尔必达危机促台美日联盟再起

尔必达危机促台美日联盟再起　美光趁势成抗韩共主  

尔必达(Elpida)债务危机促成台美日DRAM产业集成浪潮再起，美光(Micron)藉机成为存储器产业抗韩共主，藉由入股尔必达集成台美日3方资源，未来新联盟的NAND Flash生产中心可望是华亚科出线，DRAM生产中心则是瑞晶。
业界透露，若此版本成形，将在1~2周内签订MOU，但关键在于日本政府，传出日方对于技术输美仍有疑虑，因此同时仍考虑与东芝(Toshiba)间的「日系境内集成」模式，或是壮士断腕缩小尔必达营运规模来解套。
存储器业者指出，尔必达向债权银行提出多套集成方案，其中包含与美光间的合作，由于美日与台厂都有紧密合作关系，因此台美日集成成为此次焦点，再加上手握DRAM和NAND Flash技术的美光一直想藉此机会成为抗韩势力的存储器产业共主，趁著尔必达需要财务援助之际，是重启台美日集成的好时机。
根据尔必达向债权银行提出的集成版本，是以抗韩为主轴，分别在DRAM和NAND Flash两大产品在线做资源共享，资源涵盖范围包括12寸晶圆厂产能、营销通路、存储器技术，其中尔必达的优势是DRAM技术强，但营销和业务能力较弱，美光优势是NAND Flash及营销业务能力强，若能结合两强优势，将可1加1大于2。
业者表示，DRAM技术进入30纳米制程以下后，难度门槛大幅提升，与其尔必达和美光各自花庞大资金研发新技术，不如合作共同研发，未来存储器技术统一后，甚至在采购机台设备上有优势。
存储器业者分析，根据美光规划，未来美光和尔必达资源集成后，生产基地一定是放在台湾，美日2大阵营可动用的厂房包括南亚科、华亚科、力晶、瑞晶、茂德等，美光也可能将NAND Flash生产移至台湾，其中可行方案是NAND Flash生产中心在华亚科，DRAM生产中心则在瑞晶。
目前三星全球DRAM产业市占率为45%，美光和尔必达各约12%，2者相加约24%，虽然难敌三星，但至少可以先追平市占率21%的海力士(Hynix)；再者，美光和尔必达同样取得24%市占率，如果资源共享后可用一半的花费取得同样市占率，势必可大幅增加利润。
存储器业者进一步分析，尔必达和美光集成的版本牵涉4方，台厂处于被动一方，因此除了美光和尔必达2位当事人外，还包括日本政府和债权银行，其中最关键是日本政府的态度。
在尔必达提出与美光合作的版本中，业界认为日本政府态度最关键，因为日方作风和思想一向保守，长期以来非常反对半导体技术输美，因此此版本能不能成局，日本政府是关键。据了解，美光高层针对台美日集成一事有与日本政府商量过。
业者分析，美光如果愿意出资挹注尔必达，势必要的是主导权和技术，如果日本政府不同意，那日本政府可能就要自己考虑出资，不论是出资相救、出资让东芝接管部分尔必达业务，总归结论是要日本自己买单。
据了解美光这次这么积极，一方面也是认为这是错失3年前集成后的另一次机会，另一方面也是许多美系系统客户都对于未来半导体零组件恐被三星掐住脖子一事非常担心，因此美光有系统厂的支持下，奋力促成集成。
不过业界也透露，保守的日本政府仍未放弃「日系境内集成」模式，与其与美系业者合作和技术输美，宁可迫使尔必达和东芝重启谈判，甚至由日本政府出面买单部分债务，以大日本的思考模式来解决这一次尔必达延伸出的债务危机。