上周回顾及下周Flash走势分析

上周存储器走势回顾(2010.04.05-2010.04.11)

Flash颗粒价格继续维持较为缓慢的震荡攀升的走势，在上周维持小幅上涨态势；但MicroSD（T卡）未能和Flash颗粒价格同步，在市场获利回吐的影响下，价格呈现窄幅盘整走势。

未来两周周存储器价格走势分析预测(2010.04.12-2010.04.26)

Nand Flash：

上周Nand Flash价格继续呈现小幅上扬走势，涨势是否就此确立目前尚不能完全确定，但是确实有逐步脱离底部的迹象。而T卡价格未能走出与Flash颗粒同样的走势，在场内获利回吐盘的带动下，价格主要以盘整为主。Flash相关产品的价格走势是否就此结束盘整并形成反转仍要等待未来几周来确定
总体而言,由于Flash的应用越来越广,终端产品的多元化、差异化和高容量化趋势明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多。
Flash颗粒价格前期企稳后，在突发利好因素影响下,价格顺势反弹，并有进一步上扬的态势;另外未来上游有可能借助苹果的产品采购来进一步推动价格的上涨，只是目前苹果的采购订单迟迟未能释放,因此拉升力度似乎不大。受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来产能将会减少，MLC产品的后市上涨空间或许会更大一些。
由于近期DRAM价格走势强劲，未来一些DRAM和Flash两种产品均生产的厂家将有可能将部分Flash的产能转过来生产DRAM，那么Nand Flash的价格涨势将会进一步确立。
在目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于成本的下滑、制程的提升和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求，但是由于价格在底部已经徘徊一段时间后，价格有逐步脱离底部的迹象，市场似乎已经对于未来的方向做出来选择。

结论：

我们对未来两周的Nand Flash维持 “中偏多”或“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中偏多”或“中性”研判。
操作建议：前期Flash价格的筑底阶段似乎已经结束，建议可在波段性底部适当加大库存，波段操作，正常经营即可，密切关注供应的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，即方向选择。建议波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

Flash：筑底阶段似乎结束,适当加大库存，密切关注，波段操作。
T卡（MicroSD）：筑底阶段似乎结束, 适当加大库存，密切关注，波段操作。