上周回顾及未来三周走势分析

上周的内存市场继续显示出加速换代阶段的特点,也就是新一代产品DDR3内存的价格持续下滑，而DDR2内存的价格却相对颗粒价格则在高位盘整，D3和D2价格差使换代继续快速推进。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.90美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至2.50美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破180元整数关卡。 换代加速导致DDR2需求明显下滑,上周现货市场的D2内存价格缓步下滑，但是由于金士顿价格相对坚挺，因此总体跌幅有限。颗粒价格走势就不同，由于超跌而出现反弹，价格由最低时的1.55美金附近反弹至1.62美金附近。即使相对于反弹后颗粒的价格，内存价格仍相对偏高，未来价格仍有下滑的压力，尾市金士顿2GB D2价格轻微下跌至245元附近，其它品牌的价格也跟随下滑。 年底补货需求逐步出现，近期现货市场需求有所好转，Nand Flash价格走势总体上呈现区间盘整走势、涨跌互现，其中部分型号的产品价格出现反弹，但总体供求关系仍维持弱动态平衡，价格的走势主要仍由上游主导。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体呈现超跌反弹走势，T卡产品价格的急跌走势得到一定程度的遏制。

上周存储器走势回顾(2010.11.01-2010.11.07)

上周的内存市场继续显示出加速换代阶段的特点,也就是新一代产品DDR3内存的价格持续下滑，而DDR2内存的价格却相对颗粒价格则在高位盘整，D3和D2价格差使换代继续快速推进。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.90美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至2.50美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破180元整数关卡。
换代加速导致DDR2需求明显下滑,上周现货市场的D2内存价格缓步下滑，但是由于金士顿价格相对坚挺，因此总体跌幅有限。颗粒价格走势就不同，由于超跌而出现反弹，价格由最低时的1.55美金附近反弹至1.62美金附近。即使相对于反弹后颗粒的价格，内存价格仍相对偏高，未来价格仍有下滑的压力，尾市金士顿2GB D2价格轻微下跌至245元附近，其它品牌的价格也跟随下滑。
年底补货需求逐步出现，近期现货市场需求有所好转，Nand Flash价格走势总体上呈现区间盘整走势、涨跌互现，其中部分型号的产品价格出现反弹，但总体供求关系仍维持弱动态平衡，价格的走势主要仍由上游主导。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体呈现超跌反弹走势，T卡产品价格的急跌走势得到一定程度的遏制。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.11.08-2010.12.05)

