上周回顾及未来四周走势分析

八月份DDR3的价格呈现窄幅区间震荡走势，价格间或出现轻微反弹，70元的价格多次失而复得。品牌2GB D3模组的价格已经悉数跌破75元关卡，其中KST 2GB DDR3 内存最低跌至69.60元，而其它品牌的2GB D3均跌至60元到70元之间的价位，但是整月价格变化并不大。颗粒价格在大部分时间里继续惯性下滑走势，只是在上周才出现了第一次跌深反弹。其中品牌2Gb D3颗粒由最低跌至0.95美金附近时出现反弹，升至1.01美金附近；白板颗粒的Spectek价格更是创出2Gb D3颗粒有史以来的新低0.72美金附近后，后反弹至0.90美金附近。
八月份在UBG 2A或将停产的和其供应减少的带动下，UBG 2A价格大幅反弹，值得注意的是市场的投机需求起到了明显地推波助澜的作用。其他型号的产品价格涨幅相对比较小。由于市场前期去库存化导致Nand Flash库存水位偏低，而近期的回补库存行动和短期消费产品旺季效应的共同作用下，价格于是出现了上涨。

未来四周存储器价格走势分析预测(2011.08.29-2011.09.25)

DDR3：

随着尔必达的减产，其他台系厂家由于不堪亏损扩大，都已经暗中减产。在供大于求的现实面前，韩系厂家实际上也在减产，只是未公布而已，因为这样并不是他们想要的结果。
目前先进制程的厂商通过继续提升制程拉大与落后厂家的技术差距的同时，在市场也维持相当的供应量，逐步侵蚀落后厂家减产后让出的市场份额，力图在这波淘汰赛最终受益，并将淘汰落后厂家而胜出。
上一期我们谈到过，在目前全球经济不佳的大环境下，2Gb颗粒的价格还未真正跌破现金成本价前就轻易言底部还为时尚早。就8月份的情况来看，由于厂家开始加大减产DDR3的力度，DDR3的价格极有可能在9到10月份之间触底，并且最后形成“U”性反转走势。
一般在市场环境比较差的年份，底部价格均会跌破现金成本价，据此我们也认为今年例外的可能性也不大。目前4Xnm的现金成本价分别是，品牌2Gb颗粒大约在1美金附近，白板2Gb颗粒则在0.80美金附近；而3Xnm会低于4xnm的价格大约20%左右。根据我们的测算，目前大陆市场普遍采用的现金成本价白板颗粒折算为2GB D3内存的价格大约在55元附近，加上包装、营销费用和合理的利润后，大约在60元附近。当然这是二、三线品牌模组的按早现金成本价格颗粒折算后模组对应的价格。金士顿等品牌的价格还要高5元，也就是65元左右；对应的4GB的价格的则分别在105元－115元之间。
所以，目前的价格理论上已经距离底部不远，只是反弹之日却遥遥无期而已。我们预计在10月底前，D3的价格就会触底，以金士顿2GB为例建仓的最佳价格区间调整为50元－70元之间，跌破50元的机会渺茫，最有可能的区间是60元附近。

结论：

长线而言，我们预计在今年10月底前一定会触底，伴随着D3价格的下滑和4GB的销量的大幅上升，DRAM价格将会见底反弹，但是反弹的时间或延迟至第四季度底前后。
随着4GB D3内存成为市场主流，价格将获得实质支撑，随之才会有机会出现比较有基础的反弹行情。尽管目前按实际销售数量计算4GB的销售数量已经达到40%附近，并开始接近50%，考虑到市场总体需求不佳，我们认为当这一比例达到60%以上，并且相关厂家实质的减产行为加大显现后才会有机会出现大幅的反弹。
一般预计，大幅反弹的时间在今年的11月到明年第一季度之间的机会最大。

短线（两周以内）：

模组方面：

KST 2GB D3内存在65－80元之间震荡的机会偏大。

颗粒方面：

D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.90－1.10美金之间弱势盘整的机会较大。百般颗粒价格在0.65-0.95美金之间盘整的机会偏高

