上周回顾及未来三周走势分析

在DDR3的价格下滑和DDR2价格虚高的刺激下，近期D3的换代需求快速成长。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至3.50美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至3.00美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破200元整数关卡。 换代加速导致DDR2需求明显下滑,并导致上周现货市场的D2内存价格缓步下滑。其中Hynix 1Gb颗粒价格跌至1.80美金附近，而eTT 1Gb颗粒价格缓慢下跌至1.78美金附近；而虚高的模组价格也难以为继，价格下滑就较为明显，尾市金士顿2GB D2价格跌至248元附近，其它品牌的价格也跟随下滑。 由于现货市场需求一般，上周Nand Flash价格走势总体上呈现弱势区间盘整走势，涨跌互现，其中少部分型号的产品价格出现反弹，但总体供求关系仍维持弱动态平衡。供大于求和需求萎缩共同导致现货市场Micro SD（T卡）的价格走软，T卡无论高中低阶的产品价格均维持下滑态势。

上周存储器走势回顾(2010.10.18-2010.10.24)

在DDR3的价格下滑和DDR2价格虚高的刺激下，近期D3的换代需求快速成长。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至3.50美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至3.00美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破200元整数关卡。
换代加速导致DDR2需求明显下滑,并导致上周现货市场的D2内存价格缓步下滑。其中Hynix 1Gb颗粒价格跌至1.80美金附近，而eTT 1Gb颗粒价格缓慢下跌至1.78美金附近；而虚高的模组价格也难以为继，价格下滑就较为明显，尾市金士顿2GB D2价格跌至248元附近，其它品牌的价格也跟随下滑。
由于现货市场需求一般，上周Nand Flash价格走势总体上呈现弱势区间盘整走势，涨跌互现，其中少部分型号的产品价格出现反弹，但总体供求关系仍维持弱动态平衡。供大于求和需求萎缩共同导致现货市场Micro SD（T卡）的价格走软，T卡无论高中低阶的产品价格均维持下滑态势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.10.25-2010.11.14)

DRAM：

转眼时序已经进入10月下旬，近期终端需求维持常态，相对于去年同期仍属于一般；供应方面，10月底开始2Gb DDR3颗粒的产能将开始大量释放，良率也将大幅提升，DDR3供应将会明显增加，而对DDR2而言，需求的萎缩速度远远大于供应的减少速度。
目前DRAM厂家均努力提升DDR3的制程和良率，这将直接导致未来长线DDR3的供应增加和DDR2供应减少。
需求方面，上周DDR3需求增加明显，而DDR2需求则下滑显著。其中D3的价格受到需求增加的支撑而出现盘整，而D2的价格则受到需求萎缩影响开始走软。目前现货市场销售的DDR3与DDR2产品比例（按GB计算）大约是9：11，已经接近1：1，我们预计在未来2-4周内DDR3的销量就会超越DDR2。
DDR3颗粒方面，白板2Gb D3颗粒的价格已经跌至3美金附近，由此我们预计中长线2Gb D3颗粒价格在3美金以上区域仍是危险区域。Hynix DDR3 1Gb颗粒的价格下跌至1.85美金附近，eTT颗粒的价格轻则快速下跌至1.65美金附近，因此如果未来2Gb颗粒的价格继续下滑将对1Gb颗粒的市场寿命构成致命打击。
DDR2颗粒方面，价格全线轻微下滑，其中Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.80美金附近;而1Gb eTT DDR2价格则维持缓慢下跌至1.78美金附近。
考虑到目前的D3 2GB颗粒的成本相对较低并仍有下跌空间以及D3 价格已经全线跌破D2，预计D3的销量将会在未来2-4周内超越D2。
内存方面，2GB DDR2内存价格缓步下滑。其中金士顿2GB DDR2价格由前期反弹高位260元小幅跌至248元附近。而2GB DDR3价格就跌势趋缓，KST 2GB DDR3围绕198元附近盘整，短线似乎有趋稳迹象。
由于电脑市场产品的多元化，尤其是平板电脑和MID等便携式产品的大量出现，这些便携式产品的配置一般都偏低，但又对传统的台式机和笔记本电脑的市场份额有所侵蚀，因此这些产品的上市对于DRAM行业来讲总体上是一个利空。
第四季度将会是DDR3市场份额快速成长的季度,考虑到未来采用64位操作系统的电脑增长缓慢等因素,预计DDR3增加的需求难以有效消化有效产能的增加，10月底前DDR3的价格总体将一直面临轻微的向下压力。需要提醒的是，随着DRAM厂家良率的提升，未来流入市场的等外品会越来越少，到时价格将会逐步得到厂家的控制，长线价格的变化将会更加理性，也就是说，到时可能会出现一波价格修正行情。
而DDR2的市场主流地位即将被DDR3所代替后,伴随着 DDR2需求的不断萎缩和DDR3价格的下滑构成的双重压力，DDR2的价格还会有下滑的空间，预计年底前1Gb颗粒的价格恐怕再难有机会上2.00美金了。长线1Gb DDR2价格退守1.50-1.70美金区间的机会大增。

