未来三周存储器走势分析

由于端午假期等原因，上周现货内存市场的DDR2价格呈现窄幅震荡,金士顿2GB DDR2价格在265至270之间的区间盘整。由于市场处于传统淡季，商家多数相对较为审慎，市场的库存水位也不高，这些均是导致上周的价格出现盘整的原因。但是颗粒方面品牌走势有所不同，1Gb DDR2颗粒的价格出现轻微下跌。其中Hynix 1Gb跌至2.22美金附近，白板颗粒价格跌幅相对就小，尾市价格收于2.25美金附近； 尽管有换代需求提升的支撑，但DDR3颗粒价格仍维持总体偏弱的盘整走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至2.60美金附近盘整，白板颗粒的价格就跌至2.50美金附近盘整；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在310-335元之间。 上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势，但个别型号例如16Gb出现需求价格有所反弹。Micro SD（T卡）方面，在市场去库存化行动结束后，价低产品的阶格价波动频繁，震荡区间加大，总体而言现阶段两者都处于持续探底和筑底阶段，市场仍处于弱势盘整之中。中长线而言未来的反弹机会将有可能在第三季度出现的机会偏大。

上周存储器走势回顾(2010.06.14-2010.06.20)

由于端午假期等原因，上周现货内存市场的DDR2价格呈现窄幅震荡,金士顿2GB DDR2价格在265至270之间的区间盘整。由于市场处于传统淡季，商家多数相对较为审慎，市场的库存水位也不高，这些均是导致上周的价格出现盘整的原因。但是颗粒方面品牌走势有所不同，1Gb DDR2颗粒的价格出现轻微下跌。其中Hynix 1Gb跌至2.22美金附近，白板颗粒价格跌幅相对就小，尾市价格收于2.25美金附近；
尽管有换代需求提升的支撑，但DDR3颗粒价格仍维持总体偏弱的盘整走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至2.60美金附近盘整，白板颗粒的价格就跌至2.50美金附近盘整；多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格维持在310-335元之间。
上周Flash颗粒价格继续维持近期的弱势盘整走势，但个别型号例如16Gb出现需求价格有所反弹。Micro SD（T卡）方面，在市场去库存化行动结束后，价低产品的阶格价波动频繁，震荡区间加大，总体而言现阶段两者都处于持续探底和筑底阶段，市场仍处于弱势盘整之中。中长线而言未来的反弹机会将有可能在第三季度出现的机会偏大。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.06.21-2010.07.18)

DDR3：

由于市场处于传统淡季，需求相对于年后一段时间比较差，而D3和D2的价差仍偏大直接延缓了换代进程。考虑到目前处于淡季，DDR3的价格相对偏高，以及7月份开始DDR3产能将大量释放等因素，DDR3的价格短线仍面临下跌压力。但随着支持DDR3相关配件价格的持续下滑、D2价格的反弹企稳，并使其与D3价差的缩小并和换代需求的增加，因此短线D3价格的下跌速度仍相对较为缓慢。
DDR3需求近期占整个现货模组市场总需求的比例仍维持在35%-40%之间停滞不前，这主要是受到前期DDR2价格下跌的影响，根据这种情况，我们认为到第三季度初DDR3才会成为市场主流。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将导致未来中长线DDR3的供应增加和价格下滑。由于品牌DDR3颗粒的价格目前处于2.50-2.60美金之间，而D3内存的成本仍接近PC机整机成本的10%；同时我们也注意到2Gb DDR3颗粒已经开始少量供应市场，而2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，并将1Gb颗粒价格继续上扬的空间基本封杀。未来DDR3在目前价位基础上大幅上涨的机会有但空间就不大，据此我们继续维持目前的DDR3价格仍处于高位区域这一研判不变。
D2转产D3的产出效应将在7月份开始明显显现,预计现货市场的D3换代需求将在7月份开始强劲爆发，因此6月余下时段继续维持在高位盘整（指1Gb DDR3颗粒价格在2.50美金以上）的机会仍偏高。而D2价格反弹再次将 D2和D3的价差缩小，短线导致D3需求增加和D3的价格短期将获得支撑。但是长线我们维持1Gb颗粒在2.50美金以上价位难以站稳的研判不变，中短期DDR3价格仍有向下调整的压力，但幅度相对有限。
总体而言，第三季度将是DDR3成为主流的季度,考虑到DDR3的需求有可能难以效消化新增产能，未来一段时间DDR3的价格将一直面临轻微的向下压力。

