上周回顾及下周Nand Flash走势分析

上周存储器走势回顾(2010.03.22-2010.03.28)

同样受到三星停电时间的刺激，本已经逐步筑底的Flash价格，在上周同样出现小幅上涨；MicroSD（T卡）也同样出现小幅上涨，但是涨势并未完全确立，尚需供应和需求的配合再确认。
未来两周周存储器价格走势分析预测(2010.03.29-2010.04.11)

Nand Flash：

上周Nand Flash价格同样受到三星停电时间的刺激，结束前期的筑底盘整走势，出现了小幅上扬走势，但是是否涨势就此确立，目前尚不能完全确定。上周T卡价格也走出了与Flash颗粒同样的走势。Flash相关花盆的价格走势是否就此结束盘整并形成反转仍要等待下周来确定
总体而言,由于Flash的应用越来越广、终端产品的多元化、差异化和高容量化趋势明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响不可低估且深远，因此影响Nand Flash走势走势的因素也越来越多且复杂。
短线价格企稳后，在突发利好因素影响下,价格顺势反弹;另外上游有可能借助下月的苹果的产品Ipad上市进一步推动价格的上涨，尤其是MLC产品将受到转产TLC的影响，产能将会减少，MLC产品的后市上涨空间或许会更大一些。
由于近期DRAM价格走势强劲，未来一些DRAM和Flash两者均生产的厂家将有可能将部分Flash的产能转过来生产DRAM，那么Nand Flash的价格涨势将会进一步确立。
上周的走势再次验证了我们前期的观点，在目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化和市场竞争策略所决定.就长线来看,由于成本的下滑、制程的提升和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求，
由于短线价格下滑在底部已经徘徊一段时间，目前价格也有逐步脱离底部的迹象，市场似乎已经对于未来的方向做出来选择。

结论：

我们对未来两周的Nand Flash维持 “中偏多”或“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中偏多”或“中性”研判。
操作建议：前期Flash价格的筑底阶段似乎已经结束，建议可在波段性底部适当加大库存，波段操作，正常经营即可，密切关注供应的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，即方向选择。建议波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

Flash：筑底阶段似乎结束,适当加大库存，密切关注，波段操作。
T卡（MicroSD）：筑底阶段似乎结束, 适当加大库存，密切关注，波段操作。