结论：

短线（两周以内）：
模组方面：
（1） D3价格将会维持缓慢下滑走势，但跌势将会明显趋缓。2GB D3内存在170-200元之间弱势震荡。
（2） D2价格将会维持缓慢下滑走势，偶有反弹，2GB D2内存在220-245元之间弱势震荡。
颗粒方面：
（1） D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在3.20－3.70美金之间区间内弱势盘整的机会较大。
（2） D2方面，预计1Gb DDR2的价格维持在1.60-1.80美金之间弱势盘整的机会偏大。

中线（四周以内）：
（1） DDR3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌。
（2） DDR2价格将继续缓慢震荡下跌的的研判不变，维持弱势格局的机会偏大，但不会大跌,并会偶有反弹。

操作建议：

(1) D3建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。需要提示的是，随着销量的快速上升，D3未来也可能会开始出现反弹了。
(2) D2目前的风险等级处于“中偏低”。维持合理流水库存正常经营，适当波段操作，逢低建仓，逢高减磅。操作上要注意控制风险，不宜追高，因为没有什么大的机会，但是DDR2也不易完全空仓操作。建议一旦价格出现反弹，维持正常经营即可，审慎操作；实际需要补货的正常少量补货即可；有货的则不建议追高投机，应该以慢慢消化库存为主。

Nand Flash：

上周现货市场价格走势分化，有跌有涨，但是总体偏软。显示现货市场的需求不佳的情况下，上游的对供应的控制对价格的走势有较大影响力。
Nand Flash价格总体上仍处于下降通道中，只是现货市场的畅销型号产品的价格会时不常出现一波反弹走势。上周现货市场的需求仍属一般，市场仍处于弱平衡状态，而一些型号价格出现反弹属于市场结构性需求和供应造成的，并非需求所致，且无规律可循。
T卡价格继续下跌走势，价格已经创出有史以来的最低价，这一方面显示T卡市场的疲弱走势并未改变，另一方面则也揭示了T卡的需求已经较高峰时期有大幅下滑。
由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡或是内置卡的策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求（按销售的产品数量计算）相对于以往高峰期出现下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们预计年底前，T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，在操作上应注意控制风险，不应对任何反弹的幅度报不切实际的幻想。
苹果化整为零的采购策略最大可能避免了对现货市场价格的影响，以往大幅波动的情况已经不见了；其次是现货市场Nand Flash的需求占总体Nand Flash需求比例明显下降，OEM市场的份额却在大幅上升，因此现货市场需求对价格的影响明显下降。
总体而言,由于Flash的应用越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年SSD需求的正在逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但总的趋势就会越来越便宜。
目前现货市场需求总体未能有效增强的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、OEM市场的需求、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。就长线来看,制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求。
就中线而言，受到MLC产品转产TLC的影响，预计未来MLC产能将会逐步减少，未来后市即使价格出现上涨，MLC产品的上涨空间相对定位低端TLC产品而言或许会更大一些，但是同时MLC也会一定程度上受到TLC产品低价格的制约。
总体而言，由于现货市场的生态与往年已经截然不同，预计年底前Flash相关产品的价格走势总体偏弱。由于现货Flash颗粒市场需求占总体需求份额下滑，预计后市现货市场的Flash价格易跌难涨，且价格走势多受到厂家供应影响；但是需要注意的是在这种情况下，价格时有反弹，但反弹的空间和持续的时间都相对有限。
鉴于目前Flash生产厂家的制程已经提升，产能也在陆续开出，我们继续维持原有的研判，即预计年底前，Flash的价格总体上呈现缓慢下滑走势，但是下跌幅度总体不大。

结论：

未来两周的价格走势， 我们认为Nand Flash走势维总体持“中性”或“中偏软”研判。
对于MicroSD，低阶产品同样持“中性”或“中偏软”。

操作建议：

建议Nand Flash可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注个别型号产品的供应方面的变化，把握局部波动机会，但不宜盲目乐观，难以出现以往一涨俱涨的局面。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,不空仓的情况下,正常经营，预计缓慢维持震荡下跌走势,时有反弹。
DDR3：维持正常流水库存,正常经营, 预计维持缓慢震荡下跌走势，并开始出现反弹。
Flash：正常经营， 波段操作，预计年底前维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，但是个别型号时有反弹。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计中高阶产品价格维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，但是预计后面的下跌幅度会收窄。

未来四周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	200-245	总体轻微下滑走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	160-200	总体轻微下滑走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
eTT、Hynix	1Gb DDR2 800	USD1.60-1.85	总体轻微下滑走势
eTT、Hynix、南亚	2Gb DDR3 1333	USD3.00-3.70	总体轻微下滑走势