慧荣TLC芯片拥抱三星　今年营运再攻顶

慧荣TLC芯片拥抱三星　今年营运再攻顶 

NAND Flash控制芯片大厂慧荣在2011年受惠TLC型NAND Flash控制芯片技术领先，获得三星电子(Samsung Electronics)回笼订单，加上LTE及CDMA EV-DO收发器等移动通信产品逐渐收割下，年营收成长率一口气大增69%，慧荣TLC控制芯片已占行动储存营收比重高达50%，日前高速CF卡更是打入美系记忆卡大厂Lexar供应链；展望2012年，公司看好19及21纳米NAND Flash控制芯片及eMMC控制芯片成长爆发性。
慧荣2011年营收创下历史新高水平，以2011年第4季财报来看，单季营收约6,715万美元，较上季成长6%，较2010年同期大幅成长68%，单季毛利率为49.8%，税后净利1,606万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余0.47美元(约新台币14元)，2011全年营收达2.24亿美元，较前1年大增69%。
慧荣TLC型NAND Flash控制芯片在2011年第4季营收贡献较上1季大增超过60%，占控制芯片营收达50%；另一个慧荣著墨较深且投入大量研发的则是高阶控制芯片，如最新19纳米及21纳米的NAND Flash控制芯片，目前超过65%控制芯片营收来自支持2x纳米的NAND Flash产品。
慧荣2011年营运大跃进，业界认为是慧荣在支持三星TLC型NAND Flash控制芯片的能力领先，因此获得许多三星的回笼订单，也让慧荣全年营运攀上历史高峰。
再者，慧荣日前成功打入美系记忆卡大厂Lexar的高速CF卡供应链，其传输速度达每秒150MB，目前已开始出货中。
慧荣总经理苟嘉章表示，2011年第4季营收和毛利率表现出色，主要是行动储存产品的OEM客户出货持续强劲，且存储器模块厂客户订单量增加所致，以整体第4季行动储存的控制芯片出货量来看，较上季成长14%，更较2010年同期成长42%。
行动储存产品在线，慧荣长期与OEM客户配合，苟嘉章表示，以2011年第4季为例，OEM客户营收较上季成长35%，占控制芯片营收50%比重，受惠NAND Flash大厂和一线消费性电子OEM客户年底的旺季备货。
存储器模块厂客户方面，2011年第4季营收较上季成长10%，成长动能来自于大陆和新兴开发中国家的需求持续攀升。
除了行动储存产品线表现出色，移动通信产品线方面，从2011年第4季开始，三星Galaxy Nexus采用慧荣LTE及CDMA EV-DO收发器，已开始出货给美国电信业者Verizon，慧荣在LTE产品线布局上，2011年确定拿到超过5个Design-win在手，预计2012年上半将进入量产。
展望2012年，苟嘉章看好移动通信用的eMMC控制芯片、LTE收发器等产品线的营收贡献持续成长，2012年第1季受到季节性因素和之前存储器模块厂客户备货较多影响，预计行动储存营收贡献将减少，但新的LTE产品Design-win订单开始进入量产后，此部分营收可逆势成长，并弥补部分行动储存减少的营收。