结论：

由于时序处于第二季度下旬和第三季度开开始，而DDR3从7月份开始新增产能将明显释放，由于D2价格的反弹，后续短线（两周以内）DDR3价格的继续维持弱势高位区间盘整的机会偏大，但是长线则维持“偏空”研判。
中期：下月初需求好坏将是关键期，我们预计DDR3的价格走强的机会不大，即使有空间也有限。
操作建议：建议维持合理库存的基础上，正常经营。6月份下旬将是需求能否转好的关键期，建议密切根据需求的变化决定仓位的增减。
需要提示的是DDR3价格即使反弹空间也有限,不建议大量建仓DDR3。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场2GB DDR2内存价格呈现盘整的走势，这主要由于现货市场库存水位有限导致的，其它多数品牌的内存价格则均维持在255-270元之间区域。具体到颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾盘轻微下跌至2.22美金附近，1Gb eTT DDR2价格则轻微下跌至2.25美金附近。
前期我们谈到，由于时序已经进入第二季度下旬，并即将进入第三季度的传统旺季。预计DDR2的主流市场地位将在第三季度底前结束，时间所剩不多的情况下，未来以DDR2为主要盈利点的台系白板颗粒生产厂家将会加大高位出货力度，我们预计年底前1Gb eTT颗粒的价格恐怕再难有机会上2.50美金了。
在现货市场商家普遍看空和库存水位偏低的情况下，一般价格反而难以持续下跌。加之目前临近旺季的开始，有关DRAM厂家均有意坚守2美金关卡情况下，短线颗粒价格跌破2美金关卡的难度较高；大陆现货市场模组的价格多受到金士顿价格走势所主导，在其已经满仓1.90美金颗粒的情况下，总体模组价格难以继续下滑，价格出现在260元以上出现盘整也属正常。
随着设备折旧费的摊薄甚至摊完，目前1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本大约处于1.00-1.30美金之间， 按照这个成本计算，DDR2 1Gb的合理价格区间为1.70-2.20美金，但考虑到传统旺季即将来临，我们将这一区间向上扩大到2.00-2.40之间。
DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间，但是短线就会有起伏。

结论：

未来两周：

短线我们继续对DDR2走势持 “中性”或“中偏空”研判；长线持“中性”或“中偏空”研判。
模组方面：短期（指两周内）改持 “中性”或“中偏空”研判，包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在255元－280元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言跌破255元和涨过280元的机会有但就都不大。
中期：下月初需求好坏将是关键期，我们预计DDR2的价格走强一点机会有，但空间就有限。
颗粒方面：短期（指两周内）我们维持“中偏空”或“中性”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在2.10－2.30美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破2.00美金和涨过2.30美金的机会有但就都不大。
操作建议：目前的风险仍处于“中”，维持合理库存,正常经营。在250-275元之间有波段操作机会，但要注意控制风险，不宜追高。
KST 2GB DDR2的价格一旦超越285元后，建议就不要追高投机，维持正常经营即可，审慎操作。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格继续呈现窄幅盘整走势，个别型号的Flash价格出现轻微反弹，现在市场的供求关系处于弱平衡状态，短线尽管需求难以支撑价格出现像样的反弹，但是至今上游的控货仍显得比较有耐心且有序，因此在正处于淡季的市场而言目前的价格相对于生产制造成本而言还是不错的，走势方面就仍处于探底及筑底阶段。
低阶T卡价格继续呈现出区间内剧烈震荡走势，由于便携式产品内置大容量Flash卡渐成趋势以及山寨手机厂家出厂不配卡策略均导致未来Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑。目前T卡市场在有效需求下降的情况下，市场商家为了加大交易量而导致市场投机气氛较为浓厚，这对于后市的筑底不利，并且可能使筑底的时间再次延长。需要说明的是T的好日子或者说黄金时期或已经逐渐结束。
尽管Nand Flash厂家对现货市场的供应控制得相对有序，但考虑到终端需求一般、新制程产品的诞生、产能的增加、TLC产品的成熟并陆续上市、而价格自前期反转后的最高位下跌的深度不够以及苹果的Flash颗粒采购行动化整为零，这些导致市场买气相对观望。但是随着近期苹果推出新款iPhone和传统旺季的逐步临近，包括苹果在内的大OEM厂商的采购将会逐步浮现，对于未来Flash的需求将会有实质拉升推动作用，下游的观望情绪可能会结束，价格在第三季度走强可能性正在增加。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,由于制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对TLC而言或许会更大一些。
目前，上游生产厂家希望以时间换空间，也就是通过控制供应量使市场处于弱动态平衡状态而延缓价格的下滑，等待传统旺季的来临，再拉升价格，获取相对高额的利润。

结论：

未来两周的价格走势， 我们对Nand Flash继续维持“中性”或“中偏空”研判；对于MicroSD我们继续维持 “中性”或“中偏空”研判。但是中线就改持“中性”或“中偏多”。
中期Nand Flash的价格有机会走强，但是总体而言空间相对于往年就不大。
操作建议： Flash产品价格的仍在延续前期探底和筑底走势。适当波段操作，建议可在波段性底部适当加大库存，波峰则减仓为主，密切关注供应方面的变化。
T卡价格也同样面临这样的问题，建议正常操作即可，可适当波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应方面的变化。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常库存,正常经营,不宜追高，285元以上不追高，当跌不动的时候逢低（260元以下）可以适当吸纳，波段操作。。
DDR3：维持正常库存,正常经营,即使出现反弹空间也是有限的，不囤货。
Flash：探底及筑底阶段,波段操作，密切关注供应的变化。
T卡（MicroSD）：探探底及筑底阶段,波段操作，密切关注供应的变化。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	255-280	区间盘整
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	290-350	区间盘整或轻微下滑走势

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD2.00-2.60	区间盘整
Hynix	1Gb DDR3 1333	USD2.40-2.70	区间盘整或小幅下跌