上周回顾及未来三周存储器价格走势分析

节后的内存现货市场一直处于获利了结和消化库存之中,而颗粒市场也处于同样的走势之中，但是跌幅就相对内存要明显。金士顿2GB DDR3内存的价格就围绕133元附展开整；DDR3颗粒的价格则缓步下滑，品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至1.95美金附近，二线品牌颗粒的价格则跌破1.90美金。 上周Nand Flash颗粒价格基本上维持弱势盘整走势。现货市场Micro SD（T卡）的价格也维持偏软走势。

上周存储器走势回顾(2011.02.21-2011.02.27)

节后的内存现货市场一直处于获利了结和消化库存之中,而颗粒市场也处于同样的走势之中，但是跌幅就相对内存要明显。金士顿2GB DDR3内存的价格就围绕133元附展开整；DDR3颗粒的价格则缓步下滑，品牌D3 2Gb 1333Mhz颗粒的价格跌至1.95美金附近，二线品牌颗粒的价格则跌破1.90美金。
上周Nand Flash颗粒价格基本上维持弱势盘整走势。现货市场Micro SD（T卡）的价格也维持偏软走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.02.28-2011.03.27)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均持仓成本在133元附近，现货市场的库存水位则在7天左右，而内存市场的需求就一般。颗粒方面，由于多数模组厂家在去年年底前均已经在低位买进了颗粒，因此模组厂家的颗粒库存水位偏高，我们预计短期颗粒的买盘仍不佳，这从近期的颗粒价格走势中就可以看出端倪。
上周的有利因素是，三星的原装模组2GB DDR3价格有所上调，由18.70美金上调至20美金。尔必达CEO借助尔必达TDR在台上市之际发表了对后市乐观看法，认为2Gb D3的价格将会上涨到2.30-2.50美金之间，并且3月份就会供需平衡，4、5月份就会出现供不应求的局面。
前期我们谈到，D3颗粒方面，由于42nm的2Gb D3颗粒的成本不到1.50美金，第一季度底前1Gb颗粒将会被彻底被边缘化,而相关制程落后的DRAM厂家的4Xnm制程的进度将是决定今后供求关系变化的关键，目前尔必达系厂家瑞晶是台湾最先完全导入42nm制程的厂家，目前其已经全部转为42nm制程；而其它台湾相关厂家的42nm要到第二季度末才会完全导入。42nm良率提升的快慢和高低将直接决定市场今后供应量，尽管吵架也在转移产能到Mobile RAM或者Nand Flash上，但是要完全消化掉多余的产能还有待于观察。
就目前的情况来看，我们维持PC单机内存搭载量转为4Gb进程的快慢将决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求的承接力。
由于现货市场需求仍属于一般，而到目前为止OEM需求仍未见起色，2Gb产品的产量随着制程和良率的提升而提升，对于这波价格的反弹我们维持既有研判不变，也就是未来最多只是中级规模的反弹，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，到时价格自然才会得到实质支撑，并且出现反弹。
短线（两周以内）：
模组方面：
KST 2GB D3内存在120-150元之间震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.80－2.25美金之间盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”研判，区间震荡加剧,幅度加大。
操作建议：
D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
在130元以下开始加大库存量，130元以上慢慢减仓。120元以下可以逐步增仓至7-8成仓位。理论上讲，110-130之间的价格区间是最佳买入价格区间。
需要提示的是，D3未来出现小幅反弹的机会越来越多，不宜盲目看空,但是也不会大涨,但在4GB成为主流前(占D3销量超过25%(按数量计算)以前)也不宜赌大货。
Nand Flash：
上周Nand Flash价格总体呈现下滑态势；而MicroSD的价格总体也呈现下滑走势。一般认为这主要是由于对年前过大的涨幅的一次修正，因为年前的实际需求并不如价格表现得那样好。
由于平板电脑和低价智慧型手机将在今年年中前后大量上市，而内置Nand Flash渐成趋势的情况下，OEM厂家在上半年会采取一定的锁货行为，这势必造成现货市场Nand Flash颗粒供应的减少；但是另一方面，由于主要Nand Flash厂家均在扩产和提升制程，这些都会增加市场供应，致使今年供求关系的变化将会十分微妙和难以预料，我们预计一旦平板电脑的需求不如预期那样好，下半年价格将会面临考验，上半年由于业界有良好的预期和OEM厂家的应映未来需求的采购支撑，相对来讲问题倒不大。
现货市场的Nand Flash需求的占据的总需求的比例也逐步萎缩到10%左右，Nand Flash生产厂家对于现货市场的的重视程度已经大不如以前，严格控制现货市场的供应和维持价格已经成为各个厂家的共识。
因此，现货市场的供应在今年将是有序和有限的，价格出现大落的机会不大，但是为了反应制程的提升和成本的下滑,价格出现大涨的机会也不大，维持总体缓跌的机会偏大。
由于现货市场商家和厂家尚未完全开工，T卡价格维持窄幅偏软盘整走势。随着近几年由于产品内置化成为趋势，供需关系已经发生变化， T卡的需求在逐步萎缩。

结论：

未来两周：
由于去年底Nand Flash的价格出现了较为强势的上涨，我们认为价格的上涨总体上已经基本到位，对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”或“偏软”研判，涨跌互现。
对于MicroSD走势维持“中性”或“中偏软”研判，维持区间震荡走势，涨跌互现，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”“中偏软”研判不变。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏软”格局。
操作建议：
建议Nand Flash合理库存，正常经营。
T卡维持合理库存，正常经营即可。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存,5-7天库存，波段操作，不宜对涨跌幅度期待过大，小涨小跌或是常态。 110-130元之间逢低逐步吸纳，加大库存，140元以上逢高逐步减仓。
Flash：合理库存，正常经营。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：正常经验，正常经营。

未来四周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	120-150	总体维持区间盘整走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
美光、南亚、Spectek	2Gb DDR3 1333	USD1.80-2.25	区间盘整走势