上周回顾及未来三周存储器走势分析

DDR2：

形势分析：
上周现货市场2GB DDR2内存价格继续下跌走势，市场需求继续呈现旺季不旺的特点。其中金士顿2GB DDR2价格再次跌破250元，至247元附近展开盘整。而颗粒方面，价格也出现下滑，其中Hynix 1Gb DDR2 800最低跌至1.86美金附近，1Gb eTT DDR2价格则小幅跌至1.97美金附近。
下周时序将进入9月中旬，我预计DDR2的市场主流地位将在9月底前后被DDR3终结。届时伴随着 DDR2需求的不断萎缩和DDR3价格的下滑，DDR2的价格还将会下滑，预计年底前1Gb颗粒的价格恐怕再难有机会上2.20美金了。
9月中旬后，当返校、圣诞和十一补货需求结束后，有关DRAM厂家将会退而求次，退守1.80美金关卡的可能性大增，从上周的情况来看，这目标并不遥远。由于现货市场需求一直未能有效配合，而大陆现货市场模组的价格又主要由金士顿主导，因此KST 2GB DDR2内存的价格短线难以跌破230元关卡，而长线价格则维持在210元-250元之间弱势盘整的机会偏高。
随着DRAM厂家设备折旧费的摊薄完毕，目前1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本处于1.00-1.30美金之间，按照这个成本计算，eTT DDR2 1Gb的合理价格区间为1.50-1.80美金之间，但考虑到目前处于传统旺季，我们继续维持这一区间在1.70-2.00美金之间的研判不变。
DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间，只是短线已经进入旺季，走势就会有反复。

结论：

短线(两周以内)我们继续对DDR2走势维持“中偏空”研判；长线改持“中性”研判。
模组方面：短线（指两周内）维持 “中偏空”研判，盘整区间将会有所下移。包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在220元－255元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言跌破220元和涨过255元的机会有但就都不大。
颗粒方面：短期（指两周内）我们持“中偏空”研判。预计Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.80－2.05美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.80美金和涨过2.05美金的机会有但就都不大。
中期（四周以内），我们对后市DDR2的走势维持缓慢震荡下跌的的研判，维持弱势格局的机会偏大，但也不会大跌。
操作建议：目前的风险等级处于“中偏低”。维持合理流水库存正常经营，适当波段操作，逢低建仓，逢高减磅。操作上要注意控制风险，不宜追高，因为没有什么大的机会，但是DDR2也不易完全空仓操作。
建议一旦价格出现反弹，维持正常经营即可，审慎操作，需要补货的正常补货即可。有货的不建议追高投机，应该以慢慢消化库存为主。

Nand Flash：

在前一阶段Nand Flash颗粒的持续降价潮中，现货市场商家纷纷清仓抛货，导致市场库存水位将至接近最低点，但是市场的正常需求尚存，当补货需求出现时就在上周形局部时间段成了供小于求的局面，价格因此出现跌深反弹的走势，我们认为这种反弹情况实属正常。
上周现货市场的需求多来自正常的回补库存需求，当然也有一部分投机需求，但非终端需求转好或者供应吃紧造成的。现货市场需求仍属一般，现货市场仍处于弱平衡状态，上周Nand Flash部分型号价格出现反弹属于超跌反弹，尾市走势开始分化，上涨势头明显减缓，但是具体走势仍要视下周的实际需求而定。
T卡价格的反弹未能持续，尾市出现全面下跌走势，这显示T卡市场的疲弱走势并未改变，中线价格出现反转的机会也不大。
由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们预计T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，在操作上应注意控制风险，不应对任何反弹报不切实际的幻想。
苹果化整为零的采购策略最大可能避免了对现货市场价格的影响，以往大幅波动的情况已经不见了；其次是现货市场Nand Flash的需求占总体Nand Flash需求比例在下降， OEM市场的份额却在上升，因此现货市场需求对价格的影响已经下降。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前现货市场需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对定位低端产品的TLC而言或许会更大一些，但是同时也会受到TLC产品低价格的制约。
鉴于目前Flash生产厂家的制程已经提升，产能也在陆续开出，我们继续维持原有的研判，即预计年底前，Flash的价格总体上呈现缓慢下滑走势。

结论：

未来两周的价格走势， 我们认为Nand Flash走势维总体持“中偏软”研判，对于MicroSD，低阶产品持“中性”或“中偏软”，中、高阶产品就持“中偏软”。
操作建议：
上周的Flash颗粒的反弹接近尾声不宜追高。
建议可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,正常经营，预计维持震荡下跌走势。
DDR3：维持正常流水库存,正常经营, 预计维持震荡下跌走势。
Flash：正常经营， 波段操作，预计维持震荡下跌走势，今年难以出现大幅上涨的走势
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计维持震荡下跌走势，今年难以出现大幅上涨的走势。