上周回顾及未来两周走势分析

上周内存市场前后可谓是冰火两重天,前半周在金士顿内存价格下跌的带动下,市场DDR2产品价格全线继续下滑,而后半周则出现逆转,在金士顿内存价格快速上涨的带动下,市场DDR2产品价格又全线飙涨。由于市场处于传统淡季和金融危机之下，涨价令市场多数商家始料未及，这也恰恰说明投机市场走向往往就是和多数人的看法相左。尾盘品牌1Gb DDR2颗粒的价格强劲反弹至2.45美金附近，白板颗粒也升至2.40美金附近，这是节后价格反弹后出现下滑以来出现的首次像样的反弹。

上周存储器走势回顾(2010.05.31-2010.06.06)

上周内存市场前后可谓是冰火两重天,前半周在金士顿内存价格下跌的带动下,市场DDR2产品价格全线继续下滑,而后半周则出现逆转,在金士顿内存价格快速上涨的带动下,市场DDR2产品价格又全线飙涨。由于市场处于传统淡季和金融危机之下，涨价令市场多数商家始料未及，这也恰恰说明投机市场走向往往就是和多数人的看法相左。尾盘品牌1Gb DDR2颗粒的价格强劲反弹至2.45美金附近，白板颗粒也升至2.40美金附近，这是节后价格反弹后出现下滑以来出现的首次像样的反弹。
大陆现货市场的品牌DDR2内存的价格同样出现强劲的超跌反弹走势,其中金士顿2GB DDR2涨至285元附近，而其它多数品牌2G内存的价格则多跌至265－280元的区间内。这主要是由于前期价格急速下跌，市场商家急于低价清并仓造成库存水位较低，一旦价格出现反弹市场被动补货和追涨杀跌行为造成的补货需求所致。
尽管有换代需求提升的支撑，但DDR3颗粒价格也维持总体轻微下跌走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至2.65美金附近，白板颗粒的价格就略低于品牌颗粒的价格；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在315-340元之间，DDR2的价格上涨暂时未对DDR3的价格造成明显地向上推动作用,但是我们注意到金士顿开始限制DDR3的出货,以推动DDR2的价格继续上扬。
受到需求疲软和产能增加的影响，上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势，但个别型号出现需求价格有所反弹。Micro SD（T卡）方面，在市场去库存化行动结束后，价低产品的阶格价波动频繁，震荡区间加大，总体而言现阶段两者都处于持续探底和筑底阶段，市场仍处于弱势盘整之中。长线而言未来的反弹机会将有可能在第三季度出现的机会偏大。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.06.07-2010.07.07)

DDR3：

由于市场处于传统淡季，需求大为减弱，尽管4月份开始DDR3换代速度明显加快，但是由于前期DDR2价格的快速下滑，导致D3和D2的价差拉大，从而使换代速度有所下滑。考虑到目前处于淡季，DDR3的价格相对偏高及5月份开始DDR3产能陆续开出等因素，DDR3的价格短线仍面临下跌压力，但随着支持DDR3相关配件价格的持续下滑、DDR2的价格快速反弹和换代需求的增加，短线下跌速度仍然较DDR2为慢。
由于上周DDR2价格提前于淡季展开快速反弹，这对于市场向DDR3换代是有利的。由于DDR2价格的快速下跌，DDR3需求近期占整个现货模组市场总需求的比例一直维持在35%-40%之间停滞不前，相信随着DDR3价格的下滑和DDR2价格的反弹,推迟到第三季度初DDR3才会成为市场主流,到时换代将进入快车道并不可逆转。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将导致未来中长线DDR3的供应增加和价格下滑。由于品牌DDR3颗粒的价格目前处于2.65美金附近，内存的成本仍接近PC机整机成本的10%；同时我们也注意到2Gb DDR3颗粒已经开始少量供应市场，而2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，并将1Gb颗粒价格继续上扬的空间基本封杀。未来DDR3在目前价位基础上大幅上涨的机会有但空间就不大，据此我们继续维持目前的DDR3价格仍处于高危区域这一研判不变。
D2转产D3的产出效应已经从5月份开始陆续显现,由于现货市场的D3换代需求已经提前爆发，预计在5月份余下时段继续维持在高位盘整（指1Gb DDR3颗粒价格在2.50美金以上）的机会仍偏高，上周的D2价格反弹，再次将 D2和D3的价差缩小，短线D3的价格短期将获得支撑，价格就会轻微上扬。中线我们认为1Gb颗粒在2.50美金以上价位难以站稳的研判不变，中短期DDR3价格仍有向下调整的压力，但幅度相对有限。
总体而言，第二季度是DDR3需求快速增长阶段,考虑到目前DDR3增加的需求未能有效消化新增产能，5月份以来DDR3的价格将一直面临轻微的向下压力。

