上周回顾及未来两周走势分析

上周现货市场的DDR2价格走势分化,内存走势高位盘整，而颗粒价格则缓步下滑。其中尾盘1Gb DDR2颗粒的价格下跌至2.82美金附近；大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格则高位震荡，但总体轻微偏软,其中金士顿2GB DDR2维持在246元附近盘整，而其它多数品牌的价格则多维持330－340元之间的区间内。DDR3颗粒价格相对坚挺，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在3.00美金以上；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格则受益于换代需求的增加而轻微上扬至340-360元之间。 上周Flash颗粒价格继续维持近期的盘整走势，但受到需求疲软的影响，具体而言出现了轻微下滑走势；MicroSD（T卡），在市场获利回吐的影响下，价格出现了明显的下滑，但是幅度相对有限。总体而言；两者都处于筑底阶段。

上周存储器走势回顾(2010.04.12-2010.04.18)

上周现货市场的DDR2价格走势分化,内存走势高位盘整，而颗粒价格则缓步下滑。其中尾盘1Gb DDR2颗粒的价格下跌至2.82美金附近；大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格则高位震荡，但总体轻微偏软,其中金士顿2GB DDR2维持在246元附近盘整，而其它多数品牌的价格则多维持330－340元之间的区间内。DDR3颗粒价格相对坚挺，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在3.00美金以上；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格则受益于换代需求的增加而轻微上扬至340-360元之间。

上周Flash颗粒价格继续维持近期的盘整走势，但受到需求疲软的影响，具体而言出现了轻微下滑走势；MicroSD（T卡），在市场获利回吐的影响下，价格出现了明显的下滑，但是幅度相对有限。总体而言；两者都处于筑底阶段。

未来三周存储器价格走势分析预测(2010.04.19-2010.05.11)

DDR3：

即使上周DDR2的价格出现回调，但是由于4月份上旬开始DDR3换代速度明显加快，DDR3的价格却出现高位盘坚走势，显示DDR3现货市场供求有关系趋紧态势。考虑到目前的价位已高，我们认为即使出现上涨空间也相对有限，因为今年价格上涨的主升段基本上已经结束。
DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例已经上升到35%-40%之间，相信第二季度底前DDR3得市场份额将会超越DDR2而一举成为市场主流。从上周的情况来看换代已经进入快车道，因此这一进程有望提前到来。
前期我们谈到，由于目前DRAM厂家均在加速转产DDR2至DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将导致未来中线DDR3的供应增加和价格下滑，而DDR2供应减少及价格相对抗跌。但近期由于DDR3换代速度加快，短期将可能会出现DDR2供大于求和DDR3供小于求短暂的弱失衡局面，短线具体表现就是DDR2价格的下滑和DDR3价格的走强。
由于DDR3颗粒的价格已经超过3美金关卡，内存的成本已经接近或超过PC机整机成本的10%；另外我们注意到2Gb DDR3颗粒开始供应市场，2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，并将1Gb颗粒价格继续上扬的空间基本封杀。未来继续DDR3上升的机会有但空间就不大，我们继续维持目前的DDR3价格处于高危区域这一研判不变。
我们预计， D2转产D3的产出效应将在第二季度中旬即5月份开始明显显现,目前现货市场的D3换代需求提前爆发，直接导致了上周DDR3价格的走强。预计在4月份余下时段继续维持在高位盘整的机会仍偏高，但是中线我们维持1Gb颗粒在3美金以上价位就难以站稳的研判不变。
总体而言，第二季度是DDR3需求快速增长阶段,考虑到DDR2需求下降和DDR3需求上升，未来两周DDR3的价格将会继续维持在高位的机会偏高。

结论：

由于DDR3 1Gb颗粒的价格已经高于3美金，且产能将在5月份开始大量开出,但是考虑到短线DDR3的换代需求明显增加，后续短线DDR3的继续维持高位盘整的机会偏大，建议正常经营即可，合理库存。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场2GB DDR2内存价格继续高位震荡，由于市场商家较为审慎导致现货市场库存水位有限，因此价格并未跟随颗粒价格的小幅下跌而出现小幅的下跌，仅是轻微下滑。
具体颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾盘下跌至2.83美金附近，1Gb eTT DDR2价格也跌至2.82美金附近。内存方面价格相对持稳，上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格一直维持346元附近；其它品牌的2GB DDR2价格也多维持在335-340之间的价位展开窄幅盘整，价格基本上还算稳定，三线品牌的价格则轻微下滑。
由于时序即将进入第二季度中旬，DDR2的市场主流市场地位有可能提前结束，未来以DDR2为主要盈利点的厂家或加大高位出货力度。消息面，日商尔必达和台系力晶倾向于均认为价格继续上扬的机会不大，因为这将对需求产生严重的抑制作用，并导致与下游库户关系紧张。
考虑到目前的价格远远高于DRAM生产厂家的成本,DRAM厂处于卖一颗赚一颗的状态下,终端需求已经明显萎缩， DDR2价格在3美金徘徊了一段时间后开始下滑，意味着始于去年年中的反转行情价格或已触顶。
目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约处于1.20-1.50美金之间，而目前白板颗粒的售价多在2.82美金附近，尽管短线价格仍会维持相对高位盘整，但就相信DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间。

结论：

未来两周：

我们对DDR2走势继续持“中性”或“中偏空”研判；中线就维持“中偏空”研判，也就是缓慢的震荡下跌走势的机会偏大。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏空”研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在（290元－355元）之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破315元和涨过355元。
颗粒方面：短期我们维持“中性”或“中偏空”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.50－3.00美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.50美金和涨过3.00美金的机会都不大。
操作建议：目前的风险仍处于高位，维持合理库存,正常经营即可，注意控制风险。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格呈现小幅回调走势，现实市场需求暂时仍难以支撑价格的持续上涨，前期的涨势也因此得不到确立，目前的价格就仍处于筑底阶段。T卡价格在场内获利回吐盘的带动下，上周价格出现了目前的回调，后又出现千万恐慌性杀跌，但尾市轻微反弹企稳。
前期Flash颗粒价格企稳后，在突发利好因素影响下,价格顺势反弹，但是由于终端需求一般，苹果iPad上市后迟迟未见其后续的Flash颗粒采购行动，导致对市场的实质拉升力度不大，市场的投机炒作因此也演变为获利套现的行动。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品的多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变，但就会越来越便宜。
目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样和差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就长线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对而言或许会更大一些。

结论：

我们对未来两周的Nand Flash维持 “中偏多”或“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中偏多”或“中性”研判。
操作建议：前期Flash价格的仍在筑底阶段，建议可在波段性底部适当加大库存，波段操作，正常经营即可，密切关注供应的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，即方向选择。建议波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常库存,正常经营。
DDR3：维持正常库存,正常经营。
Flash：筑底阶段,适当加大库存，密切关注，波段操作。
T卡（MicroSD）：筑底阶段, 适当加大库存，密切关注，波段操作。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	290-350	偏软的区间盘整
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	330-370	偏强的区间盘整

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.70-3.00	偏软的区间盘整
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.85-3.20	偏强的区间盘整