4GB合约价蠢动　抢先转进30奈米者受惠

4GB DRAM合约价蠢动　抢先转进30奈米者受惠

 DRAM厂纷纷婉拒削价竞争策略，1月下旬DRAM合约价从4GB模组开始涨声响起，但涨价力道仍有限，主要是PC OEM业者并未展现积极拉高记忆体库存水位，或是拉高搭载内建的记忆体容量的态度。不过，转进30奈米制程比重较高的业者，在涨价趋势的轨道上，离损益平衡点不远，因此台厂2012年最大目标是加速转进30奈米制程。

DRAM合约价从2011年起涨开始，业界认为这一波从供给面减产所引导的涨势，会先让报价站回1美元，之后再逐渐让采用30奈米制程生产的半导体业者跨过损平点，现货价在完成站上1美元目标后，虽然农历年前后有些回档，但成功让1月开盘的合约价跟进止跌。

1月上旬DRAM合约价正式止跌，下旬4GB记忆体模组报价小幅升温至17.25美元附近，2012年4GB模组将会跃升主流地位，而2GB记忆体模组的下旬合约价则是持平，平均价格约在9.25美元。

以40奈米制程的2Gb裸晶(未含封测)成本来看，约落在1.2~1.3美元，若是转进30奈米制程后，预计成本可降至0.8~0.9美元，因此这一波的DRAM报价反弹潮中，转进30奈米制程速度快者，可享有绝对优势。

除了国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等抢进30奈米制程外，台厂瑞晶、华亚科等也是快马加鞭，瑞晶2011年底完成30奈米制程投片，华亚科目标是2012年中30%产能转进30奈米制程。

目前在供给端中，各厂除积极转进30奈米制程以降低生产制造成本外，暂时还没有业者有大幅增产的计划，这一波价格止跌反弹是拜减产所赐，因此如果业者又大幅增加投片量，恐让价格走到半山腰就无功而返。

再者业者表示，其实半导体供给链的DRAM库存不少，终端需求没这么强，目前又处于淡季，因此多数DRAM厂不会贸然增加投片量，惟有三星的态度是关键。

南亚科业务副总白培霖日前也在法说会中表示，2011年底已是DRAM价格的谷底，但如果这一波的价格反弹只有回升到1美元，那对整个产业而言还是很不合理。言下之意，要能根治DRAM厂的财务困窘，价格反弹力道必须更积极些。