上周回顾及未来六周走势分析

上周在外围市场颗粒价格超跌反弹和KST出货价格调高的带动下，大陆现货市场在投机需求的推动下，内存价格出现久违的小幅反弹走势。其中KST DDR3 2GB内存价格由最低57元涨至最高65元，尾盘由于追高意愿不强，价格有所回调，跌至62元附近盘整。
颗粒方面，品牌2Gb D3颗粒价格全线上涨至0.80美金之上后，由于买盘和成交不多而出现下滑，尾盘最低已经跌破0.80美金。

未来六周存储器价格走势分析预测(2011.12.19-2012.01.31)

DDR3：

上周的反弹仍属于正常的超跌反弹，当然其中也包含厂家在跌破成本价后的惜售心理和拉高价格出货的意图，也包含现货市场人心思涨和投机炒作行为使然。不过考虑到目前的市场环境，价格持续上涨，甚至出现大涨的可能性还是不大。
颗粒厂家的情况
目前全球市占率最多，市占率超过40%多的韩国三星仍然未见有拉高的意图，市面的三星原装2GB和4GB模组的价格一直维持在8.60美金和16.5美金附近，未见明显变化。
而市场上，三星、海力士、美光的原装内存的库存偏大，这些内存一般只能卖到欧美和OEM市场，而非以白板颗粒产品为主的大陆现货市场，这也从另一个方面反映出欧美市场和OEM市场需求不佳。
市场情况
欧美市场由于应对圣诞的采购早已结束，外加目前外围经济环境欠佳，年底前OEM厂家均不再拉货，需求基本冻结。
目前大陆市场处于年底前的收款期，入场资金相对比较审慎；另一方面，前期高位被套的货还是比较多，需求也一般，消化起来需要一定的时间，因此短期价格处于底部盘整期，上下空间均不大。

结论：

未来2Gb颗粒面临淘汰的局面，并且似乎时间也不远了。春节前2Gb的反弹机会仍在于超跌后反弹，并不具有大幅反弹的机会，但是中小幅度的反弹还是有可能的，并且次数越来越多。
目前2Gb的机会仍要看4Gb上市的早与晚，早了机会和反弹空间还有，幅度应在30-50%之间；晚了则都不大。
理论上，在第一季度底前，DRAM总体上仍属于供大于求，但是会逐步改观，随着时间的推移反弹机也会逐步上升。

短线（两周以内）：

模组方面：
KST 2GB D3内存在55－70元之间震荡的机会偏大。
颗粒方面：
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.70－0.85美金之间盘整的机会较大。白板颗粒价格在0.65-0.75美金之间盘整的机会偏高

中线（四周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”研判，区间震荡加剧，但是幅度就加大。KST 2GB D3内存在55-70元之间震荡。D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.65－0.85美金之间盘整的机会较大。
操作建议：
建议加大逢低吸纳的力度，当价格出现下跌时逐步加大建仓力度，将仓位逐步升至15天；反弹时则逐步减仓至7天，一旦跌破55元则加大建仓力度，直至满仓。60元以下为逐步加大吸货力度的建议的吸货价格区域
一般我们预计元旦后，内存价格理论上还会一波下滑走势，到时再视具体情况，我们再另行建议。

未来四周市场操作建议汇总：

DDR3：未来四周以区间盘整为主的机会偏大。最低库存不要低于7天的情况下，逢低逐步吸纳建仓至15-20天库存，逢高则逐步减仓至7-10天，波段操作。