上周回顾及未来三周走势分析

上周现货市场需求一般,但是价格却多变。前半周D3内存价格继续逐步下滑,周四市场价格由于金士顿降低出货价格而顿挫；但是周五尾盘下午又受到日本地震的影响出现轻微反弹。颗粒价格的走势则表现为逐级缓慢下滑，周五并未跟随内存的价格出现反弹。 上周Nand Flash颗粒价格基本上维持偏软走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格也维持偏软走势。周五受到日本地震影响，市场预期东芝的出货将受到影响而出现轻微反弹，但是市场商家表现得相对理性和审慎。

上周存储器走势回顾(2011.03.07-2011.03.13)

上周现货市场需求一般,但是价格却多变。前半周D3内存价格继续逐步下滑,周四市场价格由于金士顿降低出货价格而顿挫；但是周五尾盘下午又受到日本地震的影响出现轻微反弹。颗粒价格的走势则表现为逐级缓慢下滑，周五并未跟随内存的价格出现反弹。
上周Nand Flash颗粒价格基本上维持偏软走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格也维持偏软走势。周五受到日本地震影响，市场预期东芝的出货将受到影响而出现轻微反弹，但是市场商家表现得相对理性和审慎。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.03.14-2011.04.10)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均持仓成本在130元附近，现货市场的库存水位则维持在7天左右，没有明显减少，内存市场的需求就一般。颗粒方面，由于多数模组厂家在去年年底前均已经在低位买进了颗粒，因此现阶段模组厂家的颗粒库存水位虽有下降但是还嫌偏高。我们预计短期颗粒的买盘仍不佳，这从近期的颗粒价格走势中也可以看出来。
上周的突发对DRAM价格上涨利好的事件是日本发生强烈地震，根据我们了解到的情况来看，我们预计对尔必达的标准DRAM产能影响不大，因为尔必达的标准DRAM产能主要在台湾的瑞晶，以及代工厂茂德和力晶。
上周的利空因素居多，如三星、海力士和美光等原装模组的价格均跌至18美金附近；美光颗粒价格跌至1.90－1.93美金之间。力晶的2Gb D3颗粒开始供应市场，价格不到1.90美金，这预示着力晶的40nm制程取得突破，也意味着供应的增加。金士顿开始调低现货市场的出货价格最低跌至17.70美金等等。
尽管厂家均在转移产能到Mobile RAM或者Nand Flash上，但是要完全消化掉多余的产能还有待于观察，我们预计在第二季度才有机会真正完成转换，到时伴随着4GB成为PC的主流配置，DRAM的价格才会获得实质支撑。
我们认为PC单机内存搭载量转为4Gb进程的快慢将决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。
由于现货市场需求仍属于一般，到目前为止OEM需求仍未见起色，这由上旬合约价持平开出即可看出。
2Gb产品的产量随着制程和良率的提升而提高，对于目前的价格走势我们维持既有研判不变，也就是中短期价格维持宽幅震荡的机会偏高；未来长线的反弹属于中等级别，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。
最后我们重点谈谈对日本地震对于DRAM价格走势的影响的判断，由于日本仅剩一家生产厂家尔必达，而尔必达日本本土的绝大部分产能均不在标准DRAM上，因此我们研判为应对短期刺激性而出现的反弹不可持续，也难形成长期的反转走势，更不会由此产生中期的强劲上涨走势

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，到时价格自然才会得到实质支撑，并且出现反弹。
短线（两周以内）：
模组方面：
KST 2GB D3内存在115-150元之间震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.80－2.20美金之间盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”研判，区间震荡加剧,幅度加大。
操作建议：
D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
在130元以下开始加大库存量，130元以上慢慢减仓。120元以下可以逐步增仓至7-8成仓位。理论上讲，110-125之间的价格区间是最佳买入价格区间。
需要提示的是，D3未来出现小幅反弹的机会越来越多，不宜盲目看空,但是也不易大涨,但在4GB成为主流前(按数量计算占D3销量超过25%以前)也不宜赌大货。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格总体呈现下滑态势；而MicroSD的价格总体也呈现下滑走势。一般认为这主要是由于对年前过大的涨幅的一次修正，因为年前的实际需求并不如价格表现得那样好。只是临近周末时，日本发生地震后，市场出现了明显的惜售行为和价格也被小幅拉升，市场反应尚算理性。
由于苹果的平板电脑iPad2超过市场预期提前上市以及低价智慧型手机的陆续上市，内置Nand Flash渐成趋势的情况下，OEM厂家一般会在上半年会采取一定的锁货行为，这在一定程度上造成现货市场Nand Flash颗粒供应的减少；但是另一方面，由于主要Nand Flash厂家均在扩产和提升制程，这些都会增加市场供应，致使今年供求关系的变化将会十分微妙和难以预料。
苹果iPad2的提前上市打乱了其它厂家的产品规划和市场推广，我们预计平板电脑的热潮还会持续发烧一段时间，预计年底前后这股热潮就会逐步降温。但对Nand Flash和DRAM的市场生态所造成的影响将是长远的和永久的。平板电脑和智慧手机对Nand Flash的需求巨大，但是热潮退去后，尤其是与厂家预期的有差距的情况下，下半年Nand Flash的价格将会面临考验，上半年由于业界有良好的预期和OEM厂家的应映未来需求的采购支撑，相对来讲问题倒不大，前期现货市场的价格的下滑主要是对前期价格过度上涨的修复。
现货市场的Nand Flash需求的占据的总需求的比例也逐步萎缩到10%左右，Nand Flash生产厂家对于现货市场的的重视程度已经大不如以前，严格控制现货市场的供应和尽量维持现货市场价格已经成为各个厂家的共识。因此，现货市场的供应在今年将是有序和有限的，价格出现大落的机会不大，但是为了反应制程的提升和成本的下滑,价格出现大涨的机会也不大，维持总体缓跌的机会偏大。
节后T卡价格维持偏软走势之中，随着近几年由于产品内置化成为趋势，供需关系已经发生变化， T卡的需求在逐步萎缩。
最后，我们重点谈谈日本地震对Nand Flash的影响，首先这次地震直接冲击到了东芝的半导体厂，尽管有消息说，会在几日内恢复生产，但是一般而言，短期还是会造成供应将趋紧所谓预期，何况地震对厂家的影响已经确实已经发生了。短期Nand Flash的现货市场的价格将会出现大幅上涨，但是由于现货市场目前需求不佳，中期的走势将主要由OEM方面的需求所决定，并非有现货市场的炒作来决定。

结论：

未来两周：
对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”或“中偏强”研判。
对于MicroSD走势维持“中性”“中偏强”研判，维持区间震荡走势，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”或“中偏强”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏强”格局。
操作建议：
建议Nand Flash对于热销产品前期加大库存量，后期以正常经营为主。
T卡维持对于畅销型号产品前期适当加大库存量，后期则以正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存,10天库存，波段操作，不宜对涨跌幅度期待过大，小涨小跌或是常态。 110-130元之间逢低逐步吸纳，加大库存，135元以上逢高逐步减仓。
Flash：前期适当加大库存，后期以正常经营为主。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：前期可以适当加大库存量，后期则以正常经营为主。

未来四周内存价格走势预测 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	115-145	总体维持区间盘整走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
美光、南亚	2Gb DDR3 1333	USD1.80-2.20	区间盘整走势