上周回顾及未来四周走势分析
上周存储器走势回顾(2011.09.10-2011.09.16)
节后补货需求并没有如预期的一样出现，在颗粒价格再次走软的带动下，DDR3内存价格也跌破75元支撑价位，收盘时KST 2GB DDR3的价进则一步逼近前期低点，最终收于70元附近。颗粒方面，品牌2Gb D3颗粒跌至1.02美金附近；白板颗粒价格则跌至0.92美金附近。
未来四周存储器价格走势分析预测(2011.10.11-2011.11.27)
DDR3：
前期我们谈单，9月底的DDR3的反弹主要源于DRAM厂家的自救行为，并非供求关系发生根本逆转。
上一期我们谈到过，由于厂家开始加大DDR3的减产力度，DDR3的价格极有可能在9到10月份之间触底，并且最后形成“U”性反转走势，但是这次反弹是否就能够形成反转走势，就还有待于观察，十一后的情况来看，市场继续维持在供大于求的状态中，并已经形成二次探底的局面。
十一后的终端需求不佳是未能将反弹能变成反转的根本原因。截至目前为止，全球需求仍然不佳，就需求而言支持价格大幅上涨的机会并不大；就供应面来讲，DRAM厂家的产能均在，只是暂时减产或者把货放在仓库里等待更好的价格时再拿出来卖而已，从这种情况来讲，形成目前的走势似乎又都是没有悬念的。
由于时间的推移，目前已经进入第四季度上旬，后市的发展起决定作用的因素已经变成4Gb颗粒上市的快慢。我们可以预见的是，年底前需求不会有明显改观，只能寄希望于供应的减少，而产能的减少也是可以预见得到的，只是幅度大小而已，目前来看前期的减产幅度还是不够的。但是30nm及以下制程生产更具成本优势的4Gb颗粒也是必然，所以这将导致两个问题，一个是产出的增加，大约增加40-50%、成本下降30%左右；另一个是转产前期良率不高导致不良品的增加，这部分不良品只能低价流入现货市场，必将对现货市场的价格造成冲击。
所以我们认为，如果4Gb上市早的话，2Gb的产品将会没有任何成本优势，换句话讲大的反弹将不可以看到；反之上市的晚的话，2Gb产品将还是有机会的，而早晚的时间分界点我们认为大约在明年第一度。4Gb上市的时间晚于这个时间点，2Gb产品可能才会有大的机会，否则都是小的机会。
目前的情况来看，我们认为3Xnm和2Xnm制程的 4Gb加速上市的可能性正在加大。
最后，我们谈谈2Gb产品的陈本问题，内存KST 2GB的最佳买入点仍是原来谈到的60元附近，最佳买入区间还是在55-65元之间
结论：
我们维持大幅反弹的时间在今年的11月到明年第一季度之间的机会最大。
短线（两周以内）：
模组方面：
KST 2GB D3内存在65－75元之间震荡的机会偏大。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.90－1.10美金之间盘整的机会较大。白板颗粒价格在0.75-0.95美金之间盘整的机会偏高
中线（四周以内）：
D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”或“中偏软”研判，区间震荡加剧，但是幅度就加大。KST 2GB D3内存在60-80元之间震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.85－1.10美金之间弱势盘整的机会较大。
操作建议：
短线建议在70元以下，逐步加大建仓力度，适当波段操作。
长线D3建议维持合理库存的基础上，适当70元以下逐步缓慢且加大建仓力度。并适当波段操作，65元以下可以逐步满仓。在此之前逢低吸纳，逢高减磅的操作策略。
未来四周市场操作建议汇总：
DDR3：未来四周仍以弱势盘整为主的机会偏大，但是如果价格出现急跌，就应引起注意，尤其是如果KST 2GB D3跌破70元的时候。
未来四周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
KST |
2GB DDR3 1333 |
65－80 |
维持弱势区间盘整走势 |
未来四周DRAM颗粒价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间USD |
预测走势 |
|
美光、Hynix |
2Gb DDR3 1333 |
USD0.90－1.10 |
维持弱势区间盘整走势 |
|
白板颗粒 |
2Gb |
USD0.70-0.95 |
维持弱势区间盘整走势 |
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