上周回顾及未来三周存储器走势分析

上周现货市场的DDR2内存价格出现超跌反弹走势,究其原因主要是经过前期阴跌后现货市场的库存水位急剧下降至年后的最低点所致，而并非供求关系发生逆转。在补货需求和投机需求的共同推动下，金士顿2GB DDR2价格由250附近反弹至收市时的267元附近。现货市场终端需求仍然没有明显改观,需求主要来自商家的补货需求和投机需求。颗粒方面走势与内存相似，Hynix 1Gb尾市升至2.08美金附近，而白板颗粒尾市价格反弹至2.15美金附近。 同样在DDR2价格反弹的带动下，DDR3的价格也出现了反弹，但是幅度就小于前者，显示市场仍然忧虑第三季度D3产能将会持续放大,导致买盘主要集中于DDR2，这也从另外一个角度说明目前的市场生态已经发生了重大变化。DDR3颗粒价格上周继续维持总体偏软走势，但是跌幅收窄，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌维持在2.41美金附近盘整，白板eTT颗粒的价格则维持在2.29美金附近震荡。2Gb颗粒仍维持少量上市,价位相对于2颗1Gb颗粒的价格总体仍偏高；而多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格走软至260元-285元之间，但是部分品牌2GB DDR3内存的价格就相当便宜，例如台湾晶杨TMC，2GB DDR3 1333就还不到200元的价格。

上周存储器走势回顾(2010.08.02-2010.08.08)

上周现货市场的DDR2内存价格出现超跌反弹走势,究其原因主要是经过前期阴跌后现货市场的库存水位急剧下降至年后的最低点所致，而并非供求关系发生逆转。在补货需求和投机需求的共同推动下，金士顿2GB DDR2价格由250附近反弹至收市时的267元附近。现货市场终端需求仍然没有明显改观,需求主要来自商家的补货需求和投机需求。颗粒方面走势与内存相似，Hynix 1Gb尾市升至2.08美金附近，而白板颗粒尾市价格反弹至2.15美金附近。
同样在DDR2价格反弹的带动下，DDR3的价格也出现了反弹，但是幅度就小于前者，显示市场仍然忧虑第三季度D3产能将会持续放大,导致买盘主要集中于DDR2，这也从另外一个角度说明目前的市场生态已经发生了重大变化。DDR3颗粒价格上周继续维持总体偏软走势，但是跌幅收窄，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌维持在2.41美金附近盘整，白板eTT颗粒的价格则维持在2.29美金附近震荡。2Gb颗粒仍维持少量上市,价位相对于2颗1Gb颗粒的价格总体仍偏高；而多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格走软至260元-285元之间，但是部分品牌2GB DDR3内存的价格就相当便宜，例如台湾晶杨TMC，2GB DDR3 1333就还不到200元的价格。
上周初Flash颗粒价格走势继续分化，部分型号产品的价格反弹后出现获利了结，价格有所回调，但是幅度有限。现货市场主流16Gb和32Gb价格上周多数时间走势偏软，尾盘价格逐步企稳；但高阶颗粒的价格走势总体偏软。Micro SD（T卡）方面，T卡价格总体继续维持在区间内偏软的走势，其中中、低阶产品的价格总体反弹也后也出现了回调,尾市价格则再次走强；高阶品种则维持轻弱势盘整走势。
总体而言，Flash现货市场颗粒价格总体走弱，显示市场的生态与往年已经截然不同，预计后市即使反弹但空间相对于往年而言就有限。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.08.02-2010.09.05)

