上周回顾及未来三周存储器走势分析

由于需求一般和供大于求,近期内存市场价格总体继续下跌走势,只是尾市已经淘汰的DDR2的价格出现了超跌反弹走势,不过追高者稀少。随着DDR3需求的快速成长，DDD3的下跌态势有逐步趋缓的迹象，DDR2则仅仅在两个月之内就已经被市场快速淘汰掉了，实属历来现货市场换代最快的一次。 其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.05美金以下，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至1.50美金附近；而品牌内存2GB D3 模组的价格则全线跌到145元以内；DDR2的颗粒价格出现了超跌反弹，但是最高者不多，内存价格相对于颗粒虚高就维持不变。 由于东芝的意外停电事件的刺激，本来已经涨势趋缓的Nand Flash上涨行情得以延续，不过市场的总体成交情况一般，市场的情绪就重新亢奋起来，在节前补货需求可能出现的预期刺激下，市场继续倾向于看多，但是商家就相对较为审慎。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体继续局部的剧烈震荡之中,总体价格仍未形成反转走势。

上周存储器走势回顾(2010.12.06-2010.12.12)

由于需求一般和供大于求,近期内存市场价格总体继续下跌走势,只是尾市已经淘汰的DDR2的价格出现了超跌反弹走势,不过追高者稀少。随着DDR3需求的快速成长，DDD3的下跌态势有逐步趋缓的迹象，DDR2则仅仅在两个月之内就已经被市场快速淘汰掉了，实属历来现货市场换代最快的一次。
其中品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至2.05美金以下，白板2Gb DDR3颗粒的价格则小幅下跌至1.50美金附近；而品牌内存2GB D3 模组的价格则全线跌到145元以内；DDR2的颗粒价格出现了超跌反弹，但是最高者不多，内存价格相对于颗粒虚高就维持不变。
由于东芝的意外停电事件的刺激，本来已经涨势趋缓的Nand Flash上涨行情得以延续，不过市场的总体成交情况一般，市场的情绪就重新亢奋起来，在节前补货需求可能出现的预期刺激下，市场继续倾向于看多，但是商家就相对较为审慎。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体继续局部的剧烈震荡之中,总体价格仍未形成反转走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.12.13-2011.01.09)

标准DRAM：

上周并无突发事件发生，市场基本上按照既已形成的下跌走势发展，价格继续维持在下降通道之中。
但是未来有几点值得我们注意，首先一个就是2Gb D3的价格已经跌至5Xnm厂家的成本区，厂家继续杀低价格出货的主动意愿大为减弱；其次是大陆市场的商家到现在为止并未出现明显的补货和投机意愿；再次现货市场的D3颗粒供应，主要是美光系厂家提供，而D2主要是韩国的Hynix。因此未来价格下跌的势头将会大为减缓，并会时有反弹，这一点需要密切关注。
D3颗粒方面，由于42nm的2Gb D3颗粒的成本不到1.50美金，而现在的一颗2Gb颗粒的价格已经跌破破两颗1Gb的成本价格，因此1Gb颗粒生产厂家已经面临亏损局面，未来1Gb D3颗粒将逐步淘汰出局，预计在明年第一季度底前1Gb颗粒将会被彻底被边缘化。
内存方面， 2GB D3内存的价格经过近几个月的持续下跌后，品牌2GB D3的价格已经全线跌破145元关卡。这也是今年连续下跌以来，内存价格换算为颗粒价格后与市场上的颗粒价格最为接近的一次，由此我们预计未来中线D3跌势将会趋缓，反弹也将会时有发生，因此不宜一味做空。
未来几周将有几个时间关键点，第一圣诞前后和年底的盘点，对市场供应的将会有影响；其次是第二元旦后市场需求和供应的变化，尤其是供应端的市场策略变化；第三春节前的大陆市场补货需求好坏。这些因素都将对DRAM的价格走势造成影响，但是考虑到生产制程的提升和需求难以大幅增加，预计在第一季度即使出现反弹最多也是中等级别的反弹。
OEM方面，第一季度将是OEM补货强弱的重要观察时间段，如果OEM补货强劲，将会对现货市场的带来正面作用。同时我们也要看到，部分DRAM厂家在第一季度将会持续转进42nm制程，到时产能将会增加，如何控制和消化这部分产能也是一个问题。总之，明年第一季度的情况错综复杂，形势并不明朗，按照目前的情况来看，在年前出现出现大级别的反弹行情的机会并不大，小的反弹的机会还是存在的。

