上周回顾及未来三周走势分析

上周内存现货市场的走势反复，但是总体维持稳定的区间盘整走势。其中2GB DDR3 内存130元的价格的价格失而复得，尾市价格反弹至135元附近盘整。颗粒价格也总体轻微走强，但是经过前期的暴涨暴跌，市场商家表现得较为审慎和理性。
上周Nand Flash颗粒价格呈现企稳并轻微走强的态势；现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现先跌后升走势。整体而言，日本地震对Nand Flash的影响是复杂的和多变的，市场商家尚需时间对上下游和产业影响做一个全面的评估，目前市场的心态比较复杂。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.03.28-2011.04.24)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均持仓成本在133元附近，现货市场的库存水位则维持在7天左右，没有明显变化，内存市场的需求就一般。颗粒方面，DRAM厂家预期地震将会对价格带来一定的正面影响，目前对出厂价格进行了试探性的提升，反应稍微正面。
合约价格方面，我们注意到下旬合约价格的上涨仅限于最低价格，最高价格尚不能成功调涨，显示OEM方面的需求还是不佳，进场意愿不是太强。
地震对日本两家矽晶圆大厂家造成的影响比较大，因为尔必达体系内的厂家，包括台湾的瑞晶以及力晶等都是采用日本厂家的这种质量相对好一点的矽晶圆，如果一个月之内不能恢复生产，将不可避免地对尔必达体系的厂家的产能造成一定的影响。消息面也传出力晶将要转会老的制程来避免这种情况出现。
三星的2GB DDR3原装模组的官价上调至20美金，现货市场的价格也随之上涨。现货市场的颗粒价格轻微强主要源于上游厂家对于地震对价格影响的预期，市场预期地震将会对半导体的原材料的供应造成影响。这里需要提示的是目前包括OEM方面的需求在内的总体需求还是不佳，由于日本处于产业链的上游，具有一定的不可替代性，因此地震的影响将是多方面的和一把双刃剑，对原材料、成品和需求均有影响。
尽管DRAM厂家均在转移产能到Mobile RAM或者Nand Flash上，但是平板电脑由于地震的影响，将可能出现缺料的情况，这将同时导致终端产品生产厂家原材料缺货，并进一步导致实际生产量的下滑，所以现在就下结论为时尚早。由于半导体厂家的库存普遍有1.5到2个月库存，因此日本地震对半导体的影响将会在4月中旬到5月中旬显现出来，这段时间内操作上务必维持一定量内存的库存，并且密切观察市场的变化。
我们认为PC单机内存搭载量转为4Gb进程的快慢将决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。由于现货市场需求仍属于一般，到目前为止OEM需求仍未见起色这由下旬合约价涨幅偏小即可看出；同时，4GB销量维持在15%左右的比例（按D3数量计算）也不足以支持价格的上涨。
2Gb颗粒产品的产量随着制程和良率的提升而提高，对于目前的价格走势我们维持既有研判不变，也就是中短期价格维持宽幅震荡的机会偏高；未来长线的反弹属于中等级别，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，具体而言就是按数量计算超过25%时，价格自然才会得到实质支撑，并且出现比较有基础的反弹。
短线（两周以内）：
模组方面：
KST 2GB D3内存在120-150元之间震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.85－2.30美金之间盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏强”研判，区间震荡加剧,幅度加大。
操作建议：
D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
短期在135元以下开始加大库存量，140元以上慢慢减仓。中线120元以下可以逐步增仓至7-8成仓位。理论上讲，110-125之间的价格区间是最佳买入价格区间。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格总体呈现止跌企稳并有所走强的态势；而MicroSD的价格总体也呈现类似的走势。现货市场的终端需求一般，在地震后投机性需求是导致价格大起大落的主要原因。如果受到地震的影响的相关厂家不能在震后一个月内恢复正常生产的话，理论上Nand Flash相关产品的价格中短线价格仍会维持偏强的走势的机会偏大。
日本地震无疑已经对Nand Flash供应产生了实质的影响，首先这次地震直接冲击到了东芝的半导体厂，尽管有消息说，会在很快的时间内恢复生产，但是一般而言，中短期还是会造成供应将趋紧所谓预期，何况地震对厂家的影响已经确实已经发生了。
但是随着时间的推移，大家发现由于缺料已经对平板电脑和智慧手机的出货造成影响，这也将可能导致记忆体需求的也同时下降了。所以目前的情况比较复杂，我们研判4月中旬到5月中旬将是关键期。如果在4月中旬前，相关厂家不能恢复正常生产的话，以后一段时间，供求必将会出现下降，到时就要看供应和需求哪一方面下降的更多，那时才能作出较为准确的判断。
 Nand Flash的现货市场的价格短线出现大幅上涨可能性也不大，这是由现货市场目前需求不佳和供应方也偏多所决定的；Nand Flash相关产品价格的中期走势将主要由OEM方面的需求所决定，并非有现货市场的炒作来决定，年内平板电脑和智慧型手机的销量将会起到决定性的作用。

结论：

未来两周：
对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”或“中偏强”研判。
对于MicroSD走势维持“中性”“中偏强”研判，维持区间震荡走势，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”或“中偏强”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏强”格局。
操作建议：
建议Nand Flash对于热销产品前期加大库存量，正常经营为主。
T卡维持对于畅销型号产品适当加大库存量，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：