上周回顾及未来三周走势分析

近期内存市场受到多重意外消息的影响，价格走势出现了轻微反弹，但是总体上并未能扭转走势偏软的格局。DDD3已经成为市场主流，DDR2的需求则急剧萎缩，市场份额已经只有1成左右。产能的增加导致DDR3的价格不断下滑，而市场的买气不佳更加剧了这种走势。 其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.15美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至1.60美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破160元整数关卡。

上周存储器走势回顾(2010.11.22-2010.11.28)

近期内存市场受到多重意外消息的影响，价格走势出现了轻微反弹，但是总体上并未能扭转走势偏软的格局。DDD3已经成为市场主流，DDR2的需求则急剧萎缩，市场份额已经只有1成左右。产能的增加导致DDR3的价格不断下滑，而市场的买气不佳更加剧了这种走势。
其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.15美金附近，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至1.60美金附近；而品牌内存2GB D3 1333模组的价格则全线跌破160元整数关卡。
由于年后价格持续下滑，现货市场库存处于低位,因此在近期出现了超跌反弹走势，而这一反弹走势受到在朝韩炮击事件影响,在年底补货需求的出现多种因素共同影响下，上周Nand Flash价格走势总体上呈现上涨走势。需要说明的是目前现货市场得总体供求关系仍维持弱动态平衡，价格的走势主要由上游主导,需求也是结构性的。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体继续超跌反弹走势,价格在尾市出现再次上扬，但是总体价格并未形成反转走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.11.29-2010.12.26)

DDR3：

台湾地震和韩朝炮击事件均是近期出现的意外事件，虽然市场对此有所反应，价格也出现了轻微的反弹的，但是最终均仍无法扭转价格的下滑走势，这反映出目前市场供大于求决定价格走势的基本现实。
我们注意到，目前现货市场的D3已经完全成为市场主流，但是这并不能阻止价格的进一步下滑，原因何在呢？这主要是因为虽然2Gb颗粒已经成为主流，但内存却以2GB容量为主的情况下，形成了由于制程提升多产出的颗粒无法消化的局面，因此未来要想消化多余的颗粒产量，单机内存搭载量必须要以4GB为主。
DDR3颗粒方面，由于42nm的2Gb D3颗粒的成本只有1.30－1.50美金，并且跌破两颗1Gb的价格，1Gb颗粒生产厂家开始面临亏损局面，1Gb D3颗粒开始逐步淘汰出局，预计在明年第一季度底前1Gb颗粒将会被彻底被边缘化。
内存方面， 经过近几个月2GB DDR3内存的价格持续下跌后，出现了首次小幅反弹，KST 2GB DDR3由155元最高反弹至164元，尾市再次下滑至159元附件。这次反弹也是年后D3下跌后，第一次像样一点的反弹，由此我们预计未来中线D3跌势将会趋缓，反弹也将会时有发生。
现货市场的需求较去年同期有所萎缩，就全球市场而言，电脑市场的格局已经发生了根本性的变化，消费者开始跟多地关注时尚的便携式产品，导致传统PC需求受到压制；同时大陆市场的消费者由于近些年消费能力的大幅提升，以及电脑产品的降价，需求逐步向品牌电脑转移。现货市场的组装机市场份额持续萎缩，对DRAM需求明显下降，对价格的影响力也大不如前。

结论：

12月初将是一个短线关键点，根据以往的经验，一般月初上游压力不大的情况下，价格都会有所走强，但是这次D3的情况可能有所不同，走强的机会并不大。
长线而言，我们预计，预计在明年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升，4GB D3内存将会逐步成为市场主流，。

短线（两周以内）：

模组方面：

2GB D3内存在135-160元之间弱势震荡，偶有反弹。

颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.95－2.30美金之间弱势盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维持弱格局的机会偏大，中线继续维持“偏空”研判,也就是看跌，并会偶有反弹。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，正常经营。目前价位风险依然偏大，观望为主。需要提示的是，D3未来出现反弹的机会越来越多，不宜盲目看空。

