上周回顾及未来两周存储器走势分析

由于价格偏高和需求疲软,上周现货市场的DDR2价格缓步下滑,其中颗粒价格跌幅明显,而内存价格跌势则相对缓慢。尾盘品牌1Gb DDR2颗粒的价格下跌至2.78美金附近；大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格也总体轻微偏软,其中金士顿2GB DDR2跌至336元附近盘整，而其它多数品牌内存的价格则多跌至325－335元的区间内。DDR3颗粒价格也出现轻微偏软走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在2.98美金附近；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在340-355元之间。上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势，但受到需求疲软的影响，具体而言出现了轻微下滑走势；MicroSD（T卡），在市场获利回吐的影响下，价格出现了轻微明显的下滑，但是幅度相对有限。总体而言现阶段两者都处于持续筑底阶段，未来两个月将是敏感期。

上周存储器走势回顾(2010.04.19-2010.04.24)

由于价格偏高和需求疲软,上周现货市场的DDR2价格缓步下滑,其中颗粒价格跌幅明显,而内存价格跌势则相对缓慢。尾盘品牌1Gb DDR2颗粒的价格下跌至2.78美金附近；大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格也总体轻微偏软,其中金士顿2GB DDR2跌至336元附近盘整，而其它多数品牌内存的价格则多跌至325－335元的区间内。DDR3颗粒价格也出现轻微偏软走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在2.98美金附近；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在340-355元之间。
上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势，但受到需求疲软的影响，具体而言出现了轻微下滑走势；MicroSD（T卡），在市场获利回吐的影响下，价格出现了轻微明显的下滑，但是幅度相对有限。总体而言现阶段两者都处于持续筑底阶段，未来两个月将是敏感期。

未来三周存储器价格走势分析预测(2010.04.25-2010.05.16)

DDR3：

尽管4月份开始DDR3换代速度明显加快，但是考虑到目前处于淡季、DDR3的价格相对偏高和即将到来的5月份DDR3产能将陆续开出等因素，导致DDR3的价格未能继续强势，价格轻微回软，这显示出目前的DDR3供求关系有开始现转变，据此我们维持上期的研判不变，由于DDR3尚未成为主流，中线价格即使出现上涨空间也相对有限，因为今年价格上涨的主升段基本上已经结束。
DDR3需求占整个现货模组市场总需求的比例继续维持在35%-40%之间，相信第二季度底前DDR3得市场份额将会超越DDR2而一举成为市场主流。从四月份的情况来看内存的换代已经进入快车道。
目前DRAM厂家均在加速转产DDR2到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，并将导致未来中线DDR3的供应增加和价格下滑。
由于DDR3颗粒的价格已经超过3美金关卡，内存的成本已经接近PC机整机成本的10%，另外我们注意到2Gb DDR3颗粒已经开始供应市场，而2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，并将1Gb颗粒价格继续上扬的空间基本封杀。未来DDR3继续上升的机会有但空间就不大，我们继续维持目前的DDR3价格处于高危区域这一研判不变。
我们预计， D2转产D3的产出效应将在5月份开始明显显现,由于现货市场的D3换代需求已经提前爆发，预计在4月份余下时段继续维持在高位盘整的机会仍偏高。中线我们维持1Gb颗粒在3美金以上价位就难以站稳的研判不变，5月份开始DDR3价格将会面临压力。
总体而言，第二季度是DDR3需求快速增长阶段,考虑到DDR3需求未能有效消化增加的产能及DDR3产能的上升，5月份开始DDR3的价格将会面临短暂的压力。

结论：

由于时序接近5月份，DDR3产能将在5月份开始大量开出，后续短线DDR3的继续维持高位弱势盘整的机会偏大，但是中线就会面临压力。
操作建议：建议正常经营即可，合理库存。

