Hynix：DRAM价格Q2可望触底反弹

Hynix：DRAM价格Q2可望触底反弹，市况下半年改善

MarketWatch报导，全球第2大记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc.财务长Kim Min-chul 2日在财报电话会议上指出，DRAM价格可望在第2季触底反弹，而整体市况有机会在下半年逐步改善。他并预期，今(2012)年全球DRAM出货量料将成长35%，而NAND型快闪记忆体出货量则可望成长约70-80%。此外，Q1 DRAM、NAND型快闪记忆体出货量都将出现5%左右的季增率。

Kim指出，Q1市场需求仍然疲弱，主要是受到硬碟机供应吃紧的影响。不过，由于规模较小的竞争对手开始降低产能、加上PC需求有改善迹象，预期DRAM市况将有望温和回升。

Hynix 2日在公布财报时宣布，今年资本支出将达4.2兆韩圜，较2011年的3.4兆韩圜上升约20%，其中半数将投入NAND型快闪记忆体事业。

Hynix收盘价(27,450韩圜)甫于1月25日创2011年7月5日以来收盘新高。美国记忆体大厂美光科技(Micron Technology Inc.)收盘价(7.95美元)则于1月24日创2011年7月22日以来收盘新高。

Forbes、MarketWatch等多家外电报导，巴克莱资本(Barclays Capital)分析师C.J. Muse 1月3日发表研究报告指出，DRAM价格则可望在Q1触底、Q2起攀高；其他利多因素还包括2012年下半年PC需求增温与硬碟机产能恢复正常。Thomson Reuters 1月3日报导，Robert Baird分析师Tristan Gerra指出，该证券预期DRAM产业将进一步整合，这最终可望令价格自Q2起开始止稳。

尔必达(916665)恐将遭到整并，有可能成为美日联手抗韩的局面，2012年DRAM产业的发展将发生重大变化，预料将逐步走向寡占型态，削价竞争将不复见。