上周回顾及未来四周走势分析

经过几周的缓步震荡下跌，上周现货市场D3内存的价格继续呈现弱势盘整态势，其中KST 2GB DDR3 内存最低下跌至109元，尾市价格轻微反弹至111元附近盘整。颗粒价格则持续缓慢走低，未见反弹；其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.68美金附近。目前现货市场气氛虽然趋于为审慎和理性，但是投机性需求仍随时可能出现。
前几周由于现货市场需求疲软，加之市场对日本地震的缺货影响预期心理降低，市场出现了明显的去库存化行为，Nand Flash颗粒价格总体呈现明显震荡下滑走势，只是在上周末少部分个别需求大的产品出现了明显的反弹，其中UBG的反弹较为明显；现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现类似的走势，但是反弹出现的略早而已。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.06.06-2011.07.03)

DDR3：

目前现货市场KST 2GB D3平均库存水位仍维持在1周左右，市场持仓成本在115元附近，库存水位变化不大；我们注意到现货市场的内存商家的库存已经处于合理水位的偏低的水平，但个别炒家手里的库存水位仍偏高。整体市场的需求就一般，无论是现货市场还是OEM市场。颗粒方面，由于买盘较弱，价格继续缓慢下滑，原来上游的惜售不出的心理已经出现一定程度的松动，显示目前的市场的供求关系处于仍弱平衡状态，，实际仍处于轻微供大于求的状态下，主要原因是上游厂家虽在减产，但是不幸的是需求相对往年同期要差许多。
现货市场春节后需求骤减，原因比较复杂，经我们了解，主要由于以下几个原因：一、全球性通货膨胀，导致需求观望；二、平板电脑热销，导致部分笔记本电脑需求转移至平板电脑；三、由于今年模组价格相对便宜，品牌电脑出厂前基本上均搭载了4GB以上内存，无需升级，导致D3在现货市场的升级需求基本上消失。
我们仍然认为PC单机内存搭载量转为4GB进程的快慢将是决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。目前4GB销量维持在20%左右的比例（按占D3模组数量比例计算）仍不足以支持价格的上涨，当4GB的销量占总体销量的30%－40%时就会开始具备推动价格上涨的动能。
2Gb颗粒产品的产量随着40nm和30nm制程良率的提升而提高，对于目前的价格走势我们维持既有研判不变，也就是中短期价格维持弱势震荡的机会偏高；未来长线的反弹属于中等级别，最低点到最高点的涨幅介于25%-40%之间的可能性最大。
中线来讲，由于6月份仍是淡季，7月份需求将会稍微转好，截至上周OEM市场的需求维持一般，平板电脑的热销等问题已经对PC的已经产生的负面影响，我们认为受到业绩压力的DRAM厂家将会持续减产或者转产，DRAM价格很大可能性会在第二季度底前后见底，但是由于需求转好能见度不高，价格在底部徘徊后出现反弹的时间或有可能延长至第三季度末。

结论：

长线而言，我们预计在今年年第二季度底前后，伴随着D3价格的下滑和4GB的销量的大幅上升，DRAM价格将会见底，但是反弹的时间或延迟至第三季度末。随着4GB D3内存成为市场主流，具体而言就是按数量计算超过30%后，价格将获得实质支撑，随之出现比较有基础的反弹行情。
短线（两周以内）：

模组方面：
KST 2GB D3内存在100-120元之间弱势震荡。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.50－1.70美金之间弱势盘整的机会较大。

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧，但是幅度就不大。KST 2GB D3内存在95-120元之间弱势震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.30－1.70美金之间弱势盘整的机会较大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，适当加大波段操作力度，逢低吸纳，逢高减磅。
由于需求惨淡，价格反弹遥遥无期，建仓时间延后，理论上2GB DDR3建仓价格间隔区间下调至90-100之间。具体建仓时间我们将会在适当的时间在本栏目另行提出参考建议。

Nand Flash：

近期Nand Flash价格总体呈现偏软的走势，只是临近周末UBG等少量畅销型号MLC Nand Flash颗粒价格由于回补库存出现了超跌反弹；MicroSD的部分型号的价格也出现了超跌反弹走势。现货市场经过前期去库存化行动后，短线出现了回补库存行为，少部分型号价格也出现了超跌反弹走势实属正常。
今年的市场，一方面，由于平板电脑的产量并未出现预期中的爆炸式增长，众多品牌之中只有苹果卖的相对比较好，其它品牌的平板电脑由于种种原因（包括价格问题、缺件问题和操作系统等）或多延后上市、或销量不佳，从而导致Nand Flash的需求不如预期得好。另一方面，Nand Flash相关厂家去年就预期今年平板电脑将出现爆炸性需求，纷纷加大了扩产力度，今年新的产能陆续开出。以上两种原因导致供求关系在震后反弹短短的一段时间后现货市场关系就出现逆转，在市场去库存化的带动下价格快速下滑。近期价格的下滑势头开始减缓，少部分型号主流的颗粒价格更出现了超跌反弹走势，显示前期市场的非理性杀跌出货已经告一段落，未来一段时间的价格将会逐步企稳，但是是否反弹将视需求而定。
随着现货市场需求端开始复苏，价格已经出现止跌企稳的迹象。但是Nand Flash需求成长主要源自两个方面，一是SSD的成长，这个主要包括外置（主要用于便携式存储）和内置（平板电脑和高端笔记本）两个方面的需求，另一个是eMMC，这个主要用于智能手机。从这两方面的需求，我们可以看出Nand Flash的需求主要来自于OEM厂家，而非现货市场，所以目前的现货市场反弹是否意味着需求转好，还有待于后期验证。

结论：

未来两周：

对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性”研判，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹。
对于MicroSD走势维持“中性” 研判，维持区间震荡走势，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或者“中偏软”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏软”格局，总体而言，我们认为目前出现持续反弹的机会不高。

操作建议：

建议Nand Flash维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。
T卡维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：95－105元之间逢低逐步吸纳，加大库存，120元以上逢高逐步减仓。
Flash：维持合理库存，适当波段操作，正常经营。
长线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大。
T卡（MicroSD）：维持正常库存，适当波段操作，正常经营。