上周回顾及未来三周存储器走势分析

上周DRAM现货市场继续呈现快速换代和需求不佳的双重特点。在DDR3良率提升和产出增加的带动下,DDR3颗粒价格继续全线走软，市场买家处于普遍观望之中，但DDR3已经成为市场的绝对主流；DDR2需求则快速萎缩，价格继续缓步下滑，市场份额已经不到20%，淘汰速度之快令人咂舌。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.70美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至2.45美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破175元整数关卡，2GB DDR2价格除金士顿尚处于高位外，其它品牌的价格均有所下滑。 DDR2颗粒价格再次跌破1.60没劲关卡，未来仍有下跌的压力，相对于颗粒的价格，内存价格仍相对偏高，未来下滑的压力不小。除了金士顿2GB D2价格继续维持高位以外，其它品牌的价格继续下滑。

上周存储器走势回顾(2010.11.08-2010.11.14)

标准DRAM：

上周DRAM现货市场继续呈现快速换代和需求不佳的双重特点。在DDR3良率提升和产出增加的带动下,DDR3颗粒价格继续全线走软，市场买家处于普遍观望之中，但DDR3已经成为市场的绝对主流；DDR2需求则快速萎缩，价格继续缓步下滑，市场份额已经不到20%，淘汰速度之快令人咂舌。其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.70美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至2.45美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破175元整数关卡，2GB DDR2价格除金士顿尚处于高位外，其它品牌的价格均有所下滑。
DDR2颗粒价格再次跌破1.60没劲关卡，未来仍有下跌的压力，相对于颗粒的价格，内存价格仍相对偏高，未来下滑的压力不小。除了金士顿2GB D2价格继续维持高位以外，其它品牌的价格继续下滑。

Nand Flash：

上周现货市场Nand Flash走势呈现结构性的反弹之中，在部分产品补货和投机需求和供应方的减少供应的共同带动下，Nand Flash价格走势总体上呈现强势区间盘整走势，其中部分型号的产品价格出现反弹，但尾市市场出现获利了结行为，导致尾市价格总体轻微走软。目前总体供求关系仍维持弱动态平衡，价格的走势主要仍由上游主导。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体呈现区间内震荡，涨跌互现，总体偏强，需要提示的是T卡的价格不可持续。
未来四周存储器价格走势分析预测(2010.11.15-2010.12.12)

DRAM：

上周终端需求继续维持常态，也就是一般，而时间却处于第四季度中旬，总体未见明显转好；供应方面，随着良率的提升，市场上2Gb DDR3颗粒的供应明显增加，而价格继续下滑；而DDR2的需求以惊人的速度的快速萎缩。
目前DRAM厂家均努力提升DDR3的制程和良率，其中，美光系厂家的53nm制程的良率大幅提升，三星的40nm制程产品大量产出，其供应到市场的产品几乎都是2Gb产品。但是尔必达系厂家的2Gb产品在现货市场上很少见到，其中力晶仍以63nm的1Gb为主，成本要高很多，以目前现货市场的价格来讲，已经跌破成本价格。
前一周，D3的价格继续受到需求持续增加的支撑，跌势有逐步趋缓的迹象，但是伴随着良率的提升和产出的增加，这种偏弱的供求均势随即被打破，价格于是再次下滑。D2的价格则受到需求萎缩影响继续偏软，跌势短线难以改变，目前现货市场销售的DDR3与DDR2产品比例（按容量计算）大约是8：2，市场商家的关注点已经转移至DDR3上，投机炒作也转移至DDR3上。
DDR3颗粒方面，二线品牌的2Gb D3颗粒的价格已经跌至2.35美金附近， Hynix DDR3 1Gb颗粒的价格快速下跌至1.35美金附近，eTT颗粒的价格轻则快速下跌至1.45美金附近。2Gb颗粒的价格已经对1Gb颗粒的市场寿命构成致命打击，1Gb颗粒生产厂家已经面临亏损局面。我们预计，长线而言2Gb D3颗粒价格在2.00美金以上区域都是高位区域。
DDR2颗粒方面，经历了短暂的反弹，DDR2颗粒价格继续下滑，其中Hynix 1Gb DDR2 800再次跌破1.60美金，eTT颗粒也跌至1.58美金附近，DDR2的淘汰正以出乎意料的速度进行。
内存方面，2GB DDR2内存价格下滑步伐仍较为缓慢，主要还是受到市场销量最大的品牌金士顿2GB DDR2价格维持在高位的支撑，目前的DDR2内存价格相对于颗粒价格仍偏高。金士顿2GB DDR2价格就在247元附近展开盘整，但是其它品牌的价格均在下滑；2GB DDR3价格跌势趋缓未能继续，上周末价格开始继续下滑，KST 2GB DDR3跌至174元附近，其它品牌均出现幅度不大的下滑，预计中线来讲维持这种缓慢下跌的态势。
就供求关系而言，由于前年DDR2的崩盘并未像以往一样导致有厂家退出标准DRAM市场，尽管没有新的工厂投产，但是萎缩制程同样起到了提高产量的效果。需求端由于操作系统多是32位系统，而Win 7对内存的要求相对Vista反而下滑，因此终端消费者没有必须加大内存搭载量的必要性和急迫性，因此目前的供大于求的局面就不可避免地出现了。