DDR2：

形势分析：
上周现货市场2GB DDR2内存价格走势反复，尾市价格再次走软至前一周的低点，由于现货市场库存水位有限，因此金士顿内存的价格相对于颗粒价格而言并未跌到位,也就是后续仍存在下跌空间，而其它多数品牌的内存价格则相对合理。
具体到颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾盘下跌至2.78美金附近，1Gb eTT DDR2价格则跌至2.75美金附近。内存方面价格也出现小幅下滑，上周大陆现货市场的KST 2GB DDR2内存价格震荡下跌至前一周的低点336元附近；其它品牌的2GB DDR2价格也多跌至325-335之间区间。
由于时序即将进入第二季度中旬，DDR2的市场主流市场地位有可能提前结束，未来以DDR2为主要盈利点的厂家将会加大高位出货力度。上期我们谈到现货市场主要供应厂商日商尔必达和台系力晶倾向于均认为价格继续上扬的机会不大，因为这已经对需求产生严重的抑制作用，并导致与下游客户关系紧张，据此我们认为短线1Gb DDR2颗粒价格在2.5美金附近才会有机会止跌。
尽管颗粒价格近期出现了下跌，但考虑到目前的价位仍远高于DRAM生产厂家的成本,DRAM厂处于基本上还是处于或者接近卖一颗赚一颗的状态下,中线DDR2的价格仍有很大机会回调至合理水平。
随着设备折旧费的摊薄甚至摊完，目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约处于1.10-1.40美金之间，而目前白板颗粒的售价多在2.78美金附近，尽管短线价格仍会维持相对高位盘整，但就相信DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间。

结论：

未来两周：

内存方面：

我们对DDR2走势继续持 “中偏空”或“中性”研判；中线继续维持“中偏空”研判，也就是缓慢的震荡下跌走势的机会偏大。
模组方面：短期维持 “中偏空”或“中性”研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在（290元－340元）之间的区间内弱势盘整的机会较大，一般而言不会跌破290元和涨过340元。

颗粒方面：

短期我们维持“中偏空”或“中性”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.50－2.90美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.50美金和涨过2.90美金的机会都不大。
操作建议：目前的风险仍处于高位，维持合理库存,正常经营即可，注意控制风险。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格呈现弱势盘整走势，现实市场供求关系处于弱平衡状态中，虽然需求暂时仍难以支撑价格出现上涨，但目前走势就仍处于筑底阶段。T卡价格则在场内清仓行为的带动下，处于轻微下滑之中，但尾市有所企稳，市场仍在去库存化。
尽管现货市场的供应仍控制得相对有序，但考虑到终端需求一般、TLC产品的产出导致市场的观望情绪加重、价格自前期最高高位下跌的幅度不够以及苹果iPad上市后迟迟未见其后续的Flash颗粒采购行动，导致对市场买气相对观望，尤其是大的OEM的采购迟迟未现，所以需求对于价格的实质拉升力度不大，市场也由前期的投机炒作也演变为近期的获利套现和清仓观望的行动，于是价格出现回调。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变，但总的趋势就会越来越便宜。
目前需求总体变化不大的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样和差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就长线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对而言或许会更大一些。
目前，上游生产厂家希望以时间换空间，也就是通过控制供应是市场处于弱动态平衡状态而延缓价格的下滑，等待传统旺季的来临，再拉升价格。

结论：

我们对未来两周的Nand Flash维持 “中偏多”或“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持“中偏多”或“中性”研判。
操作建议： Flash价格的仍在延续前期筑底走势，建议可在波段性底部适当加大库存，波段操作，正常经营即可，密切关注供应方面的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，即方向选择。建议波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应方面的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常库存,正常经营。
DDR3：维持正常库存,正常经营。
Flash：筑底阶段,适当加大库存，波段操作，密切关注供应的变化。
T卡（MicroSD）：筑底阶段, 适当加大库存，波段操作，密切关注供应的变化。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	290-345	偏软的区间盘整
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	320-360	偏软的区间盘整

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.50-2.90	偏软的区间盘整
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.80-3.05	偏软的区间盘整