Nand Flash：

本周NAND Flash市场方面，因市场动能活络，需求主要集中于16Gb MLC及32Gb MLC，相对低价部位需求力道强劲，但在原厂供货紧缩消息释出后，供应端大幅调涨报价，买气略为趋缓，整体颗粒价格普遍呈现上扬走势，不过实际成交量仍有限；纵观一周来走势，其中32Gb MLC及8Gb MLC一周来分别上涨5.34%及5.16%，16Gb SLC也上涨1.67%，不过低容量规格方面则小幅下滑，1Gb SLC下跌0.65%，4Gb MLC也下跌1%。
在朝韩炮击事件的刺激下,上周现货市场Nand Flash价格总体呈现继续反弹走势，但是具体型号而言则有跌有涨。本来在接近年底传统消费旺季的时候，现货市场就已经开始出现一定的补货需求，而朝韩炮击事件的刺激使本来已经涨势趋缓的韩国产颗粒的价格再次走强,并同时导致T卡价格也再次走扬。
纵观近一段时间的韩系Nand Flash颗粒，尤其是三星的部分型号的价格累计涨幅已经较大,这主要源于上游对于因应春节需求的补货需求的期待,理性控制出货；同时也与现货市场由于前期价格持续下滑导致库存水位不处于低位，并于近期出现了补货需求都有关系。近期需的价格的走强将会使Nand Flash的价格得以修正，目前价格已经趋于合理，补货需求接近尾声，价格继续上扬的空间有，但已经不大。
我们注意到，不同厂家的Nand Flash价格走势并完全不一样，其中三星的部分型号（例如8Gb和16Gb）价格走势强劲，Hynix的部分型号价格也只是最近才开始走强，而Intel的价格基本上未见明显上涨。这在一定程度上反映出，各个厂家的产能和不同的OEM客户需求之间的关系，同时也说明厂家对于现货市场的出货的节制和理性，所有这些均是形成目前这种情况的因素。现货市场的需求目前占Nand Flash的总需求不到一成的情况下，在现货市场杀跌价格并大量出货，无异于将导致占市场需求九成的OEM市场价格下滑，这将是得不偿失。
NAND Flash的需求来看，明年上半年虽受淡季因素影响，呈现供过于求的状况，但第一季在中国农历年假期与平板电脑及智慧型手机新机种上市的助益下，预期第一季NAND Flash市场受淡季的影响程度将会低于第二季，由于近期主要的NAND Flash厂商均已考量将稍微放缓明年产出成长的速度以纾缓明年市场供过于求的影响，因此我们认为明年下半年在新产品上市及旺季效应需求的带动下，NAND Flash市场将可回复到较平衡的状况。
T卡价格触底反弹后，价格维持在区间内强势盘整，显示经过前一阶段相当长的时间消化，市场的投机库存已经基本消化完毕，供需关系开始发生一定的变化，但是是否彻底改变就有待于验证,我们并不认为供求关系已经出现逆转,目前的走势处于超跌反弹后的盘整走势中，这种走势是对前段单边下跌走势的修正，是健康的和合理的。

结论：

未来两周：

由于年底补货需求出现，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nnad Flash持“中性”研判，涨跌互现，畅销型号的价格将可能会走强。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，走势区间震荡，涨跌互现，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或是“中偏空”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持偏弱格局。

操作建议：

建议Nand Flash可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注个别型号产品的供应方面的变化，把握局部型号的波动机会，但不宜盲目乐观，难以出现以往一涨俱涨的局面。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存, 轻仓操作，正常经营。 预计总体维持缓慢震荡下跌走势，并有机会出现反弹。
Flash：正常经营， 波段操作，预计目前的反弹已经接近尾声，不宜追高，长线Nand Flash的价格仍将维持下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计高阶产品价格维持弱势盘整的机会偏大，而中低阶产品的价格将会振幅加大，交易性的反弹机会开始出现。

未来四周内存价格走势预测
 

未来四周DRAM颗粒价格走势预测