上周回顾及未来四周走势分析

上周现货市场的D3内存走势呈现窄幅盘整态势，尾市价格轻微走软，但是幅度有限。其中2GB DDR3 内存围绕134元的价格展开震荡，尾市价格轻微走软至133元附近盘整。颗粒价格也总体轻微走强，只是尾市价格则轻微偏软。市场商家表现得较为审慎和理性。 上周Nand Flash颗粒价格总体呈现窄幅盘整走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现类似的走势。整体而言，日本地震对Nand Flash的影响是复杂的和多变的，市场商家尚需时间对上下游和产业影响做一个全面的评估，目前市场的心态比较复杂和矛盾。

上周存储器走势回顾(2011.04.04-2011.04.10)

上周现货市场的D3内存走势呈现窄幅盘整态势，尾市价格轻微走软，但是幅度有限。其中2GB DDR3 内存围绕134元的价格展开震荡，尾市价格轻微走软至133元附近盘整。颗粒价格也总体轻微走强，只是尾市价格则轻微偏软。市场商家表现得较为审慎和理性。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现窄幅盘整走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现类似的走势。整体而言，日本地震对Nand Flash的影响是复杂的和多变的，市场商家尚需时间对上下游和产业影响做一个全面的评估，目前市场的心态比较复杂和矛盾。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.04.04-2011.05.15)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均持仓成本继续维持在133元附近，现货市场的库存水位则维持在7天左右，没有明显变化；我们注意到市场的内存商家的库存已经处于合理水位，但少数炒家手里的库存水位就偏高；无论是现货市场还是OEM市场，内存市场的需求仍然一般。颗粒方面，DRAM厂家预期地震将会对价格带来一定的正面影响，继续对出厂价格进行了控制，市场反应偏正面，但就不明显，显示目前的市场的供求关系处于弱平衡状态。

我们维持原来的看法，也就是日本地震的影响将在4月中旬到5月中旬之间开始逐步显现。由于地震对整个产业链均均造成一定的影响，而非仅仅对DRAM产业构成“精确打击”。可以预料得到由于缺料将会导致部分消费成品的生产也将下滑，随之而来的对应记忆体的采购也将下滑，因此目前行业内普遍心情复杂，影响因素较多，并且有牵一发而动全身的效果，对于后市的走势均不敢贸然作出评判，这也是目前市场走势不温不火的主要原因。

我们认为PC单机内存搭载量转为4GB进程的快慢将决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。目前4GB销量维持在15%左右的比例（按D3模组的数量计算）仍不足以支持价格的上涨，起码4GB的销量要达到25%－35%之间才会有推动价格上涨的动能。
2Gb颗粒产品的产量随着制程和良率的提升而提高，对于目前的价格走势我们维持既有研判不变，也就是中短期价格维持宽幅震荡的机会偏高；未来长线的反弹属于中等级别，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前，伴随着价格的下滑，4GB的销量将会大幅提升；只有4GB D3内存成为市场主流，具体而言就是按数量计算超过25%时，价格自然才会得到实质支撑，并且出现比较有基础的反弹。

短线（两周以内）：

模组方面：

KST 2GB D3内存在120-150元之间震荡。

颗粒方面：

D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.85－2.30美金之间盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏强”研判，区间震荡加剧，幅度加大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
短期在135元以下开始加大库存量，140元以上开始逐步减仓。中线120元以下可以逐步增仓至7-8成仓位。理论上讲，110-125之间的价格区间是最佳买入价格区间，目前情况来看，150元附近则务必空仓。

Nand Flash：

上周Nand Flash后价格总体呈现区间盘整走势，市场仍在观望地震影响后续的情况；而MicroSD的价格总体也呈现类似的走势。现货市场的终端需求一般，价格波动区间变小也导致投机性需求逐步减弱，因此价格也就渐趋平稳。
目前受到地震的影响的相关厂家已经部分恢复生产，但是受到停电的影响尚不能满负荷生产，理论上受到东芝停产影响，Nand Flash相关产品的价格中线价格仍会有走强的机会偏大。
日本地震无疑已经对Nand Flash供应产生了实质的影响，首先这次地震直接冲击到了东芝的半导体厂，尽管有消息说，会在很快的时间内恢复生产，但是一般而言，中短期还是会造成供应将趋紧所谓预期，何况地震对厂家的影响已经确实已经发生了。
但是随着时间的推移，大家发现由于缺料已经对平板电脑和智慧手机的出货造成影响，这也将可能导致记忆体需求的也同时下降了。所以目前的情况比较复杂，我们研判4月中旬到5月中旬将是关键期。如果在4月中旬前，相关厂家不能恢复正常生产的话，以后一段时间，供应必将会出现下降，到时就要看供应和需求哪一方面下降的更多才能作出较为准确的判断。
Nand Flash的现货市场的价格短线出现大幅上涨可能性也不大，这是由现货市场目前需求不佳和供应方也偏多和成本下滑等多方面的因素所决定的；Nand Flash相关产品价格的中期走势将主要由OEM方面的需求所决定，并非有现货市场的炒作来决定，年内则主要看平板电脑和智慧型手机的销量，这将会起到决定性的作用。

结论：

未来两周：
对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”或“中偏强”研判。
对于MicroSD走势维持“中性”“中偏强”研判，维持区间震荡走势，交易性的机会将较多。
未来四周：
我们对Nand Flash的走势维持“中性”或“中偏强”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏强”格局。

操作建议：

建议Nand Flash对于热销产品适当加大流水库存量，正常经营为主。
T卡维持对于畅销型号产品适当加流水大库存量，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：维持正常流水库存,15天库存，波段操作，不宜对涨跌幅度期待过大，小涨小跌或是常态。 120-135元之间逢低逐步吸纳，加大库存，140元以上逢高逐步减仓。
Flash：适当加大交易库存，波段操作。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：适当加大交易库存量，波段操作。

未来四周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	125-150	总体维持区间盘整走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
美光、南亚	2Gb DDR3 1333	USD1.90-2.30	区间盘整走势