结论：

中线圣诞到元旦这个阶段是一个敏感期，如果春节前上游出现控货，最有可能也就是在这个阶段出现，因此未来一段时间的价格走势将比较关键。
长线而言，我们预计在明年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升，4GB D3内存将会逐步成为市场主流，到时价格将会得到实质支撑。

短线（两周以内）：

模组方面：

2GB D3内存在115-155元之间弱势震荡，偶有反弹。

颗粒方面：

D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.70－2.15美金之间弱势盘整的机会较大。

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线改持“中性”或“中偏软”研判，并偶有反弹。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，正常经营，圣诞前少量加仓，防御性操作，不可投机，目前价位风险仍稍微偏高。需要提示的是，D3未来出现反弹的机会越来越多，不宜盲目看空，但也不宜赌大货。

Nand Flash：

由于东芝的停电事件影响，上周本已渐趋平稳NAND Flash市场再度活络，价格的反弹也逐渐由前期以三星的16Gb MLC及32Gb MLC等的为热点，逐步向其它品牌和各种型号扩散。由于市场预期东芝停电事件导致明年第一季度供货紧张，供应端大幅调涨报价，虽然买气并未明显改善，但是整体颗粒价格普遍上扬，不过实际成交量仍未明显放大。
东芝的停电事件对供应有影响，但是具体有多大影响，仍有待于评估。回忆最近一段时间的供求关系可以看到总体供应并未明显紧张。由于技术的改进和产能的增加，近几年突发事件的影响均也逐步呈现短期化，无论是DRAM还是Nand都是这样，尤其是在供求关系相对宽松的情况下影响就更弱，所以对于这次事件的影响仍有待于时间来检验。
目前的价格上涨主要因素为前期价格严重超跌、厂家惜售和节前补货预期效应共同产生的，短期累计涨幅已经比较大，价格超跌的情况得到根本改善。如果一月份补货需求不如预期的话，价格回调将是大概率事件。
明年NAND Flash的需求增加将是可以预期的，其中苹果平板电脑的畅销，使传统PC大厂纷纷开始跟进，而业界领头羊Intel也将针对两种不同需求推出两个系列的CPU来应对，这将对这股平板风将起到推波助澜的作用，我们预计明年的Nand Flash的需求将会小幅成长，供求关系将会趋于平衡，但是现货市场的供应将会有所减少，这也有助于供求平衡。
T卡价格继续维持在区间内强势盘整，由于市场的投机库存已经不高，供需关系已经发生变化，但是近几年由于产品内置化成为趋势， T卡的需求在逐步萎缩了。我们并不认为供求关系已经出现逆转,也就是供不应求。目前的走势处于超跌反弹后的强势盘整走势中，目前这种走势是对前段单边下跌走势的修正，是健康的和合理的。

结论：

未来两周：

由于年底补货需求出现，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nnad Flash持“中性”或“中偏强”研判，涨跌互现，畅销型号的价格将走强的机会较大。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，维持区间震荡走势，但是涨跌互现，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或是“中偏空”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持偏弱格局。

操作建议：

建议Nand Flash可在维持轻仓的情况下，正常经营。适当波段操作，密切关注个别型号产品的供应方面的变化，把握局部型号的波动机会，但不宜盲目乐观，难以出现以往一涨俱涨的局面。
T卡价格走势也是类似，建议维持轻仓的情况下，正常操作即可。可适当波段操作，密切关注供应方面的变化，不宜盲目乐观。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存, 轻仓操作，正常经营。 预计总体维持缓慢震荡下跌走势，并有机会出现反弹。
Flash：正常经营， 波段操作，预计目前的反弹已经接近尾声，不宜追高，长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作，预计高阶产品价格维持弱势盘整的机会偏大，而中低阶产品的价格将会振幅加大，交易性的反弹机会开始出现。

未来四周内存价格走势预测
 

未来四周DRAM颗粒价格走势预测