DDR3：

时序进入8月上旬，近期终端需求虽有起色但是相对于去年同期仍属于一般，由于D2价格的反弹，D3和D2的价差再次缩小，这将有利于换代进程的加速。考虑到D3的价格相对偏高以及Q3下旬开始DDR3产能将大量释放等因素，DDR3的价格中线仍面临下跌压力。伴随着支持DDR3相关配件价格的持续下滑、D3与D2价差正在逐步缩小，而换代需求也在逐步增加，因此中短线（8月底前）D3价格的下跌会继续维持在一个较慢的速度之中；但是长线而言，D3的价格下跌将不可避免且跌幅会较深。
由于DDR3价格和换代需求的上升，目前DDR3需求占整个现货模组市场需求的比例已经缓慢上升到40%附近，为DDR3在第三季度成为市场主流奠定了基础，预计在第三季度底前DDR3就会成为现货市场的主流。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将直接导致未来DDR3的供应增加和价格下滑，而DDR2价格的相对抗跌。
品牌DDR3 1Gb颗粒的价格目前处于2.41美金附近，白板eTT颗粒的价格就下跌至2.29美金附近。2Gb DDR3颗粒已经开始陆续供应市场，但是目前的价格仍偏高，最快要到第三季度下旬和第四季度初才会大量上市。2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，到时1Gb颗粒价格的下跌也将不可为避免。未来DDR3在目前价位基础上出现大幅上涨的机会很小，据此我们继续维持目前的DDR3价格仍处于高位区域的研判没有改变。
D2转产D3的产出效应在7月份开始逐步显现,目前D3价格的下跌速度也开始加快，预计现货市场D3的换代需求将在第三季度下旬开始强劲爆发，在8月底前价格继续维持偏弱的盘整走势的机会偏大，但第三季度末开始DDR3将会面临巨大的压力。长线我们认为1Gb DDR3颗粒在2.00美金以上价位难以站稳，短期DDR3价格虽有向下调整的压力，在2Gb颗粒没有大量上市前跌速就相对缓慢。
总体而言，第三季度是DDR3成为主流的起始季度,考虑到未来DDR3的需求有可能难以有效消化新增产能和换代需求的增加，未来一段时间DDR3的价格将总体将一直面临轻微的向下压力。

结论：

短线（两周以内）DDR3价格的继续维持弱势区间盘整,也就是轻微下跌的机会偏大；
中线（四周以内）：月底前DDR3价格大幅走强的机会也不大，即使出现反弹有空间也有限。中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌。
操作建议：建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。
但是需要提示的是中线DDR3价格即使反弹空间也有限,不建议大量建仓DDR3。

DDR2：

上周现货市场2GB DDR2内存价格出现校服反弹走势，市场需求有所好转但整体仍属一般,买盘主要来自前期空仓商家的补货需求和投机需求。金士顿2GB DDR2价格由250元附近小幅反弹至267元附近。其它多数品牌的内存价格则跟随金士顿的价格反弹至253-265元之间的区间盘整。具体到颗粒方面，受到模组价格走强的影响，颗粒价格也出现反弹，其中Hynix 1Gb DDR2 800反弹至2.08美金附近，1Gb eTT DDR2价格则轻微反弹至2.15美金附近。
下周末时序将进入8月中旬，预计DDR2的市场主流地位将在第三季度底前被终结，在时间所剩不多的情况下，以DDR2为主要盈利点的台系白板颗粒生产厂家将会加大出货力度，考虑到DDR2需求也将随之不断萎缩等因素，预计始于上周的反弹或难以持续下去。预计年底前1Gb eTT颗粒的价格恐怕再难有机会上2.50美金了。
9月上旬后，当返校需求结束后，有关DRAM厂家将会退而求次，退守1.80美金关卡的可能性大增，但是中短线8月底前颗粒价格跌破1.90美金关卡的难度较高；由于现货市场需求一直未能有效配合，而大陆现货市场模组的价格又主要由金士顿主导，因此KST模组价格中线难以跌破230元关卡，而价格继续在230元-270元之间弱势盘整的机会偏高。但是8月中旬前后，如果需求仍不乐观，市场将会或结束观望，价格或将再次松动的机会偏高。
随着DRAM厂家设备折旧费的摊薄完毕，目前1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本大约处于1.00-1.30美金之间，按照这个成本计算，eTT DDR2 1Gb的合理价格区间为1.50-1.80美金之间，但考虑到传统旺季和目前需求一般等因素，我们将这一区间调整为1.70-2.00美金之间。
上周的反弹属于下跌途中的合理的反弹，如果您备有合理的流水库存，那么就完全不必为此感到急躁，因为这种反弹将不可持续，并且难以预料。
DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间，只是短线已经进入旺季，走势就会有反复。

