PC挺不住　三星电子笑傲DRAM江湖

PC挺不住　三星电子笑傲DRAM江湖 

DRAM产业带动台湾12寸晶圆厂遍地开花，曾经是台湾半导体业的骄傲之一，但经历2011年DRAM报价二次崩盘后，台厂都已纷纷步上转型，其实回顾过去10年全球DRAM业者投资产业的回报率，真正赚钱的只有三星电子(Samsung Electronics)，上一波金融海啸带来的伤害，事后也只有2家韩系大厂有把当时亏的钱赚回来，其它台美日DRAM厂都现在都还身陷泥淖中。
DRAM产业走到这一步，其实也不全然是DRAM业者的错，毕竟过去10年来，个人计算机(PC)几乎是全球科技产业的唯一依归，也是唯一可追寻的应用，DRAM产业单靠PC产业驱动而稳定成长的成功方程序，过去一直很少被质疑，即使PC应用占DRAM产业比重高达90%，业界在过去也不认为是什么大问题。
然而，风水轮流转，在全球科技产业称霸超过20年的PC终究难敌大环境产业趋势面临转折点，PC势力式微已是既成事实，取而代之是行动装置应用的大量崛起，如智能型手机(Smart Phone)、平板计算机(Tablets)、超轻薄本Ultrabook等，这些行动装置对于DRAM需求不高，让DRAM产业面临前所未有的挑战。
2011年是平板计算机和智能型手机真正百花齐放大崛起的一年，象征行动装置时代的来临，不断侵蚀既有的PC应用。仔细分析，每个人家里用的桌上型计算机(DT)该买的都买了，有时1台DT用上3~5年不为过，这几年也因为全球经济环境动荡不安，过去众所期待的企业换机潮也不如预期，有些企业的计算机甚至用6~7年都未换机。
从过去的每一次景气起伏的经验来观察，DRAM产业终究有再起的一天，因为DRAM产业讲求的是供需间的细腻变化。但这样的惯性现在已面临挑战，自从PC应用被行动装置应用取代后，DRAM产业在需求端出现根本性的问题。
平板计算机和智能型手机取代PC应用后，行动装置需要用的DRAM容量几乎只有现在PC用DRAM容量的4分之1，从2GB缩水至512MB，或是从4GB缩水至1GB，那消失的4分之3存储器容量，是彻彻底底的不再被需要。这种终端需求面结构的彻底瓦解，让DRAM产业走到死胡同，需求端出现根本性的问题。
曾统计，在2007~2009年间。全球所有DRAM厂亏损金额约180亿美元，随著2009年初DRAM报价落底反弹后，2009~2011年第1季为止，DRAM厂受惠景气循环回升而带来的获利约140亿美元。
值得注意的是，三星在2007~2009年间每1美元的亏损，后来赚回7.73美元，海力士(Hynix)表现较差，只赚回1.97美元，但至少仍是小有斩获，反观尔必达(Elpida)、美光(Micron)、力晶、华亚科、南亚科等业者，其实都没有把2007~2009年间赔的钱赚回来。
甚至，统计过去10年来，全球存储器厂投资DRAM产业的业者中，其实也只有三星一家赚钱，其它的总投资都是在赔钱，这种赔钱日多过赚钱日的投资策略，等于是虚度过去10年的光阴在打造DRAM产业曾经有过的虚幻荣景。
2010年全球DRAM产业走出金融风暴阴霾后，当年度DRAM产业营收成长规模高达71.8%，全球DRAM产业营收规模约395亿美元，但2011年很快又落入价格崩盘，且掀起另一波的减产潮，导致2011年DRAM产业营收规模衰退高达26.6%，全球产值缩水至290亿美元。

同样是存储器产业　NAND Flash需求大爆发

同样是存储器产业，再来看看NAND Flash产业的全球产值变化。NAND Flash产业因为成功搭上平板计算机、智能型手机、超轻薄本Ultrabook等需求，一路享受稳定高成长的果实，这些行动装置对于NAND Flash需求量是倍数成长，不像DRAM产业是一直在萎缩。
智能型手机在2011年对于eMMC容量需求4~16GB，预计2012年可提升至16~32GB。平板计算机当中的固态硬盘(SSD)需求容量也是16GB起跳，至于NAND Flash产业最关键的杀手级应用是超轻薄本Ultrabook，内建的SSD容量从64GB起跳，目前128GB为主流机种，256GB则属于高阶产品。
若从过去NAND Flash业者卖2GB、4GB、8GB、16GB的快闪记忆卡和优盘的角度来看这些行动装置带动的内嵌式存储器商机，尤其是Ultrabook，对于NAND Flash需求量的消耗几乎是翻身数十倍的商机，也因此存储器的明日之星会是NAND Flash产业，不会是DRAM产业。
从NAND Flash产业产值来看，市调机构Gartner估计，2012年NAND Flash产业产值提升至285亿美元规模，预计2014年NAND Flash产业的产值将以326亿美元超过DRAM产业产值288亿美元。
而另一家市调机构IC Insights则释出更乐观的统计，预估2012年全球NAND Flash产业的产值即可提前达到328亿美元，超过DRAM产业产值303亿美元，主要也是看好智能型手机、平板计算机、固态硬盘(SSD)等行动装置需求对于多NAND Flash市场将出现大规模的刺激。
若从全球主要存储器厂的资本支出端分析，2011年全球NAND Flash产业的资本支出已超过DRAM产业达89亿美元，预估2012和2013年全球NAND Flash产业的资本支出也将分别以92亿美元和130亿美元的水平超过DRAM产业，显见在NAND Flash应用大爆发下，全球各大存储器厂也是猛力扩产来抢商机。

看好行动商机　半导体厂猛力扩建NAND Flash厂

在2011年扩增NAND Flash新厂的包括三星电子兴建Line 16，甚至要到大陆设置新的12寸晶圆厂生产NAND Flash芯片，整体金额耗资40亿美元。该产线可能将落脚于北京，预计在2013年以20纳米制程切入，显然三星看中的是未来NAND Flash芯片挟持行动装置应用需求而起飞。
再者，美光(Micron)和英特尔(Intel)合资的新加坡12寸晶圆厂也早已启动，这次虽是美光主导整个新厂建设，但英特尔最后一刻决定不缺席，也等于是为NAND Flash产业前瞻性挂保证。