上周回顾及未来三周存储器走势分析

上周现货市场的DDR2内存价格继续疲软走势,其主要原因是市场需求一直呈现旺季不旺的特点,而OEM应对返校和圣诞的采购需求的采购已经结束。在这样一个背景下,市场商家开始放弃前期的坚守等待策略，价格于是出现下滑实属正常。 在外围市场相关产品价格下滑的带动下，金士顿2GB DDR2价格小幅急挫至250元附近盘整。颗粒方面走势方面，Hynix 1Gb尾市缓步跌至1.98美金附近，而白板eTT颗粒尾市价格也跌至2.07美金附近。 DDR3的价格同步也出现了下跌走势，这显示了第三季度D3产能持续放大的效应开始显现,市场生态环境已经发生变化，换代的临界点也即将到来。DDR3颗粒价格上周继续维持总体轻微偏软走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌维持在2.38美金附近盘整，白板eTT颗粒的价格则跌至2.27美金附近震荡。2Gb颗粒仍维持少量上市,价位相对于2颗1Gb颗粒的价格总体仍偏高；而多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格走软至245元-265元之间。 上周Flash颗粒价格走势总体偏软，其中高阶颗粒的价格跌幅相对较大，低阶颗粒价格跌幅相对偏小。Micro SD（T卡）方面，T卡无论高、低阶的产品价格总体继续维持偏软走势。 总体而言，Flash现货市场颗粒价格总体走弱，显示市场的生态与往年已经截然不同。由于Flash的市场价格仍远远高于厂家制造成本，预计后市价格易跌难涨，即使出现反弹但空间也相对有限。

上周存储器走势回顾(2010.08.23-2010.08.29)

上周现货市场的DDR2内存价格继续疲软走势,其主要原因是市场需求一直呈现旺季不旺的特点,而OEM应对返校和圣诞的采购需求的采购已经结束。在这样一个背景下,市场商家开始放弃前期的坚守等待策略，价格于是出现下滑实属正常。
在外围市场相关产品价格下滑的带动下，金士顿2GB DDR2价格小幅急挫至250元附近盘整。颗粒方面走势方面，Hynix 1Gb尾市缓步跌至1.98美金附近，而白板eTT颗粒尾市价格也跌至2.07美金附近。
DDR3的价格同步也出现了下跌走势，这显示了第三季度D3产能持续放大的效应开始显现,市场生态环境已经发生变化，换代的临界点也即将到来。DDR3颗粒价格上周继续维持总体轻微偏软走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格跌维持在2.38美金附近盘整，白板eTT颗粒的价格则跌至2.27美金附近震荡。2Gb颗粒仍维持少量上市,价位相对于2颗1Gb颗粒的价格总体仍偏高；而多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格走软至245元-265元之间。
上周Flash颗粒价格走势总体偏软，其中高阶颗粒的价格跌幅相对较大，低阶颗粒价格跌幅相对偏小。Micro SD（T卡）方面，T卡无论高、低阶的产品价格总体继续维持偏软走势。
总体而言，Flash现货市场颗粒价格总体走弱，显示市场的生态与往年已经截然不同。由于Flash的市场价格仍远远高于厂家制造成本，预计后市价格易跌难涨，即使出现反弹但空间也相对有限。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.08.30-2010.09.26)

DDR3：

下周时序将进入9月份，近期终端需求虽有起色但是相对于去年同期仍属于一般，基本特点表现为旺季不旺；供应方面，2Gb颗粒将在10月份开始大量释放。
考虑到目前的D3价格仍相对偏高以以及9月份开始DDR3产能将逐步开始释放等因素，DDR3的价格中短线线仍面临下跌压力。考虑到支持DDR3相关配件价格的持续下滑、D3的成本优势、D3与D2价差逐步缩小以及换代需求持续增加等因素，预计9月中旬前D3价格的下跌还是会维持在一个较慢的速度之中，但是9月中旬后我们预计D3的价格下跌速度将可能有所加快。
由于D2和D3价格开始接近，目前DDR3需求占整个现货模组市场需求的比例已经缓慢上升到40%附近，这为DDR3在第三季度底前后成为市场主流奠定了基础，我们预计在9月底前后DDR3就会成为现货市场的主流。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将直接导致未来DDR3的供应增加和价格下滑，而DDR2价格的则相对抗跌。
上周品牌DDR3 1Gb颗粒的价格处于2.38美金附近，eTT颗粒的价格就下跌至2.28美金附近。2Gb DDR3颗粒目前的价格仍偏高，最快要到第四季度初（10月份）才会大量上市，而2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，到时1Gb颗粒价格的下跌也将不可为避免。未来DDR3在目前价位基础上出现大幅上涨的机会很小，据此我们继续维持目前的DDR3价格仍处于高位区域的研判不变。
预计D3 2Gb的产出将在9月份开始慢慢显现，10月底前后2Gb D3颗粒的产出将较为明显，到时DDR3将再次会面临下跌压力，因此我们维持长线1Gb DDR3颗粒在2.00美金以上价位难以站稳的研判不变；但是中短期DDR3价格虽有向下调整的压力，但在2Gb颗粒没有大量上市前跌速就相对缓慢。
总体而言，第三季度是DDR3成为主流的起始季度,考虑到未来DDR3的需求有可能难以有效消化产能的有效增加，9月份DDR3的价格总体将一直面临轻微的向下压力。

