上周回顾及未来八周存储器走势分析

由于DRAM供求关系依旧，价格迟迟未见好转，导致现货市场的内存投机商开始逐步套现离场，并投机价格已经好转Nand Flash，导致内存价格缓步下滑，并跌破前期支持价位。反观颗粒价格虽然也偏软，但是幅度就相对偏小。其中2Gb D3 1333价格，品牌在1美金以上，eTT就在0.90美金以上。而KST 2GB和4GB D3的价格分别跌至67元多和126元多的价位。

未来六周存储器价格走势分析预测(2012.06.18-2012.08.01)

DDR3：

对于这波价格的下探应该讲更多的是一次机会，因为以2GB D3为例，70元以上价格拿货的风险还是偏大的，上涨空间也是有限的，但是下跌后风险就大幅下降了，而机会却增加了。这次的下跌或许是年前倒数第二次的中级波段的下跌。如果没有厂家干预和拉抬价格，我们预计下跌的支撑点在2GB在65元附近，4GB在115-120元之间，而时间点则在6月底前。
目前我们所有预测都是基于2Gb颗粒的成本进行的，但市场也存在的较大的变数，也就是4Gb颗粒将在第三季度开始量产上市，到时颗粒的成本将会大幅下降，整个产品的价值中枢将要重置。由于目前的2Gb颗粒价格偏低，所以4Gb颗粒即使上市也不意味着价格就会明显下滑，但是产能不变的情况下，按容量计算的产量却是大幅增加，长期这必将会对市场造成冲击。
4Gb颗粒的产品具体到内存就是4GB 8片和8GB 16片，最快我们预计在第三季度末就会看到相关的产品，但是短期大量上市的可能性还是不大。
目前的现货市场情况是，1)市场商家的库存绝大多数都处于合理水位，但是极少数商家的库存水位偏高。2）市场部分炒家开始退场，转战Nand Flash市场。3）目前市场的库存多数集中于一些外围炒家手里和一些期货炒家手里。
由于月底前，面临月底做帐和需求低迷，价格一般难有大的表现。但是价格的下跌却给了我们低价买入的机会，毕竟对于多数商家只有价格上涨才会获得增值收益。
结论：
在这波价格下跌至低点时，建议适当逢低吸纳，适当建仓。
所有品牌的1600Mhz的产品都已经上市，注意价格条件成熟时要将把库存逐步转换为1600Mhz产品。

短线（两周以内）：

模组方面：

短线（两周以内）

KST 2GB D3 1333内存在64－70元之间震荡的机会偏大。
D3方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.95-1.05美金之间盘整的机会较大。白板eTT颗粒价格在0.85-0.95美金之间盘整的机会偏高

中线（六周以内）：

D3价格维盘整的机会偏大，中线持“中性”研判。
KST 2GB D3 1333内存在64-70元之间震荡。
D3颗粒方面，预计品牌2Gb D3颗粒价格将会维持在0.95－1.05美金之间盘整的机会较大，白板颗粒的价格将会在0.85-0.95之间盘整的机会偏大。

操作建议：

依然坚持轻仓并坚持波段操作。
短线（两周）维持波段操作建议不变，等待价格下跌至波段低点后，逢低吸纳将仓位增至三分之一左右即可，踏好节奏，维持轻仓，做好防守是关键。
中长线（三周到六周）操作建议，未来六周逢低加大库存水位至半仓，冲高则逐步减磅三分之一库存。并注意两者差价不大的情况下尽量持仓1600Mhz产品。
考虑到需求不佳和供应中线不会明显减少，维持区间内适当波段操作的建议不变。
目前完全满仓的意义也不大，因为中线出现大幅上升的机会还是不大，但是小幅上涨的机会还是存在。

Nand Flash：

由于供大于求的市场现状并未改变，目前的价格反弹多集中于中低阶产品上，加之需求一般，我们预计Nand Flash的反弹接近尾声，注意控制风险，不宜追高拿货！