结论：

由于时序处于第二季度下旬，DDR3从5月份开始新增产能还将陆续产出，由于上周的D2价格的反弹，后续短线DDR3价格的继续维持区间盘整的机会偏大，但是长线则维持“中性”或“中偏空”研判。
操作建议：建议维持合理库存的基础上，正常经营。6月份下旬将是需求能否转好的关键期，建议密切根据需求的变化决定仓位的增减。

DDR3即使反弹空间也有限,不建议大量建仓DDR3。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场2GB DDR2内存价格呈现超跌反弹走势，尾市KST 2GB价格由周初的最低点245元涨到285元附近。由于现货市场库存水位有限，在上游将金士顿价格快速拉升的情况下，市场的价格呈现跳空高开无量空涨态势；其它多数品牌的内存价格则均涨至265-285元附近区域。
具体到颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾盘上涨至2.43美金附近，1Gb eTT DDR2价格则升至2.40美金附近。
前期我们谈到，由于时序已经进入第二季度中旬，也就是传统的淡季。DDR2的主流市场地位将在第二季度底前结束，时间所剩不多的情况下，未来以DDR2为主要盈利点的台系白板颗粒生产厂家将会加大高位出货力度，之前我们一直都有谈到过这个问题。上周白板颗粒价格继续领跌就是具体表现，尾市白板1Gb DDR2颗粒价格已经跌进1.80-2.30美金合理价格区间内，未来一段时间恐怕再难有机会上2.50美金了。
非常不幸的是，现货市场商家在跌至这一合理区间后，继续恐慌性杀跌和清仓，导致市场的库存水位接近于零，在这种情况下，当主要模组厂家开始锁货拉升时，市场再次显现出来追涨杀跌的本性，价格于是飙升。
随着设备折旧费的摊薄甚至摊完，目前1Gb DDR2白板颗粒的厂家变动成本大约处于1.00-1.30美金之间，未来一个月，DDR2 1Gb的合理价格区间为1.80-2.30美金，考虑到传统旺季即将来临，我们将这一区间缩小到2.00-2.50之间。

DDR2的反弹接近尾声，难以持续，建议审慎操作。

结论：
未来两周：

由于白板颗粒价格已经能够涨到2.40美金，短线我们继续对DDR2走势改持 “中性”或“中偏多”研判,但是风险开始加大；长线改持持“中性”或“中偏空”研判。
模组方面：短期改持 “中性”或“中偏多”研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在250元－315元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言不会跌破250元和涨过315元。
颗粒方面：短期我们维持“中偏多”或“中性”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.30－2.60美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.30美金和涨过2.60美金的机会都不大。
操作建议：目前的风险仍处于高位，维持合理库存,正常经营即可，注意控制风险，市场的价格持续上涨的可能性不大。。
需要说明的是，经过这次上涨后，DDR2的历史使命也就接近完成，可以预计的到的是这次上涨后DDR3将会取代DDR2成为市场主流低位。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格继续呈现窄幅盘整走势，现在市场的供求关系处于弱平衡，短线尽管需求难以支撑价格出现像样的反弹，但是上游控货仍显得比较有耐心且有序，但目前的价格相对于目前的产品生产成本及正处于淡季的市场而言尚算不错，走势方面就仍处于探底及筑底阶段。
低阶T卡价格主要呈现出区间内剧烈震荡走势，由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势，未来Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期将会下滑。目前T卡市场在有效需求下降的情况下，为了人为加大交易量导致市场投机气氛较为浓厚，这对于后市的筑底不利，并且可能使筑底的时间再次延长。
尽管厂家对现货市场的供应控制得相对有序，但考虑到终端需求一般、新制程产品的诞生、产能的增加、TLC产品的成熟并陆续上市、而价格自前期反转后的最高位下跌的深度不够以及苹果iPad上市后迟迟未见其后续的Flash颗粒大宗采购行动，这些导致市场买气相对观望，尤其是大的OEM的采购迟迟未现，所以需求对于价格没有实质拉升推动作用，下游的观望和上游的控货共同导致了价格持续缓慢回调之中。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样和差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就长线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对TLC而言或许会更大一些。
目前，上游生产厂家希望以时间换空间，也就是通过控制供应量使市场处于弱动态平衡状态而延缓价格的下滑，等待传统旺季的来临，再拉升价格，获取相对高额的利润。

结论：

我们对未来两周的Nand Flash改持“中性”研判。对于MicroSD的价格我们维持 “中性”研判。
操作建议： Flash价格的仍在延续前期探底和筑底走势，正常经营即可,难有大的反弹机会。

适当波段操作，建议可在波段性底部适当加大库存，波峰则减仓为主，密切关注供应方面的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，建议正常操作即可，可适当波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应方面的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常库存,正常经营,不宜追高。
DDR3：维持正常库存,正常经营,即使出现反弹空间有限。
Flash：探底及筑底阶段,波段操作，密切关注供应的变化。
T卡（MicroSD）：探探底及筑底阶段,波段操作，密切关注供应的变化。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	260-315	偏强的区间盘整或上涨
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	305-350	区间盘整或下跌

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.30-2.60	偏强的区间盘整或上涨
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.60-2.80	区间盘整或下跌