上周回顾及未来三周存储器走势分析

内存现货市场节前的投机炒行动作未能在节后持续,由于节前价格急涨后场内获利盘较多，节后市场商家的获利回吐和落袋为安心里明显,价格也由节前的最高150元附近快速回落至132元附近盘整。 颗粒价格的走势则有所不同，节前急涨，节后虽有回落，但价格依然维持在节前高位。其中D3颗粒价格方面,品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在2.20元以上，二线品牌则维持在2.10美金附近。 由于刚刚开市的原因，上周Nand Flash颗粒价格基本上维持盘整走势，涨跌幅度均不大。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体维持偏软走势,但是低阶产品的价格总体维持稳定。

上周存储器走势回顾(2011.02.10-2011.02.13)

内存现货市场节前的投机炒行动作未能在节后持续,由于节前价格急涨后场内获利盘较多，节后市场商家的获利回吐和落袋为安心里明显,价格也由节前的最高150元附近快速回落至132元附近盘整。
颗粒价格的走势则有所不同，节前急涨，节后虽有回落，但价格依然维持在节前高位。其中D3颗粒价格方面,品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格维持在2.20元以上，二线品牌则维持在2.10美金附近。
由于刚刚开市的原因，上周Nand Flash颗粒价格基本上维持盘整走势，涨跌幅度均不大。现货市场Micro SD（T卡）的价格总体维持偏软走势,但是低阶产品的价格总体维持稳定。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.02.13-2011.02.13)

DDR3：

在现货市场KST 2GB D3平均持仓成本不到125元的情况下，尽管节前价格被快速拉升到150元附近，但是到了节后价格快速回落到132元附近也就不意外了。需要说明的是金士顿的节后对于继续提升价格态度消极也是这次价格下滑的主要原因之一，其次三星和海力士的原装内存的价格均低于金士顿的价格也是另外一个重要原因。
由于三星已经表态价格接近底部，台系厂家全面制程落后并面临全线亏损的情况下,已经不敢继续降价求售，因此在42nm没有成为全部厂家的主流制程前的一段时间，相信中短线3月中旬前价格有企稳甚至反弹的要求,这种机会还是存在的,并且偏大一点。
D3颗粒方面，由于42nm的2Gb D3颗粒的成本不到1.50美金，预计第一季度底前1Gb颗粒将会被彻底被边缘化,而相关制程落后的DRAM厂家的4Xnm制程的进度将是决定今后供求关系变化的关键，其中尔必达系厂家瑞晶是目前台系厂家最快进入42nm制程的厂家，而其它台湾相关厂家的42nm良率提升的快慢和高低直接决定市场今后供应量。
第一季度将是这波DRAM价格下滑后能否触底的关键期，因为第一季度将是42nm产出的高峰期，而到了第二季度需求能否转为以单机4Gb为主就比较关键，因为这将决定市场需求的承接力如何。
由于现货市场需求仍属于一般，而到目前为止OEM需求未见起色，2Gb产品的产能随着制程和良率的提升而提升，对于这波价格的反弹我们维持既有研判不变，也就是目前最多只是中级规模的反弹。

结论：

长线而言，我们预计在明年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，到时价格自然才会得到实质支撑。
短线（两周以内）：
模组方面：
KST 2GB D3内存在120-160元之间震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.85－2.50美金之间盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”研判，区间震荡加剧,幅度加大。
操作建议：
D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，正常经营。
需要提示的是，D3未来出现小幅反弹的机会越来越多，不宜盲目看空,但是也不会大涨,但在4GB成为主流前(占D3销量超过25%(按数量计算)以前)也不宜赌大货。

KST 2GB DDR3即使出现上涨，涨过185元的机会也渺茫。

Nand Flash：

由于刚刚开市的原因，需求尚未完全恢复，上周Nand Flash价格总体呈现盘整态势；而MicroSD的价格总体呈现下滑走势。
由于平板电脑和智慧型手机的价格下滑和大量上市，内置Nand Flash渐成趋势的情况下，势必造成传统的外置的Nand Flash颗粒产能下降和供应的相对减少，现货市场的Nand Flash需求的占据的总需求的比例也逐步萎缩到10%左右，厂家对于现货市场的的重视程度已经大不如以前，严格控制现货市场的供应和维持价格已经成为各个厂家的共识。
因此，现货市场的供应在今年将是有序和有限的，价格出现大落的机会不大，但是为了反应制程的提升和成本的下滑,价格出现大涨的机会也不大，维持总体缓跌的机会偏大。
由于现货市场商家和厂家尚未完全开工，T卡价格维持窄幅偏软盘整走势。随着近几年由于产品内置化成为趋势，供需关系已经发生变化， T卡的需求在逐步萎缩。

结论：

未来两周：
由于阳历新年前，Nand Flash的价格出现了较为强势的上涨，我们认为价格的上涨总体上已经基本到位，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”研判，涨跌互现，个别型号的价格将走强的机会较大。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，维持区间震荡走势，涨跌互现，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持中性格局。
操作建议：
建议Nand Flash合理库存，正常经营。
T卡维持合理库存，正常经营即可。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存, 轻仓波段操作，不宜对涨跌幅度期待过大，小涨小跌或是常态，正常经营。
Flash：正常经营， 波段操作，不宜追高。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：正常经验，波段操作。

未来四周内存价格走势预测

未来四周DRAM颗粒价格走势预测