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧，但是幅度就不大。KST 2GB D3内存在60-80元之间弱势震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.90－1.05美金之间弱势盘整的机会较大。

操作建议：

D3建议维持合理库存的基础上，适当70元以下逐步缓慢且加大建仓力度。并适当波段操作，逢低吸纳，逢高减磅。
由于需求一般，价格反弹暂仍遥遥无期，建仓时间延后，理论上最终2GB DDR3建仓价格区间为50－70之间（维持前期研判不变，以后也不会再调整），越低越买。
具体大量建仓时间我们将会在适当的时间在本栏目另行提出参考建议。

Nand Flash：

近期Nand Flash价格总体呈现偏强的走势，其中以16Gb和32Gb容量为主；MicroSD价格基本上处于强势区间盘整之中，1GB和2GB价格偏强，但是4GB价格变化不大。
随着现货市场需求端开始复苏，价格已经出现止跌企稳并且部分型号的产品价格出现了反弹。但是Nand Flash需求成长主要源自两个方面，一是SSD的成长，这个主要包括外置（主要用于便携式存储）和内置（平板电脑和高端笔记本）两个方面的需求，另一个是eMMC，这个主要用于智能手机。从这两方面的需求，我们可以看出Nand Flash的需求主要来自于OEM厂家，而非现货市场。
上一期我们谈到，对于第三季度的Nand Flash需求，我们持乐观态度，至于价格是否出现上涨就有待于需求的增加。随着平板电脑和智慧型手机在内的消费电子旺季的到来，尤其是苹果之外的其他品牌的平板电脑和智慧手机的大量推出，我们有理由相信Nand Flash的需求必将好转，价格将获得支撑，并会有所表现，尽管目前的畅销型号的产品价格出现了上涨，但是产能的增加也意味着价格难以出现以往大涨走势。
但对于长线走势，我们就持审慎的态度。今年的市场，一方面由于平板电脑的产量并未出现预期中的爆炸式增长，众多品牌之中只有苹果卖的相对比较好，其它品牌的平板电脑由于种种原因（包括价格问题、缺件问题和操作系统等）或多延后上市、或销量不佳，从而导致Nand Flash的需求不如预期得好。另一方面，Nand Flash相关厂家去年就预期今年平板电脑将出现爆炸性需求，纷纷加大了扩产力度，第四季度新的产能陆续开出。

结论：

未来两周：

对于未来两周的价格走势， 我们认为总体Nand Flash持“中性” 或者“中偏强”研判，个别型号的产品价格有机会继续反弹。
对于MicroSD走势维持“中性”研判，维持区间震荡走势，但是个别型号的产品价格有机会继续反弹，交易性的机会将较多。

未来四周：

我们对Nand Flash的走势维持“中性”研判。
我们对MicroSD也维持同样的研判。
具体到个别型号会是涨跌互现的局面，但是总体走势仍会维持“中性”，总体而言，我们认为目前出现持续反弹的机会不高。
对于第三季度中后期，随着平板电脑和智慧手机需求的崛起，我们预计Nand Flash部分产品的价格将会有机会出现一定幅度的反弹走势，但是幅度有限。
第四季度，Nand Flash的价格或许将会重新面临压力，主要原因是平板电脑的销售热潮开始退烧。但是Nand Flash的需求将会越来越大。

操作建议：

建议Nand Flash维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。
T卡维持合理库存，适当波段操作，正常经营为主。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：未来四周仍以弱势盘整为主的机会偏大，但是如果价格出现急跌，就应引起注意，尤其是如果KST 2GB D3跌破70元的时候。
Flash：中偏强走势，适当加大合理库存，适当波段操作，不宜盲目追高，反弹空间有限。
中线Nand Flash的价格偏强的区间盘整走势的机会偏大，第四季度或受产能增加的影响重新面临压力。
T卡（MicroSD）：维持正常库存，适当波段操作，正常经营。