结论：

短线(两周以内)我们继续对DDR2走势维持 “中性”或“中偏空”研判；长线改持“中性”研判。
维持原有的操作建议不变，也就是维持合理流水库存正常经营，逢低建仓，逢高减磅。
模组方面：短期（指两周内）维持 “中性”或“中偏空”研判，盘整区间将会有所下移。包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在210元－270元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言跌破210元和涨过270元的机会有但就都不大。
颗粒方面：短期（指两周内）我们持“中偏空”研判。预计白板1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.80－2.30美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.80美金和涨过2.30美金的机会有但就都不大。
中期（四周以内），虽然走势会有反复，但我们持不乐观的研判，但是也不会大跌，8月中旬后一切就会明朗。
操作建议：目前的风险仍处于“中等”等级别。维持合理库存,正常经营,波段操作。在210-270元之间有波段操作机会，但要注意控制风险，不宜追高。
建议如果KST 2GB DDR2的价格如果出现反弹，需要补货的正常补货即可，建议不要追高投机，有货应该以慢慢消化库存为主，维持正常经营即可，审慎操作。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格走势总体偏软，在获利回吐行为的带动下，前期反弹的主力产品16Gb和32Gb市场主流产品的价格出现回调。现在市场的供求关系维持弱平衡状态，虽然短线需求仍难以支撑全部产品出现反转行情，但上游在控货上表现得比较有耐心，并且较为成功地将现货市场的主流型号产品上缓步拉升价格，这种做法与以往一涨俱涨的情况不同,上游目前仍希望以时间换空间，先缓步拉升需求相对较好的主流型号，然后达到在旺季全面拉升的目的，目前这一策略已经取得一定成效，但是效果就有效。值得注意的是目前代理出货价格仍高于现货市场的价格。
中、低阶T卡价格继续呈现出强势区间内震荡走势，但并未超出区间的上下边沿，也就是说目前的价格仍属于波动，只是范围加大并上移。我们注意到高阶卡的价格有所走软，这将对中低阶产品的价格继续反弹构成压力，也就预示着这波反弹或到此为止了。
由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、大部分低档山寨手机厂家出厂采取不配卡策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们预计T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，在操作上应注意控制风险，不应对涨幅报不切实际的幻想，目前的价格反弹已经接近尾声。
随着年底传统旺季的到来,包括苹果在内的大OEM厂商的采购将会逐步浮现，对于未来Flash的需求将会有实质拉升推动作用，目前主流产品的型号价格已经出现上涨，但是预计反弹幅度不会太高。从合约价的情况看，OEM市场的合约价格总体仍偏软。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对定位低端产品的TLC而言或许会更大一些，但是同时也会受到TLC产品价格的制约。
我们注意到现货市场的Flash需求面已经发生变化，也就是说，现货市场的Flash需求在全球中所占比例在减少，而OEM所占比例却在上升。这将导致Flash市场再现目前内存市场的情况，但是一切尚无定案。

结论：

未来两周的价格走势， 我们认为Nand Flash走势仍会维持分化走势，对高阶产品我们就继续维持“中偏软”研判，而中阶产品，例如16Gb和32Gb等，我们就维持“中性”；对于MicroSD，中低阶产品持“中性”，高阶产品就持“中偏软”。
中期部分主流的Nand Flash的价格继续走强机会的机会仍存在，但是总体而言空间相对于往年来讲就不大，随着价格的上扬风险也日益增大。
操作建议：操作上注意把握好进货的节奏，上涨幅度不会太大，注意控制风险，不宜追高投机。
建议可在维持轻仓的情况下，适当波段操作，也就是波段性底部适当加大库存，波峰则适当减仓为主，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。
T卡价格走势也是类似，建议正常操作即可。可适当波段操作，波段底部适当加大库存，波峰则减仓为主，同时也要密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来两周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,正常经营，预计反弹将在下周结束。
DDR3：维持正常流水库存,正常经营, 预计反弹将在下周结束。
Flash：部分型号或继续反弹走势，波段操作，密切关注供应的变化,但预计难以出现以往大幅上涨的走势，不宜盲目乐观，控制风险。
T卡（MicroSD）：波段操作，反弹接近尾声。

未来四周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	210-270	弱势区间盘整
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	210-280	轻微下滑走势

 
未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
eTT	1Gb DDR2 800	USD1.80-2.30	弱势区间盘整
eTT	1Gb DDR3 1333	USD2.00-2.50	轻微下滑走势