结论：

短线（两周以内）：

内存方面：
（1） D3价格将会维持缓慢下滑走势，跌势将会继续趋缓。2GB D3内存在150-175元之间弱势震荡，偶有反弹。
（2） D2价格将会维持缓慢下滑走势，，偶有反弹，2GB D2内存在200-245元之间弱势震荡。
颗粒方面：
（1） D3方面，预计包括副牌在内的品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在2.20－2.75美金之间区间内弱势盘整，也就是缓慢下跌的机会较大。
（2） D2方面，预计1Gb DDR2的价格维持在1.40-1.60美金之间弱势盘整，也就是缓慢下跌的机会较大。

中线（四周以内）：

（1） DDR3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌，但可能会偶有反弹。
（2） DDR2价格将继续维持缓慢震荡下跌的的研判不变，维持弱势格局的机会偏大，并可能会偶有反弹。
操作建议：
(1) D3建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。需要提示的是，D3未来出现超跌反弹的机会大增。
(2) D2目前的风险等级处于“中偏低”。维持合理流水库存正常经营，不宜投机D2。

Nand Flash：

在厂家对供应的有序控制下，前两周现货市场出现结构性的补货需求，尤其是三星的部分产品，并在市场部分投机需求推波助澜下，上周现货市场Nand Flash部分型号价格继续强势反弹走势，但是尾市涨势减弱；而其它型号的市场需求总体仍一般，价格基本处于窄幅区间盘整之中。
以上周的市场情况来看，近期部分型号Nand Flash价格出现的反弹并没有改变Nand Flash的总体下跌走势，还只是局部结构性供求矛盾导致的结果。近几年市场多家Nand Flash生产厂家的制程不断提升、产品型号多样化使Nand Flash的市场处于形成的有序竞争局面，价格也处于有序的控制之中，总体价格基本上处于震荡下滑之中，并未出现以往在短时间内大幅下挫并跌破成本价的局面，所以出现全局性的大幅上涨的机会很小，除非出现了具有革命性的产品并由此引出爆炸性需求。
智能手机和多媒体终端设备均已逐步采用内置MCP方案，由于MCP的接口标准统一，使终端厂商设计和生产流程简化，也不必再单独采购不同的Nand Flash，这也同时导致终端标准外置卡类产品的需求减少。我们也看到终端消费者对各种Flash存储器产品的需求也已经完成从无到有的爆炸性需求阶段，未来对各类Flash存储产品的需求将会维持常态平稳增长，难以再现以往爆炸性的增长。Nand Flash产品的增长未来一段时间将主要靠各种终端产品内置需求来驱动。
现货Nand Flash现货市场的真如我们多次强调的一样，Nand Flash价格走势由于产品的多元化，受到多重因素左右，原因也比较复杂，已经不具有一般大宗产品所具有的单一性以及价格特性，反弹一般也多是局部的。
对于终端产品设计而言，MCP的出现简化了设计方案，使生产厂家不必针对不同厂家的Nand Flash产品设计不同的解决方案，而且目前的MCP已经将Mobile DRAM、Nand Flash和Nor Flash集于一身，且接口统一，我们可以想象未来采取MCP将会是终端便携式产品内嵌式方案的首选。这也将对Nand Flash颗粒的需求带来负面影响。未来能够对Nand Flash需求有大幅作用的目前只能寄希望于SSD，但是Nand Flash降价则是前提。
T卡中的1GB及2GB容量的中阶产品的价格同样继续反弹走势，低阶产品的价格则维持盘整，高阶产品的价格则仍轻微偏软，部分型号产品的价格出现反弹，显示市场需求总体不够旺盛，研判未来持续上扬的机会不大。近期的MicrSD（T卡）价格出现了反弹，超跌反弹的因素占了大部分，并非需求转好所致，具体原因还是前期我们谈到的，由于便携式产品内置大容量Flash渐成趋势、中低档山寨手机厂家手机出厂采取不配卡或是内置Flash的策略，这些均导致来自于现货市场的Micro SD总体需求增长出现大幅下滑，T卡市场需求的高速增长期已经结束，未来将进入平稳增长期。我们维持年底前，T卡的价格难以出现以往大幅上涨的走势，而且上涨总体幅度应该在可控的范围内，不应对任何反弹的幅度报不切实际的幻想。

结论：

未来两周：

由于年底补货需求出现，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体会持“中性”研判，涨跌互现，畅销型号的价格将可能会维持强势，但是不宜追高，风险加大。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，走势区间震荡，涨跌互现，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或是“中偏空”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持偏弱格局。
操作建议：
建议Nand Flash可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注个别型号产品的供应方面的变化，把握局部波动机会，但不宜盲目乐观，难以出现以往一涨俱涨的局面。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR2：预计缓慢维持震荡下跌走势,偶有反弹。建议维持正常流水库存,正常经营。
DDR3：预计总体维持缓慢震荡下跌走势，偶有反弹。建议维持正常流水库存, 正常经营,。
Flash：正常经营， 波段操作，预计年底前维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，但是部分型号会时有反弹。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计高阶产品价格维持缓慢震荡下跌走势的机会偏大，而中低阶产品的价格将会振幅加大，交易性的反弹机会时有出现。

未来四周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	180-245	总体轻微下滑走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	130-175	总体轻微下滑走势

 
未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
eTT、Hynix	1Gb DDR2 800	USD1.45-1.65	总体轻微下滑走势
eTT、Hynix、南亚	2Gb DDR3 1333	USD2.00-2.70	总体轻微下滑走势