上周存储器走势回顾及未来三周走势分析

由于供应增加和需求一般，上周现货市场DRAM价格继续疲软走势。其中D3颗粒价格下滑较为明显,品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至1.73至2.00美金之间，白板2Gb DDR3颗粒的价格则维持弱势盘整走势；而DDR2就结束前一周的反弹走势，呈现弱势窄幅震荡走势，eTT DDR2颗粒的供应增加是导致价格结束反弹并走跌的主要原因。 上周Nand Flash价格继续上涨走势，但是上扬速度明显加速，涨幅明显扩大，成交就一般，市场仍对一季度的供求紧张关系有所期待。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体继续局部的剧烈震荡之中,但是价格总体有所上涨。

上周存储器走势回顾(2010.12.20-2010.12.26)

由于供应增加和需求一般，上周现货市场DRAM价格继续疲软走势。其中D3颗粒价格下滑较为明显,品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格小幅跌至1.73至2.00美金之间，白板2Gb DDR3颗粒的价格则维持弱势盘整走势；而DDR2就结束前一周的反弹走势，呈现弱势窄幅震荡走势，eTT DDR2颗粒的供应增加是导致价格结束反弹并走跌的主要原因。
上周Nand Flash价格继续上涨走势，但是上扬速度明显加速，涨幅明显扩大，成交就一般，市场仍对一季度的供求紧张关系有所期待。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体继续局部的剧烈震荡之中,但是价格总体有所上涨。

未来四周存储器价格走势分析预测(2010.12.13-2011.01.31)

DDR3：

由于圣诞节的原因，上周虽然DRAM颗粒价格持续下滑，但是市场商家无心恋战，模组厂家报价基本维持弱势盘整，变化不大,总体而言DRAM价格继续维持在下降通道之中。
由于上周2Gb D3颗粒的价格已经跌破1.80美金，未来价格有可能将会向42nm厂家的变动成本区的上沿1.50美金寻求支撑，1.80美金不攻自破显示出目前的市场供求关系仍失衡；而制程领先的DRAM厂家更愿意低价出货和强攻市场，但是制程落后的DRAM厂家的日子就难过了，处于“失血”状态下的他们还要想法筹钱提升制程。目前处境最为艰难的是台系厂家力晶，南亚和华亚53nm制程的日子相对好一些，但是也面临跌破成本的窘境，亟需继续将制程提升到42nm，而茂德实际已经推出主流标准DRAM的竞争，这里就不谈了。
D3颗粒方面，由于42nm的2Gb D3颗粒的成本不到1.50美金，预计明年第一季度底前1Gb颗粒将会被彻底被边缘化。而明年第一季度相关制程落后的DRAM厂家的4Xnm制程的进度将是决定价格走势的关键，这其中尔必达系厂家瑞晶是台系厂家最快进入42nm制程的厂家，相关厂家的42nm良率提升的快慢和高低直接决定市场一季度供应量的增加。
元旦前，模组的价格维持弱势盘整的机会偏大，这主要是由于现货市场的库存水位不高和上游模组厂家元旦前杀低价格的意愿不高共同决定的。
明年第一季度将是这波DRAM价格下滑后能否触底的关键期，因为明年第一季度将是42nm产出的高峰期，而到了第二季度需求能否转为以单机4Gb为主就比较关键，因为这将决定市场需求的承接力如何。
春节前仅剩一个月多一点的时间，市场需求总体一般，并且颗粒价格持续下滑，市场气商家普遍较为审慎，但是大陆市场的库存却相对有限。我们预估在一季度厂家积极转进42nm制程和不断提升良率的情况下，价格继续维持下滑的机会偏大。
由于价格持续下滑大陆，大陆商家看空情绪已经趋于一致，节前补货需求预计不会太强，但是也不会太弱，适当的补仓动作会有的；如果是这样的话，那么年后的补货需求将不会太强，到时价格走强的机会也就不大，反之亦然

结论：

长线而言，我们预计在明年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，到时价格自然才会得到实质支撑。
短线（两周以内）：
模组方面：
2GB D3内存在105-140元之间弱势震荡，偶有反弹。

颗粒方面：

D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.50－1.85美金之间弱势盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线改持“中性”或“中偏软”研判，并偶有反弹。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，正常经营。
需要提示的是，D3未来出现反弹的机会越来越多，不宜盲目看空。在4GB成为主流前也不宜赌大货。建议春节前适当少量备货，够用即可。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格继续上扬，部分型号产品的价格继续强劲上扬，涨幅惊人。这波行情先起因是超跌反弹，然后在经东芝停电事件起了“火上浇油”和“空中加油”的作用，导致市场预期导致明年第一季度供货紧张而出现的飙涨行情，上周明显已经进入快速拉升阶段，这一般预示着行情可能已经进入后半阶段。
由于市场预期的改变和部分型号产品供应吃紧，尤其是今年平板电脑和智能手机产品的热销，导致Nand Flash产品需求大增，这些因素共同导致了目前的价格上扬，但是不至于出现目前的大幅上涨。展望明年由于相关应用Nand Flash的终端产品和SSD的产量将会成倍增加，这将使Nand Flash的需求大增，考虑到相关Nand生产厂家已经先行扩产和提升制程，总体上Nand Flash的供求关系将会维持供求平衡，但是我们预估会略微会供大于求，价格总体会有所下滑，预计全年平均下滑下跌幅度约在30%左右。
而具体到春节前的Nand Flash走势，我们认为源于东芝断电事件的飙涨行情最迟在春节前就会结束，很有可能在元旦后两周内结束。主要理由是，一月中旬大陆市场的节前补货接近尾声，其次，到时上游通路商也将会出货落袋为安的行为，会抑制价格的上涨；再次，价格的连续上扬已经达到厂家的目标价位，继续持续拉升价格将会对需求产生抑制作用，不利于培育市场。
T卡价格继续维持在区间内强势盘整，由于市场的投机库存已经不高，随着近几年由于产品内置化成为趋势，供需关系已经发生变化， T卡的需求在逐步萎缩了。我们并不认为供求关系已经出现逆转,也就是供不应求。目前的市场的T卡走势处于超跌反弹后的强势盘整走势中，目前这种走势是对前段单边下跌走势的修正，是健康的和合理的。

结论：

未来两周：

由于阳历年年底补货需求出现，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nnad Flash持“中性”或“中偏强”研判，涨跌互现，畅销型号的价格将走强的机会较大。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，维持区间震荡走势，但是涨跌互现，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或是“中偏空”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持偏弱格局。

操作建议：

建议Nand Flash反弹接近尾声，正常经营。
T卡价格反弹也接近尾声，正常操作即可。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存, 轻仓操作，正常经营。 预计总体维持缓慢震荡下跌走势，并有机会出现反弹。
Flash：正常经营， 波段操作，预计目前的反弹已经接近尾声，不宜追高。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作。

未来四周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	160-215	总体轻微下滑走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	100-140	总体轻微下滑走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
Hynix	1Gb DDR2 800	USD1.25-1.45	区间盘整走势
美光、南亚、Spectek	2Gb DDR3 1333	USD1.50-2.00	总体轻微下跌走势