上周回顾及未来四周走势分析

上周现货市场D3内存的价格呈现弱势盘整态势，由于价格超跌尾市价格轻微反弹，但是幅度相对有限。其中KST 2GB DDR3 内存最低曾下跌至119元，尾市价格轻微反弹至124元附近盘整。颗粒价格则持续缓慢走低，未见反弹；其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.83美金。目前现货市场气氛趋于为审慎和理性，投机性需求明显得到抑制。 由于现货市场需求疲软，加之市场对日本地震的缺货影响预期心理降低，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现震荡下滑走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格则呈现偏软的震荡走势

上周存储器走势回顾(2011.05.02-2011.05.08)

上周现货市场D3内存的价格呈现弱势盘整态势，由于价格超跌尾市价格轻微反弹，但是幅度相对有限。其中KST 2GB DDR3 内存最低曾下跌至119元，尾市价格轻微反弹至124元附近盘整。颗粒价格则持续缓慢走低，未见反弹；其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.83美金。目前现货市场气氛趋于为审慎和理性，投机性需求明显得到抑制。
由于现货市场需求疲软，加之市场对日本地震的缺货影响预期心理降低，上周Nand Flash颗粒价格总体呈现震荡下滑走势；现货市场Micro SD（T卡）的价格则呈现偏软的震荡走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.05.04-2011.06.05)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均库存水位只有1周左右，市场持仓成本在125元附近，库存水位明显下滑；我们注意到市场的内存商家的库存已经处于合理水位的偏低的水平，但个别炒家手里的库存水位就偏高；整体市场的需求就一般，无论是现货市场还是OEM市场。颗粒方面，由于买盘较弱，价格开始缓慢下滑，原来上游的惜售不出的心理开始松动，显示目前的市场的供求关系处于仍弱平衡状态，市场实际仍处于轻微供大于求的状态下，主要原因就是需求相对往年同期要差一些。
我们维持原来的看法，也就是日本地震对整个产业链均造成的影响，而非仅仅对DRAM构成“精确打击”，由于缺料部分消费成品的生产也将下滑，随之而来的相应零部件采购也将下滑，因此影响因素较多且负责，并且有牵一发而动全身的效果，对于后市的走势均不能作出准确研判，这也是目前市场走势不温不火的主要原因。
我们仍然认为PC单机内存搭载量转为4GB进程的快慢将是决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。目前4GB销量维持在20%左右的比例（按占D3模组数量比例计算）仍不足以支持价格的上涨，当4GB的销量占总体销量的30%－40%时就会产生推动价格上涨的动能。
2Gb颗粒产品的产量随着制程和良率的提升而提高，对于目前的价格走势我们维持既有研判不变，也就是中短期价格维持宽幅震荡的机会偏高；未来长线的反弹属于中等级别，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。
中线来讲，由于5、6月份是淡季，且已经开始显现，OEM市场的需求也不佳，另外全球第一季度NB的销量下滑接近10%，显示平板电脑的热销和全球性的通胀等问题对PC的已经产生的负面影响，我们认为受到业绩压力的DRAM厂家将会持续减产或者转产，DRAM价格很大可能性会在第二季度底前见底。

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前，伴随着价格的下滑和4GB的销量的大幅上升，DRAM价格将会见底。随着4GB D3内存成为市场主流，具体而言就是按数量计算超过30%后，价格将获得实质支撑，随之出现比较有基础的反弹行情。

短线（两周以内）：
模组方面：

KST 2GB D3内存在115-130元之间弱势震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.75－2.00美金之间弱势盘整的机会较大。

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧,幅度加大。KST 2GB D3内存在110-135元之间弱势震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.65－2.00美金之间弱势盘整的机会较大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
短期在120元以下开始加大库存量，130元以上开始逐步减仓。中线115元以下可以逐步增仓至7-8成仓位。理论上讲，110-120之间的价格区间是最佳买入价格区间。

Nand Flash：

上周Nand Flash价格总体呈现偏软的盘整走势，市场需求一般；MicroSD的价格总体呈现弱势区间盘整走势，现货市场的终端需求一般，价格波动区间变小也导致投机性需求逐步减弱，因此价格也就渐趋平稳。
由于平板电脑的产量并未出现爆炸式增长，而受到地震的影响的相关厂家已经部分恢复生产，2Xnm的制程良率不断提升，加之现货市场的需求一般，因此价格开始走软也在情理之中，未来平板电脑和智慧手机的增长将决定Nand Flash的走势好于DRAM，而增长幅度将会决定Nand Flash的供求关系变化。
日本地震无疑已经对Nand Flash供应产生了负面影响，随着时间的推移，大家发现由于缺料不仅仅限于存储器，其它零部件的缺料也将对平板电脑和智慧手机的出货造成一定影响，相应的记忆体需求的也将下降。所以目前的情况比较复杂，原来我们研判4月中旬到5月中旬将是关键期。如果在5月中旬前，相关厂家不能恢复正常生产的话，以后一段时间，供应必将会出现下降，到时就要看供应和需求哪一方面下降的更多才能作出较为准确的判断。
但是就目前的情况来看，平板电脑的增长不尽如人意，我们预计价格中短期总体面临压力。Nand Flash的现货市场的价格短线出现大幅上涨可能性也不大，这是由现货市场目前需求不佳和供应方也偏多和成本下滑等多方面的因素所决定的；Nand Flash相关产品价格的中期走势将主要由OEM方面的需求所决定，并非有现货市场的炒作来决定，年内则主要看平板电脑和智慧型手机的销量，这将会起到决定性的作用。

结论：

未来两周：

对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”或者“中偏软”研判。
对于MicroSD走势维持“中性” 或者“中偏软”研判，维持区间震荡走势，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或或者“中偏软”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏软”格局。

操作建议：

建议Nand Flash维持合理库存，正常经营为主。
T卡维持合理库存，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：110－120元之间逢低逐步吸纳，加大库存，130元以上逢高逐步减仓。
Flash：维持合理库存，正常经营。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：维持正常库存，正常经营。

未来四周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR3 1333 8C	110-135	总体维持区间盘整走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
美光、南亚	2Gb DDR3 1333	USD1.65-2.00	区间盘整走势