DRAM：

上周终端需求继续维持常态，而时间已经进入第四季度中旬，总体未见明显转好；供应方面，2Gb DDR3颗粒的供应明显增加，而价格明显下滑；同时我们也会感受到DDR2需求的快速萎缩。目前DRAM厂家均努力提升DDR3的制程和良率，这将直接导致未来长线DDR3的供应增加和成本下滑，而DDR2供应未来则会逐步减少。
D3的价格继续受到需求持续增加的支撑，跌势有逐步趋缓的迹象，而D2的价格则受到需求萎缩影响继续偏软。目前现货市场销售的DDR3与DDR2产品比例（按容量计算）大约是7：3，现货市场的DDR3销量首次超越DDR2，市场的投机炒作也开始转移至DDR3上。
DDR3颗粒方面，白板2Gb D3颗粒的价格已经跌至2.5美金附近，由此我们预计中长线2Gb D3颗粒价格在2.50美金以上区域是危险区域。Hynix DDR3 1Gb颗粒的价格下跌至1.60美金附近，eTT颗粒的价格轻则快速下跌至1.50美金附近，因此目前的2Gb颗粒的价格已经对1Gb颗粒的市场寿命构成致命打击，如价格继续下滑的话，1Gb颗粒生产厂家面临即将亏损局面。
DDR2颗粒方面，由于前期的恐慌性抛售导致价格急跌，在上周末价格出现超跌反弹，价格出现了修正。其中Hynix 1Gb DDR2 800最低跌至1.55美金后受到投机买盘和捕获需求的支持，价格迅速反弹至1.62美金附近。
内存方面，2GB DDR2内存价格下滑步伐较为缓慢，主要是受到市场销量最大的品牌金士顿2GB DDR2价格维持在高位的支撑，目前的DDR2内存价格相对于颗粒价格仍偏高。金士顿2GB DDR2价格就在243-246元中间展开盘整；而2GB DDR3价格跌势开始趋缓，KST 2GB DDR3围绕176元附近盘整，预计中线跌势维持这种态势。
今年电脑市场正处于多变时期，先是上网本的上市接着是大量的多媒体便携式设备的涌现都在一定程度上分流了传统PC市场的需求，而这些便携式产品的配置相对于传统电脑而言都偏低，因此这些产品的上市对于DRAM行业来讲总体上是一个弊大于利。但是另一个角度上来讲，非标准的DRAM需求也因此大幅增加，包括Mobile DRAM等在内的所谓低功耗、小型化的DRAM产品需求使得DRAM产品也趋于多元化，这在一定程度上吃掉了部分DRAM产能，使得市场上标准DRAM供应先对减少。
第四季度DDR3市场份额快速成长的季度,考虑到未来采用64位操作系统的电脑增长缓慢等因素,预计DDR3增加的需求难以有效消化有效产能的增加，年底前DDR3的价格总体将一直面临轻微的向下压力。但是需要提醒的是，随着DRAM厂家良率的提升，未来流入市场的等外品会越来越少，到时价格将会逐步得到厂家的控制，长线价格的变化将会更加理性，也就是说，未来价格超跌后会出现一波价格修正行情可能性比较高。
而DDR2的市场主流地位已经被DDR3所代替后,伴随着 DDR2需求的不断萎缩和DDR3价格的下滑构成的双重压力，DDR2的价格还会有下滑的空间，预计年底前1Gb颗粒的价格恐怕再难有机会上1.75美金了，长线1Gb DDR2价格最终退守1.30-1.60美金区间的机会大增。

结论：

短线（两周以内）：
模组方面：
（1） D3价格将会维持缓慢下滑走势，跌势将会继续趋缓。2GB D3内存在150-180元之间弱势震荡，偶有反弹。
（2） D2价格将会维持缓慢下滑走势，偶有反弹，2GB D2内存在200-245元之间弱势震荡。
颗粒方面：
（1） D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在2.50－2.90美金之间区间内弱势盘整的机会较大。
（2） D2方面，预计1Gb DDR2的价格维持在1.40-1.60美金之间弱势盘整的机会偏大。

中线（四周以内）：
（1） DDR3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌，并会偶有反弹。
（2） DDR2价格将继续缓慢震荡下跌的的研判不变，维持弱势格局的机会偏大，但不会大跌,并会偶有反弹。
操作建议：
(1) D3建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。需要提示的是，D3未来出现超跌反弹的机会大增。
(2) D2目前的风险等级处于“中偏低”。维持合理流水库存正常经营，不宜投机D2。

