中、长线KST 2GB DDR2模组的价格将仍难以站稳265元以上价位。
操作建议：目前价位情况下，正常经营即可，维持少量的库存即可，短期也可视情况波段操作。

Nand Flash：

在节后补货需求一般的情况下，为了刺激需求和买气,上游主动下调出货价格，上周的Nand Flash价格总体继续维持轻微偏软的下跌走势之中。T卡价格则下跌明显，主要是因为市场需求不佳和节前价格虚高导致，但是尾市价格有所企稳。
总体而言,由于Flash的应用越来越广以及其终端产品的多元化和高容量化趋势,产品单机容量也越来越高,尤其是SSD需求的逐步启动,未来对Flash的影响不可低估和深远的。
考虑到Flash生产厂家制程的提升和TLC技术的采用，将导致生产成本的下降和产能的提升，并形成实质的供应的增加；加之主要Flash生产厂家均计划今年大幅增加Flash产能，因此单靠正常的市场需求和扩容需求来消化这些增加产能显然是不现实的。未来厂家均寄希望于SSD市场的启动，而SSD是未来Flash潜在需求增长最大产品，但是SSD市场启动的前提条件就是价格的下跌，因此今年Flash的价格总体下跌将是大概率事件，这也符合市场规律。
由于Flash产品线和终端产品门类较多，影响Flash的价格走势的因素也比较多和复杂，走势变化相对于DRAM而言也比较预料。在目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能和市场竞争策略所决定，就目前的情况来看,由于成本的下滑，价格震荡下跌的机会大于震荡上涨的机会。中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会仍偏大，但是走势比较反复。
T卡市场的投机活动有所降温但依然较为活跃，年前我们谈到年后T卡市场的价格将会面临第二次触底的可能，目前我们仍维持这一判断。

结论：

由于年后短期需求补货开始逐步显现，我们对未来两周的Nand Flash持“中性”或“中偏软”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中性”或“中偏软”研判。
操作建议：由于Flash价格仍处于相对高位，维持正常库存的情况下，正常经营即可。
T卡价格的震荡区间的中枢价位将会继续缓慢下移。随着价格的下滑，价格波动性明显加大，这主要是由于市场的投机炒作活动频繁导致的。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：正常经营为主，不宜投机。
DDR3：正常经营为主，审慎操作。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测