上周回顾及未来三周存储器走势分析

上周现货市场的DDR2内存价格呈现窄幅区间震荡态势,前半周的反弹主要由于节前到货较少所致,但需求不佳导致后半周反弹未能持续,临近周末价格开始明显走软。现货市场需求面也继续呈现旺季不旺的特点,价格再次走软也在预料之中,其中金士顿2GB DDR2价格先有241反弹至247元附近,但随后低价新货陆续到来,导致价格一路下滑跌破240元关卡后再跌至236元。由于买盘出现,颗粒价格则表现为先跌后升，其中Hynix 1Gb尾市小幅下跌至1.76美金后，缓慢反弹至1.82美金附近展开盘整。

上周存储器走势回顾(2010.09.20-2010.09.26)

上周现货市场的DDR2内存价格呈现窄幅区间震荡态势,前半周的反弹主要由于节前到货较少所致,但需求不佳导致后半周反弹未能持续,临近周末价格开始明显走软。现货市场需求面也继续呈现旺季不旺的特点,价格再次走软也在预料之中,其中金士顿2GB DDR2价格先有241反弹至247元附近,但随后低价新货陆续到来,导致价格一路下滑跌破240元关卡后再跌至236元。由于买盘出现,颗粒价格则表现为先跌后升，其中Hynix 1Gb尾市小幅下跌至1.76美金后，缓慢反弹至1.82美金附近展开盘整。
DDR3颗粒价格上周继续维持总体轻微偏软走势，品牌DDR3 1Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅下跌至2.05美金附近盘整，白板eTT颗粒的价格则跌至2.02美金附近震荡。多数内存品牌的2GB DDR3 1333模组的价格走软在230元-245元之间。
上周Nand Flash价格走势出现分化，其中高阶型号的颗粒价格继续总体走软；而市场需求较好的中阶型号(16Gb和32Gb)颗粒的价格则出现轻微反弹或是偏强盘整走势；低阶型号的价格则继续维持弱势区间盘整。由于供大于求和需求疲软,Micro SD（T卡）的价格维持总体走软的走势，T卡无论高中低阶的产品价格均再次走软，均跌破前期的最低点，临近周末跌幅开始收窄，跌势也趋缓。
总体而言，由于现货市场的生态与往年已经截然不同，预计年底前Flash相关产品的价格走势总体偏弱。由于Flash颗粒的市场成交价格仍远高于厂家制造成本，预计后市现货市场的Flash价格易跌难涨，即使出现反弹，其反弹的空间和持续的时间都相对有限。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.09.27-2010.10.24)

DDR3：

时序即将进入10月初，目前终端需求有所好转，但是相对于去年同期仍属于一般，继续呈现旺季不旺的特点；供应方面，消息面显示10月底开始2Gb颗粒的产能将开始大量释放，到时良率也会大幅提升，供应将会明显增加。
考虑到目前的D3 2GB颗粒的价格仍相对偏高以及年底前DDR3产能将逐步开始释放等因素，DDR3的价格中短线仍面临轻微下跌压力。但是由于D3价格与D2价格已经接近，且大多数主流品牌D3内存的价格已经跌破D2，9月底前品牌内存的D3价格将会全线跌破D2的价格，十月份换代速度将会全线提速。上周DDR3需求占整个现货模组市场需求的比例虽有上升，但是仍较为缓慢，仍维持在40%附近,但从历史的经验来看，当新一代产品的价格跌破上一代产品价格时才会出现快速换代的情况，所以目前的情况实属正常。
目前DRAM厂家均在加速由DDR2转产到DDR3，导致DDR3产能上升和DDR2产能下降，这将直接导致未来长线DDR3的供应增加和价格下滑，而DDR2价格的则相对抗跌。
上周Hynix DDR3 1Gb颗粒的价格下跌至2.05美金附近，eTT颗粒的价格轻则下跌至2.02美金附近，值得注意的是2Gb南亚颗粒已经跌至3.75美金附近，但是多数品牌额D3颗粒的价格要到10月份才可能会跌破两倍1Gb价格的价位。2Gb颗粒的上市本身就意味着供应的增加和成本的下降，未来1Gb颗粒价格的下跌将不可为避免。未来DDR3在目前价位基础上出现大幅上涨的机会很小，据此我们继续维持DDR3价格仍处于高位价格区间的研判不变。
前期我们谈到过，预计10月底前后2Gb D3颗粒的产出增加得将较为明显，到时DDR3将面临明显的下跌压力，并且我们认为长线2Gb DDR3颗粒在4.00美金以上价位难以站稳的研判，但这次我们将这一研判改为长线2GB颗粒的价格在3.50美金难以站稳；短期DDR3价格虽有向下调整的压力，但在2Gb颗粒没有大量上市前跌速就相对缓慢。
由于电脑市场产品的多元化，尤其是平板电脑和MID等便携式产品的大量出现，对传统的台式机和笔记本电脑的市场份额有所侵蚀，而这些便携式产品的配置一般都低于传统电脑，所以搭载的内存也普遍较低，因此对于DRAM行业来讲总体上是一个利空。
第四季度将会是DDR3市场份额快速成长的季度,考虑到未来采用64位操作系统的电脑增加缓慢等因素,预计DDR3的需求难以有效消化有效增加的产能，9月份DDR3的价格总体将一直面临轻微的向下压力。
需要提醒的是，随着DRAM厂家良率的提升，未来流入市场的等外品会越来越少，到时价格将会逐步得到厂家的控制，价格的变化将会更加理性，也就是说，到时可能会出现一波价格修正行情。

