上周回顾及未来四周走势分析

D3价格经过六月份的持续震荡下跌，品牌模组2GB D3的价格已经悉数跌破100元整数关卡。其中KST 2GB DDR3 内存最低跌至89元，而其它品牌的2GB D3均跌至75元到90元之间的价位。颗粒价格也继续惯性下滑，近期跌幅有所扩大。其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.45美金附近，白板颗粒的价格更是创出2Gb D3颗粒有史以来的新低1.10美金。由于2GB D3内存的价格已经创出其历史新低，并接近主流内存的价格历史最低点，导致近期现货市场投机活动开始死灰复燃，投机气氛开始日渐活跃。
六月份由于现货市场需求疲软，加之其它品牌平板电脑需求不如预期强烈，Nand Flash颗粒价格总体呈现轻微偏软的走势，但跌幅开始逐步收窄。现货市场Micro SD（T卡）的价格则呈现低位窄幅盘整的走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.07.04-2011.07.31)

DDR3：

4月份开始在看空气氛笼罩下的现货市场，KST 2GB D3平均库存水位一直处于下降之中，并于前期跌至最低点后伴随着投机活动的活跃开始有所回升，库存上升到1周到两周之间，总体仍处于合理水位的偏高位置。市场持平均仓成本下降至95元附近。现货市场的内存商家的库存总体处于合理水位，但个别炒家手里的库存水位仍偏高，值得注意的是市场库存水位开始呈现上升的趋势。
整体市场的需求就一般，无论是现货市场还是OEM市场。颗粒方面，由于买家预期价格还会下滑，导致买盘较依然偏弱，价格维持震荡下滑态势，通路商及投机商降价求售是导致颗粒价格持续下滑的主要原因。目前的市场的处于供大于求状态，主要原因是需求相对往年同期要差许多，尽管六月中旬后有所好转，但是幅度总体不大。
我们继续维持PC单机内存搭载量转为4GB进程的快慢将是决定这波行情启动快慢的关键因素，这也将决定市场需求和承接力的主要因素。目前4GB销量有所上升，大约在20%－25%左右的比例（按占D3模组数量比例计算），但是由于产出增加，所以增量需求仍不足以支持价格的出现上涨。我们预计当4GB的销量占总体销量的达到40%时才会具备推动价格上涨的基础。
2Gb颗粒产品的产量随着40nm和30nm制程良率的提升而提高，由于目前的价格已经跌破所有40nm厂家的变动成本，并且逼近其制造成本，我们认为虽然未来中短期价格价格走势继续维持弱势震荡的机会偏高，但是已经接近底部并逐步进入筑底阶段，但由于需求疲弱这个过程可能相对比较漫长。
对于未来长线的反弹级别，我们暂时继续维持原有的看法不变，也就是仍属于中等级别。考虑到近期下跌幅度较大，我们预计由最低点到最高点的涨幅介于30%-50%之间的可能性最大。
中线来讲，7月份需求相对于6月份将会转好，截至上周OEM市场的需求维持一般，因为看到现货市场的价格下滑较快，OEM买盘不够踊跃。虽然平板电脑和智慧手机的热销等问题已经对PC的需求的已经产生的负面影响，但是令人遗憾的是平板电脑的需求也未像预期一样爆发以弥补PC机需求的减少，目前也仅仅是苹果一家卖得好，所以这大大抑制了DRAM的需求。
我们认为受到业绩压力的DRAM厂家将会持续减产或者转产，由于近期的价格下跌速度较快，价格有很大机会在7、8月份触底，也就是在第二季度底前DRAM价格触底的可能性很大。但是由于需求转好能见度仍不高，价格在底部徘徊后出现反弹的时间或有可能延长至第三季度末，甚至第四季度。

结论：

长线而言，我们预计在今年7－8月份触底，伴随着D3价格的下滑和4GB的销量的大幅上升，DRAM价格将会见底反弹，但是反弹的时间或延迟至第三季度底前后。
随着4GB D3内存成为市场主流，具体而言就是按数量计算超过30%后，价格将获得实质支撑，随之才会有机会出现比较有基础的反弹行情。

短线（两周以内）：

模组方面：
KST 2GB D3内存在85－100元之间弱势震荡。

颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.40－1.60美金之间弱势盘整的机会较大。
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧，但是幅度就不大。KST 2GB D3内存在80-95元之间弱势震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在1.30－1.55美金之间弱势盘整的机会较大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，适当90元以下逐步缓慢且加大建仓力度。并适当波段操作，逢低吸纳，逢高减磅。
由于需求一般，价格反弹暂仍遥遥无期，建仓时间延后，理论上2GB DDR3建仓价格间隔区间下调至65－90之间，越低越买。
具体建仓时间我们将会在适当的时间在本栏目另行提出参考建议。

Nand Flash：

近期Nand Flash价格总体呈现偏软的走势，但是跌势总体趋缓；MicroSD价格基本上处于区间盘整之中，价格变化不大。部分型号的价格也出现了超跌反弹走势，现货市场经过前期去库存化行动后，短线出现了回补库存行为，少部分型号价格也出现了超跌反弹走势实属正常。
今年的市场，一方面由于平板电脑的产量并未出现预期中的爆炸式增长，众多品牌之中只有苹果卖的相对比较好，其它品牌的平板电脑由于种种原因（包括价格问题、缺件问题和操作系统等）或多延后上市、或销量不佳，从而导致Nand Flash的需求不如预期得好。另一方面，Nand Flash相关厂家去年就预期今年平板电脑将出现爆炸性需求，纷纷加大了扩产力度，今年新的产能陆续开出。以上两种原因导致供求关系在震后反弹短短的一段时间后现货市场关系就出现逆转，在市场去库存化的带动下价格快速下滑。近期价格的下滑势头开始减缓，少部分型号主流的颗粒价格更出现了超跌反弹走势，显示前期市场的非理性杀跌出货已经告一段落，未来一段时间的价格将会逐步企稳，但是是否反弹将视需求而定。
随着现货市场需求端开始复苏，价格已经出现止跌企稳的迹象。但是Nand Flash需求成长主要源自两个方面，一是SSD的成长，这个主要包括外置（主要用于便携式存储）和内置（平板电脑和高端笔记本）两个方面的需求，另一个是eMMC，这个主要用于智能手机。从这两方面的需求，我们可以看出Nand Flash的需求主要来自于OEM厂家，而非现货市场，所以目前的现货市场反弹是否意味着需求转好，还有待于后期验证。
对于第三季度的Nand Flash需求，我们持乐观态度，至于价格是否出现上涨就有待于需求的增加。随着包括平板电脑和智慧型手机在内的消费电子旺季的到来，我们有理由相信Nand Flash的需求必将好转，价格将获得支撑，并会有所表现。

结论：

未来两周：

对于未来两周的价格走势 我们认为总体Nand Flash持“中性” 或者“中偏软”研判，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹。
对于MicroSD走势维持“中性” 或者“中偏软”研判，维持区间震荡走势，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或者“中偏软”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏软”格局，总体而言，我们认为目前出现持续反弹的机会不高。
对于第三季度中后期，随着平板电脑和智慧手机需求的崛起，我们预计Nand Flash的价格将会有机会出现一定幅度的反弹走势。

操作建议：

建议Nand Flash维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。
T卡维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：