上周回顾及未来两周走势分析
上周存储器走势回顾(2010.05.10-2010.05.16)
由于市场正处于传统淡季和产品换代导致需求下滑,上周现货市场DDR2的价格继续向合理价位回归。尾盘品牌1Gb DDR2颗粒的价格下跌至2.58美金附近,白板颗粒就跌至2.45美金附近,这是近几个月以来eTT 1Gb颗粒的价格首次跌破2.50美金关卡;大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格也继续下跌走势,其中金士顿2GB DDR2跌至310元附近,而其它多数品牌2G内存B的价格则多跌至295-310元的区间内。尽管有换代需求提升的支撑,但受到DDR2价格下滑的影响,DDR3颗粒价格也出现轻微下跌,品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至2.85美金附近,但是白板颗粒的价格就略低于品牌颗粒的价格;多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在320-340元之间。
受到需求疲软的影响,上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势,具体而言出现了轻微下滑走势。Micro SD(T卡)方面,市场去库存化行动接近结束,低阶价格出现了明显的反弹,但预计反弹就不可持续。总体而言现阶段两者都处于持续探底和筑底阶段,市场仍处于弱势盘整之中。长线而言未来的反弹机会将有可能在第三季度出现。
未来三周存储器价格走势分析预测(2010.05.17-2010.06.06)
DDR3:
尽管4月份开始DDR3换代速度明显加快,但是由于近期DDR2价格的小幅下滑,导致D3和D2的价差拉大,从而使换代需求出现暂时性下降,而DDR2的需求则暂时性上升,我们相信这只是暂时性的现象。考虑到目前处于淡季,DDR3的价格相对偏高及5月份DDR3产能陆续开出等因素,DDR3的价格短线仍面临轻微的下跌压力,但短线下跌空间就有限。
DDR3需求目前占整个现货模组市场总需求的比例继续维持在35%-40%之间,相信随着价格的下滑,第二季度底前DDR3在现货市场份额将会超越DDR2而成为市场主流,因为一旦换代进入快车道就不可逆转。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3,导致DDR3产能上升和DDR2产能下降,这将导致未来中线DDR3的供应增加和价格下滑。由于DDR3颗粒的价格处于接近3美金价位,内存的成本仍接近PC机整机成本的10%;同时我们也注意到2Gb DDR3颗粒已经开始少量供应市场,而2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降,并将1Gb颗粒价格继续上扬的空间基本封杀。未来DDR3在目前价位基础上上涨的机会有但空间就不大,我们继续维持目前的DDR3价格处于高危区域这一研判不变。
D2转产D3的产出效应已经从5月份开始陆续显现,由于现货市场的D3换代需求已经提前爆发,预计在5月份余下时段继续维持在高位盘整的机会仍偏高,但是由于D2和D3的价差拉大,短线D3的价格短期面临向下压力,价格就会轻微下滑。中线我们维持1Gb颗粒在3美金以上价位难以站稳的研判不变,5月份余下时段,DDR3价格仍有向下调整的压力,但幅度相对D2就有限。
总体而言,第二季度是DDR3需求快速增长阶段,考虑到目前的DDR3增加需求未能有效消化新增产能,5月份以来DDR3的价格一直面临轻微的压力。
结论:
由于时序接近5月底,DDR3从5月份开始新增产能还将陆续产出,后续短线DDR3的继续维持高位弱势盘整的机会偏大,但是中短线就会面临压力,长线则维持“中性”研判。
操作建议:建议维持合理库存的基础上,正常经营。
DDR2:
形势分析:
上周现货市场2GB DDR2内存价格呈现单边下跌走势,尾市KST 2GB价格跌至310元附近。由于现货市场库存水位有限,因此市场并未出现以往的恐慌性抛盘,而下跌主要是金士顿代理调低了出货价格所致;其它多数品牌的内存价格则多跌至295-310元附近区域。
具体到颗粒方面,Hynix 1Gb DDR2 800尾盘下跌至2.58美金附近,1Gb eTT DDR2价格则跌至2.45美金附近。
由于时序已经进入第二季度中旬,也就是传统的淡季。DDR2的主流市场地位将在第二季度底前结束,时间所剩不多的情况下,未来以DDR2为主要盈利点的台系白板颗粒生产厂家将会加大高位出货力度,之前我们一直都有谈到过这个问题。上周白板颗粒价格继续领跌就是具体表现,尾市已经跌破1Gb DDR2颗粒支撑价位2.50美金的支撑位,如果一旦失守2.50美金,就有很大可能跌至2.20-2.40之间的区域盘整,未来一段时间恐怕再难上2.50美金了。
由于颗粒价格近期持续下跌,目前的价位已经距离合理价格区间(1.80-2.30美金)的顶部不远,中线DDR2的价格仍有机会回调至合理价格区间内,因此未来一段时间的跌势将会趋缓。