结论：

短线（两周以内）DDR3价格的继续维持弱势区间盘整,也就是轻微下跌的机会偏大；
中线（四周以内）：9月底前DDR3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌。
操作建议：建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。但是需要提示的是中线DDR3价格即使反弹空间也有限,不建议大量建仓DDR3。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场2GB DDR2内存价格出现小幅下跌走势，市场需求继续呈现淡季不淡的特点。其中金士顿2GB DDR2价格再次跌至250元附近。而颗粒方面，价格也出现下滑，其中Hynix 1Gb DDR2 800下跌至1.98美金附近，1Gb eTT DDR2价格则跌至2.07美金附近。
下周中时序将进入9月份，预计DDR2的市场主流地位将在9月底前被终结，在时间所剩不多的情况下，以DDR2为主要盈利点的台系颗粒生产厂家将会加大出货力度，考虑到DDR2需求也将随之不断萎缩等因素，预计年底前1Gb eTT颗粒的价格恐怕再难有机会上2.30美金了。
9月中旬后，当返校需求和圣诞采购结束后，有关DRAM厂家将会退而求次，退守1.80美金关卡的可能性大增，但是短线颗粒价格跌破1.90美金关卡的难度较高；由于现货市场需求一直未能有效配合，而大陆现货市场模组的价格又主要由金士顿主导，因此KST 2GB DDR2内存的价格中短线难以跌破230元关卡，而长线价格维持在210元-250元之间弱势盘整的机会偏高。
随着DRAM厂家设备折旧费的摊薄完毕，目前1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本处于1.00-1.30美金之间，按照这个成本计算，eTT DDR2 1Gb的合理价格区间为1.50-1.80美金之间，但考虑到目前处于传统旺季，我们将这一区间调整为1.70-2.00美金之间。
DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间，只是短线已经进入旺季，走势就会有反复。

结论：

短线(两周以内)我们继续对DDR2走势维持“中偏空”研判；长线改持“中性”研判。
模组方面：短线（指两周内）维持 “中性”或“中偏空”研判，盘整区间将会有所下移。包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在230元－265元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言跌破230元和涨过265元的机会有但就都不大。
颗粒方面：短期（指两周内）我们持“中偏空”研判。预计Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.80－2.10美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.80美金和涨过2.10美金的机会有但就都不大。
中期（四周以内），我们对后市DDR2的走势维持缓慢震荡下跌的的研判，维持弱势格局的机会偏大，但也不会大跌。
操作建议：目前的风险仍处于“中等”等级别。维持合理流水库存正常经营，适当波段操作，逢低建仓，逢高减磅。操作上要注意控制风险，不宜追高，因为没有什么大的机会。
建议一旦价格出现反弹，需要补货的正常补货即可，不建议追高投机，有货应该以慢慢消化库存为主，维持正常经营即可，审慎操作。

Nand Flash：

由于市场需求一般，上游开始降价求售，前期的现货市场弱平衡状态因此被打破，上周Nand Flash价格走势总体偏软。上游以时间换空间的想法基本上已经结束，尽管上半年这一策略一直相对比较成功，但是对价格的推动作用就有限。
T卡价格同样出现区间内弱势震荡走势，但震荡的范围并未超出前期业已形成的区间上下边沿，也就是说目前的价格仍属于波动，只是价格开始向下边沿移动。
由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们预计T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，在操作上应注意控制风险，不应对任何反弹报不切实际的幻想。
直接原因首先是，苹果化整为零的采购策略最大可能避免了对现货市场价格的影响，以往大幅波动的情况已经不见了；其次是现货市场Nand Flash的需求占总体Nand Flash需求比例在下降，而OEM市场的份额在上升。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前现货市场需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对定位低端产品的TLC而言或许会更大一些，但是同时也会受到TLC产品低价格的制约。
我们注意到现货市场的Flash需求面已经发生变化，也就是说，现货市场的Flash需求在全球中所占比例在减少，而OEM所占比例却在上升。这将导致Flash市场再现目前内存市场的情况，也就是现货市场需求对其价格的影响在降低。

结论：

未来两周的价格走势， 我们认为Nand Flash走势维总体持“中偏软”研判，对于MicroSD，低阶产品持“中性”或“中偏软”，中、高阶产品就持“中偏软”。
操作建议：
建议可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,正常经营，预计维持震荡下跌走势。
DDR3：维持正常流水库存,正常经营, 预计维持震荡下跌走势。
Flash：正常经营， 波段操作，今年难以出现大幅上涨的走势
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，今年难以出现大幅上涨的走势。

未来四周内存价格走势预测
 

未来四周DRAM颗粒价格走势预测