Nand Flash：

由于需求有所转好，上周现货市场Nand Flash价格总体呈现出现超跌反弹走势，但是具体型号而言则有跌有涨。显示在接近年底传统消费旺季，生产厂家开始出现一定的补货需求，而这一切均建立于自上游的对现货市场的供应的控制的基础之上。
目前Nand Flash价格出现的反弹是否可以彻底改变其年初以来的下跌走势仍有待于观察，需等待下周结束后才能下结论。因为现货市场的价格走势受到多重因素左右，原因也比较复杂，尤其是价格是全局性的反弹走势，还是局部的供不应求造成的，所有这些在现在仍不明朗，但有一点是肯定的，那就是近期需求开始好转和供应处于合理范围，这些均有利于价格的走强。
T卡价格同样也出现触底反弹走势，显示经过前一阶段相当长的时间消化，市场的投机库存已经基本消化完毕，供需关系开始发生一定的变化，但是是否彻底改变就有待于下周验证。
首先由于便携式多媒体设备的畅销，各种版本的MID和平板电脑陆续上市，这直接导致Nand Flash的增量需求产生；其次年底前为了应对年底传统旺季需求，生产厂家陆续开始备货；再次价格自年初开始震荡下滑导致市场的投机需求一直被压抑，库存水位也维持在低位，当价格逐步企稳后，市场的投机需求也开始活跃，捕获需求开始浮现；最后上游一直在努力抑制价格的下滑态势，控制现货市场的供应。在以上几个因素的综合作用下，价格在近期终于开始有所起色，但是是否能够持续上涨仍有待于观察。
近期的MicrSD（T卡）价格出现了反弹，超跌反弹的因素占了大部分，并非需求所致，具体原因还是前期我们谈到的，由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡或是内置Flash的策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求增长出现大幅下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们维持年底前，T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，而且上涨总体幅度应该在可控的范围内，不应对任何反弹的幅度报不切实际的幻想。
由于包括苹果在内的品牌生产厂家化整为零的采购策略和Nand Flash厂家近年来的提升制程、降低成本和积极扩产，这些都最大可能避免了对现货市场价格的影响，以往大幅波动的情况已经不见了；其次是现货市场Nand Flash的需求占总体Nand Flash需求比例交易网下降明显，OEM市场的份额却在大幅上升，因此现货市场需求对价格的影响明显下降，在此情况下，Nand Flash厂家均对在现货市场的出货保持极为理性和相对保守的态度。
总体而言,由于Flash的应用范围越来越广,产品日趋多元化、差异化和高容量化趋势越加明显,尤其今年开始SSD需求的正逐步启动,未来对Flash的影响深远且不可低估，未来影响Nand Flash走势的因素也越来越多，因此长期而言价格也越加多变和难以预料，但为了加速Nand Flash的应用，生产厂家总会维持价格越来越便宜的趋势。
由于现货市场需求总体未能有效增强，并且所占市场份额下滑的情况下，未来影响价格走势的关键更多地还是由上游Flash厂家的产能、OEM市场的需求、产品类型多样化、差异化和市场竞争策略所决定。但就长线来看,随着制程的提升、成本的下滑和容量的增加，厂家也倾向于适当降价扩大市场需求和应用范围。
就中线而言，现货市场受到TLC产品低价格的影响，未来后市即使价格出现反弹，MLC产品的上涨空间也将受到一定程度的压制，但是两者产品毕竟不同，不可取代性又将导致性能高的MLC的上涨或许会更大一些。
总体而言，由于现货市场的生态与往年已经截然不同，预计年底前Flash相关产品的价格走势总体偏弱。由于现货Flash颗粒市场需求占总体需求份额下滑，预计后市现货市场的Flash价格易跌难涨，且价格走势多受到厂家供应影响；需要注意的是在这种情况下，应对季节性的需求和补货需求，价格将会时有反弹，现在或许就是这个阶段，但需要说明的是反弹的空间和持续的时间都相对不大。
鉴于目前Flash生产厂家的制程已经提升，产能也在陆续开出，我们继续维持原有的研判，即预计年底前，Flash的价格总体上呈现缓慢下滑走势，由于前期累计跌幅已经较大，预计后期下跌幅度总体有限。

结论：

未来两周：
由于年底补货需求出现，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体会持“中性”研判，涨跌互现，畅销型号的价格将可能会走强。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，走势区间震荡，涨跌互现，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”或是“中偏空”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持偏弱格局。
操作建议：
建议Nand Flash可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注个别型号产品的供应方面的变化，把握局部波动机会，但不宜盲目乐观，难以出现以往一涨俱涨的局面。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：维持正常流水库存,正常经营，空仓投机库存。预计缓慢维持震荡下跌走势,时有反弹。
DDR3：维持正常流水库存, 轻仓操作，正常经营,。 预计总体维持缓慢震荡下跌走势，并有机会出现反弹。
Flash：正常经营， 波段操作，预计年底前维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，但是年底钱补货的补货需求将导致一些型号出现反弹。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计高阶产品价格维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，而中低阶产品的价格将会振幅加大，交易性的反弹机会开始出现。

未来四周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	200-245	总体轻微下滑走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	150-180	总体轻微下滑走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
eTT、Hynix	1Gb DDR2 800	USD1.45-1.70	总体轻微下滑走势
eTT、Hynix、南亚	2Gb DDR3 1333	USD2.30-2.90	总体轻微下滑走势