随着设备折旧费的摊薄甚至摊完,目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约处于1.10-1.40美金之间,而目前白板颗粒的售价多在2.45美金附近,尽管短线价格仍会维持弱势盘整走势,但随着DDR2需求的下滑,DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间,短线就会有起伏和反复。
结论:
未来两周:
尽管白板颗粒价格跌破2.50美金,但我们继续对DDR2走势中短线继续持 “中性”或“中偏空”研判;长线改持“中性”研判,也就是区间内盘整的机会偏大。
模组方面:短期维持 “中性”或“中偏空”研判,包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在(265元-310元)之间的区间内弱势盘整的机会较大,一般而言不会跌破265元和涨过310元。
颗粒方面:短期我们维持“中偏空”或“中性”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.30-2.60美金之间区间盘整的机会较大,短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.30美金和涨过2.60美金的机会都不大。
操作建议:目前的风险仍处于高位,维持合理库存,正常经营即可,注意控制风险。
Nand Flash:
上周Nand Flash价格呈现弱势盘整走势,现实市场供求关系处于弱势盘整中,短线显然需求暂时难以支撑价格出现反弹,但是上游控货比较有耐心并有序,价格就淡季来讲也算是不错的价格,走势方面就仍处于探底阶段。
T卡价格则在场内清仓行为结束后,上周小容量的T卡价格出现了较为明显的反弹,但是2GB及以上的非投机炒作主流产品价格就变化不大,相对而言T卡市场投机气氛仍然较为浓厚。
尽管现货市场对供应控制得相对有序,但考虑到终端需求一般、新制程产品的诞生、TLC产品的成熟并陆续上市、而价格自前期反转后的最高位下跌的深度不够以及苹果iPad上市后迟迟未见其后续的Flash颗粒采购行动,这些导致市场买气相对观望,尤其是大的OEM的采购迟迟未现,所以需求对于价格没有实质拉升作用,下游的观望和上游的控货共同导致了价格持续缓慢回调。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估,未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多,因此长期而言价格也越加多变和难以预料,但总的趋势就会越来越便宜。
目前需求总体未能有效增强的情况下,未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样和差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于制程的提升、成本的下滑和容量的增加,厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就长线而言,受到MLC产品转产TLC的影响,预计未来MLC产能将会逐步减少,未来后市即使价格出现上涨,MLC产品的上涨空间相对TLC而言或许会更大一些。
目前,上游生产厂家希望以时间换空间,也就是通过控制供应是市场处于弱动态平衡状态而延缓价格的下滑,等待传统旺季的来临,再拉升价格,获取相对高额的利润。
结论:
我们对未来两周的Nand Flash维持“中性”或“中偏空”研判。对于MicroSD的价格我们维持 “中性”或“中偏空”研判。
操作建议: Flash价格的仍在延续前期探底和筑底走势,建议可在波段性底部适当加大库存,波峰则减仓为主,波段操作,正常经营即可,密切关注供应方面的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题,即方向选择。建议波段操作,波段底部适当加大库存,波峰则减仓为主,同时也要密切关注供应方面的变化。
未来两周市场操作建议汇总:
DDR2:维持正常库存,正常经营。
DDR3:维持正常库存,正常经营。
Flash:探底筑底阶段,波段操作,密切关注供应的变化。
T卡(MicroSD):探筑底阶段,波段操作,密切关注供应的变化。
下两周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
265-310 |
偏软的区间盘整 |
|
主要品牌 |
2GB DDR3 1333 8C |
310-340 |
偏软的区间盘整 |
下两周DRAM颗粒价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD2.30-2.60 |
偏软的区间盘整 |
|
Hynix |
1Gb DDR3 1333 |
USD2.65-2.90 |
偏软的区间盘整 |






关闭返回