上月回顾及8月份存储器走势分析

七月份DDR3的价格惯性震荡下跌，几乎没有出现任何反弹。品牌2GB DDR3模组的价格已经悉数跌破75元关卡。其中KST 2GB DDR3 内存最低跌至72.50元，而其它品牌的2GB DDR3均跌至60元到72元之间的价位。颗粒价格也继续惯性下滑，其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.05美金附近，白板颗粒的价格更是创出2Gb D3颗粒有史以来的新低0.85美金附近。 七月份由于现货市场需求疲软，加之其它品牌平板电脑需求不如预期强烈和Nand Flash厂家新的产能持续开出，Nand Flash颗粒价格总体呈现轻微偏软的走势。现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现低位弱势区间盘整的走势。

七月份存储器走势回顾(2011.07.04-2011.07.31)

七月份DDR3的价格惯性震荡下跌，几乎没有出现任何反弹。品牌2GB DDR3模组的价格已经悉数跌破75元关卡。其中KST 2GB DDR3 内存最低跌至72.50元，而其它品牌的2GB DDR3均跌至60元到72元之间的价位。颗粒价格也继续惯性下滑，其中品牌2Gb D3颗粒最低跌至1.05美金附近，白板颗粒的价格更是创出2Gb D3颗粒有史以来的新低0.85美金附近。
七月份由于现货市场需求疲软，加之其它品牌平板电脑需求不如预期强烈和Nand Flash厂家新的产能持续开出，Nand Flash颗粒价格总体呈现轻微偏软的走势。现货市场Micro SD（T卡）的价格也呈现低位弱势区间盘整的走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.08.01-2011.08.28)

DDR3：

随着尔必达的减产消息散步出来，市场上似乎出现了一丝希望的曙光，但令人奇怪的是减产的消息是记忆体封测大厂力成发布的，而非相关DRAM厂家。
一般而言在市占率最高的两家韩国厂商没有减产前，D3价格出现大幅反弹的机会并不大。美光系台湾南科的态度也令人瞩目，那就是不减产，继续提升制程，力图在这波淘汰赛中胜出。
目前2Gb颗粒的价格即将跌破现金成本价，在目前全球经济不佳的大环境下，在没有跌破现金成本价前就轻易言底部未免显得有些草率了。
一般在市场环境比较差的年份，底部价格均会跌破现金成本价，据此我们也认为今年也不会例外。目前4Xnm的现金成本价分别是：品牌2Gb颗粒大约在接近1美金附近，白板2Gb颗粒则在0.80美金附近；而3Xnm制程的现金成本价一般低于4xnm的现金成本价格大约20%左右。也就是说在没有跌破4xnm制程的现金成本的前不宜建投机仓！
根据我们的测算，目前大陆市场普遍采用的现金成本价白板颗粒折算为2GB D3内存的价格大约在55元附近，加上包装、营销费用和合理的利润后，大约在60元附近。当然这是二、三线品牌模组的按早现金成本价格颗粒折算成模组对应的价格。金士顿等品牌的价格一般还要高5元，也就是65元左右，对应的4GB的现金成本价格的则处于在105元－115元之间。
所以，目前的价格理论上已经距离底部不远，只是反弹之日却遥遥无期而已。我们预计在10月底前，D3的价格就会触底，以金士顿2GB为例建仓的理想最佳价格区间在50－65之间，跌破45元的机会渺茫。

结论：

长线而言，我们预计在今年10月底前一定会触底，伴随着D3价格的下滑和4GB的销量的大幅上升，DRAM价格将会见底反弹，但是反弹的时间或延迟至第四季度底前后。
随着4GB D3内存成为市场主流，价格将获得实质支撑，随之才会有机会出现比较有基础的反弹行情。尽管目前按实际销售数量计算4GB的销售数量已经超过30%，但是由于市场总体需求不佳，我们认为当这一比例达到50%以上，并且相关厂家多有实质的减产行为出现后才会有机会出现大幅的反弹。
一般预计，大幅反弹的时间在今年的11月到明年第一季度之间的机会最大。

短线（两周以内）：

模组方面：
KST 2GB D3内存在65－75元之间弱势震荡。

颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.90－1.10美金之间弱势盘整的机会较大。

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧，但是幅度就不大。
内存方面，KST 2GB D3内存在60-70元之间弱势震荡。
D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.85－1.10美金之间弱势盘整的机会较大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，70元以下逐步缓慢且加大建仓力度。并适当波段操作，逢低吸纳，逢高减磅。
由于需求一般，价格反弹暂仍遥遥无期，建仓时间延后，理论上最终2GB DDR3建仓价格区间下调至50－70之间（这一区间以后不会再调整），越低越买。

具体建仓时间我们将会在适当的时间在本栏目另行提出参考建议。

Nand Flash：

近期Nand Flash价格总体呈现偏软的走势，但是跌势总体趋缓；MicroSD价格基本上处于窄幅区间盘整之中，价格变化不大。
今年的市场，一方面由于平板电脑的产量并未出现预期中的爆炸式增长，众多品牌之中只有苹果卖的相对比较好，其它品牌的平板电脑由于种种原因（包括价格问题、缺件问题和操作系统等）或多延后上市、或销量不佳，从而导致Nand Flash的需求不如预期得好。另一方面，Nand Flash相关厂家去年就预期今年平板电脑将出现爆炸性需求，纷纷加大了扩产力度，今年新的产能陆续开出。
随着现货市场需求端开始复苏，价格已经出现止跌企稳的迹象。但是Nand Flash需求成长主要源自两个方面，一是SSD的成长，这个主要包括外置（主要用于便携式存储）和内置（平板电脑和高端笔记本）两个方面的需求，另一个是eMMC，这个主要用于智能手机。从这两方面的需求，我们可以看出Nand Flash的需求主要来自于OEM厂家，而非现货市场。
对于第三季度的Nand Flash需求，我们持乐观态度，至于价格是否出现上涨就有待于需求的增加。随着平板电脑和智慧型手机在内的消费电子旺季的到来，尤其是苹果之外的其他品牌的平板电脑和智慧手机的在年底前大量推出，我们有理由相信Nand Flash的需求必将好转，价格将获得支撑，并会有所表现，但是产能的增加也意味着价格难以出现以往大涨走势。

结论：

未来两周：

对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性” 或者“中偏软”研判，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹。
对于MicroSD走势维持“中性” 或者“中偏软”研判，维持区间震荡走势，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”或者“中偏软”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”或“中偏软”格局，总体而言，我们认为目前出现持续反弹的机会不高。
对于第三季度中后期，随着平板电脑和智慧手机需求的崛起，我们预计Nand Flash部分产品的价格将会有机会出现一定幅度的反弹走势，但是幅度有限。

操作建议：

建议Nand Flash维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。
T卡维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：未来四周仍以弱势盘整为主的机会偏大，但是如果价格出现急跌，就应引起注意，尤其是如果KST 2GB D3跌破65元的时候。
Flash：维持合理库存，适当波段操作，正常经营。
中线Nand Flash的价格仍将维持缓慢的下跌走势的机会偏大，长线受到平板电脑和智慧手机的影响会有所表现。
T卡（MicroSD）：维持正常库存，适当波段操作，正常经营。

未来四周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
KST	2GB DDR3 1333 8C	60－75	维持弱势区间盘整走势

未来四周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间USD	预测走势
美光、南亚	2Gb DDR3 1333	USD0.85－1.10	维持弱势区间盘整走势