结论：

短线（两周以内）DDR3价格的继续维持弱势区间盘整,也就是轻微下跌的机会偏大；
中线（四周以内）：10月底前DDR3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌。
操作建议：建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。需要提示的是DDR3价格即使偶然出现反弹空间也有限,不建议大量建仓DDR3，进行投机。

DDR2：

上周现货市场2GB DDR2内存价格呈现先升后跌走势，而市场需求继续呈现旺季不旺的特点。其中金士顿2GB DDR2价格尾市跌破240元关卡,跌至236元附近展开盘整。而颗粒方面，价格则出现超跌反弹走势，其中Hynix 1Gb DDR2 800最低由最低点1.76美金附近升至1.82美金附近，1Gb eTT DDR2价格也是出现了相同的走势,反弹至1.85美金附近。
下周时序将进入9月底，随后就是十一长假期，我预计DDR2的市场主流地位将在9月底前后被DDR3所代替,届时伴随着 DDR2需求的不断萎缩和DDR3价格的下滑造成的压力，DDR2的价格还将会有下滑的空间，预计年底前1Gb颗粒的价格恐怕再难有机会上2.10美金了。
前期我们谈到，当返校、圣诞和十一补货需求结束后，有关DRAM厂家将会已经退而求次退守1.80美金关卡，从上周的情况来看，价格一度跌破1.80美金，这显示市场供大于求的情况并未得到改善,长线1Gb DDR2价格退守1.50美金的机会大增。
考虑到大陆现货市场模组的价格主要由金士顿主导，而金士顿近期以利润为主的策略导致其目前价格相对于颗粒价格稍微偏高，因此KST 2GB DDR2内存的价格中短线难以跌破220元关卡，而长线价格则维持在190元-240元之间盘整的机会偏高。
随着DRAM厂家设备折旧费的摊薄完毕，目前1Gb DDR2颗粒的厂家变动成本处于1.00-1.30美金之间，按照这个成本计算，eTT DDR2 1Gb的合理价格区间为1.50-1.80美金之间。
DDR2的中长线仍有下跌的机会和空间，只是短线已经进入旺季，走势就会有反复。

结论：

短线(两周以内)我们继续对DDR2走势维持“中偏空”研判；长线维持“中性”研判。
模组方面：短线（指两周内）维持 “中偏空”研判，盘整区间将会有所下移。包括金士顿在内多数品牌DDR2 2GB内存价格将维持在200元－245元之间的区间内盘整的机会较大，一般而言跌破200元和涨过245元的机会有但就都不大。
颗粒方面：短期（指两周内）我们持“中偏空”研判。预计Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.60－1.90美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时跌破1.60美金和涨过1.90美金的机会有但就都不大。
中期（四周以内），我们对后市DDR2的走势维持缓慢震荡下跌的的研判，维持弱势格局的机会偏大，但也不会大跌。
操作建议：目前的风险等级处于“中偏低”。维持合理流水库存正常经营，适当波段操作，逢低建仓，逢高减磅。操作上要注意控制风险，不宜追高，因为没有什么大的机会，但是DDR2也不易完全空仓操作。
建议一旦价格出现反弹，维持正常经营即可，审慎操作，需要补货的正常补货即可。有货的不建议追高投机，应该以慢慢消化库存为主。

Nand Flash：

Nand Flash的反弹行情基本结束，价格总体上仍处于下降通道中，只是现货市场的畅销型号产品的价格仍处于强势盘整之中。上周现货市场的需求仍属一般，市场仍处于弱平衡状态，而个别型号价格出现反弹属于市场结构性需求造成的，但这种反弹势头已经明显减弱。
T卡价格继续下跌走势，价格已经创出有史以来的最低价，这一方面显示T卡市场的疲弱走势并未改变，另一方面则可能预示着T卡的需求已经较高峰时期有所下滑。
由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡或是内置卡的策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们预计T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，在操作上应注意控制风险，不应对任何反弹报不切实际的幻想。
苹果化整为零的采购策略最大可能避免了对现货市场价格的影响，以往大幅波动的情况已经不见了；其次是现货市场Nand Flash的需求占总体Nand Flash需求比例在下降， OEM市场的份额却在上升，因此现货市场需求对价格的影响已经下降。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前现货市场需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对定位低端产品的TLC而言或许会更大一些，但是同时也会受到TLC产品低价格的制约。
鉴于目前Flash生产厂家的制程已经提升，产能也在陆续开出，我们继续维持原有的研判，即预计年底前，Flash的价格总体上呈现缓慢下滑走势。

结论：

未来两周的价格走势， 我们认为Nand Flash走势维总体持“中偏软”研判，对于MicroSD，低阶产品持“中性”或“中偏软”，中、高阶产品就持“中偏软”。
操作建议：
建议可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,正常经营，预计维持震荡下跌走势。
DDR3：维持正常流水库存,正常经营, 预计维持震荡下跌走势。
Flash：正常经营， 波段操作，预计年底前维持震荡下跌走势的机会偏大，今年难以出现大幅上涨的走势
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计中高阶产品价格维持震荡下跌走势的机会偏大，今年难以出现大幅上涨的走势。

未来四周内存价格走势预测
 
 

未来四周DRAM颗粒价格走势预测