台湾 五DRAM厂 去年恐赔千亿

台湾 五DRAM厂 去年恐赔千亿 

 
力晶、瑞晶昨（31）日公布去年税后净损各为221.28亿、62.52亿元，分创历来亏损次高与新高。加计南科、华亚科、茂德，台湾五家DRAM厂去年亏损总额恐逾千亿元，是历来最差。力晶、瑞晶营运不振，两家公司今年资本支出大幅缩水，由过往全盛期动辄上百亿元，降到数亿至10余亿元，主要作为制程微缩费用，不再扩产。

法人分析，DRAM价格不振，加上平板电脑等行动装置蓬勃发展，压缩市场成长，造成台湾DRAM厂去年创下“史上最大亏损”。近期各大厂纷纷转型，加上美光传出有意入股尔必达，有望促成新一波整合，，降低台厂失血程度。

力晶去年第四季税后净损88.68亿元，每股净损1.61元；全年税后净损221.28亿元，每股净损4元。力晶表示，去年第四季亏损扩大，主因DRAM价格低迷、提列减产闲置产能损失及认列瑞晶转投资亏损。

力晶强调，专注转型目标不变，全力冲刺自有产品与晶圆代工业务，非标准型DRAM营收比重已超过六成；旗下自有品牌储存型快闪记忆体（NAND Flash）与晶圆代工产品的单月投片量挑战6万片，可大幅降低DRAM价格波动风险。

力晶指出，现阶段产能利用率已大幅提高，业绩可望在第一季后半开始升温，30奈米4Gb DRAM制程预计第二季量产，进一步优化成本竞争优势，改善财务结构。

瑞晶是台湾产线最新、技术最先进DRAM厂，去年上半年仍处于获利，难逃市场低迷冲击，去年8月起转为亏损，去年税后净损62.52亿元，每股净损2.12元。

瑞晶已全数转进30奈米制程生产，初期以2Gb DDR3晶片为主，将扩大4Gb容量比重，希望藉技术提升降低成本，走出亏损阴霾。瑞晶强调，去年营业净现金流入149.15亿元，截至去年底帐上现金及约当现金达57.71亿元，足以因应营运所需。

南科、华亚科日前公布去年税后净损计达608.83亿元，加上瑞晶、力晶亏损金额，这四家DRAM厂去年亏损计达892.63亿元。法人估计，若加计财报仍“难产”的茂德，台湾五家DRAM厂去年总亏损恐逾千亿元，比金融海啸还糟。