上周回顾及未来六周存储器价格走势分析

春节前，DRAM价格在反转震荡爬升触顶后，先快速回调后又缓慢爬升。其中KST 4GB DDR3由最低点140元附近爬升至145元附近。我们可以观察得到，目前的价格上升主要由上游DRAM厂家主导，而非市场的终端需求推动。颗粒市场的情况也是类似，随着白板颗粒厂家的逐步退出，品牌颗粒开始有重回市场主导地位的迹象。

未来六周存储器价格走势分析预测(2013.02.18-2013.03.31)

DDR3：

最近几年春节后的行情一般都是多变的，市场人士也多有期待！

节前最大的事件是力晶的P3厂确定卖给非关联方，这意味着力晶将正式退出标准DRAM生产，当然这需要一点时间，至少在DDR3 2Gb时代不会实现的。换句话讲，4Gb时代力晶这个原来的现货市场的老大就会由于制程和设备落后而逐步被市场淘汰。

其次是南亚和美光重新签订关于华亚产能分配，南亚在华亚的产能分配份额降低至只有5%和并退出双方研发协定，这一切均预示着南亚也逐步会退出标准DRAM市场。

以上这些事情预示着未来标准DRAM市场就只剩下三大寡头，DRAM的价格走势将会逐渐步去年Nand Flash的后尘。那就是，该涨就涨，该跌缓跌。

大陆现货市场情况是，商家基本上年前都备有一定的库存，但是内地总量并相对不是太多；而深圳的投机盘相对就多，主要因为前期价格的上涨和棋盘交割的展期等原因造成的。

上游颗粒厂家和通路商的情况是，台湾也是2月18日正式开工，香港早一点，但是由于买家多在大陆，大陆仍在假期中，所以市场暂时没有什么交易。上游目前的态度是想继续拉升，但是需求跟不上。市场虽然经过长达四个月的控货，依然看不出供不应求的迹象。

现货市场有一点趋势我们已经可以见到，那就是品牌颗粒有重夺市场主导权的迹象，当然基于合约市场和现货市场的区隔，有可能是抢占现货市场的品牌是厂家副牌产品。

结论：

预计春节前后这段时间有一定的上涨机会，但是后期是否能够继续就要看需求了。因为2Gb D3颗粒价格一旦进入1.20-1.50美金区间后，4Gb D3颗粒理论上就可以卖到2.40-3.00美金之间。对于4Gb生产厂家那就意味着大赚，卖货的冲动不可抑制。需求一旦跟不上，中线价格仍会在投机盘套利的行为带动下，上下震荡，尤其是2月底时期盼交割的高峰期，价格波动难以避免。

短线（两周以内）：

模组方面：
KST 4GB D3 1600内存在140－160元之间震荡的机会偏大。一旦价格超过155元，要以减仓为主，量出为入，不宜投机。同时也要注意价格快速回调后的超跌机会。

颗粒方面：
D3方面，预计白板eTT 2Gb颗粒价格在1.00-1.35美金之间盘整的机会偏高

中线（六周以内）：

D3价格呈现先高再低，然后区间盘整，最后缓跌的格局

KST 4GB D3 1600内存在130-160元之间震荡。
D3颗粒方面，预计白板eTT 4Gb颗粒的价格将会在1.00-1.35之间盘整的机会偏大。

操作建议：

节后冲高应以逐步减仓为主，不宜追高拿货或者快速套现离场。下跌时也不可一味看跌，因为今年的情况比较特殊，是三大寡头垄断市场新格局的第一年，具体市场的规律还需要实时观察和研究。

就目前而言就是，下跌不要太看空，上涨也不会涨多高。因为下跌时有厂家控货，上涨时有4Gb颗粒的低成本摆在那里。